解题方法
1 . 氮化硅()是一种高温结构陶瓷材料,它硬度大、熔点高、化学性质稳定。合成氮化硅的一种工艺流程如图所示,下列说法正确的是已知:在潮湿的空气中易水解,产生白雾。
A.该流程中可循环使用的物质是 |
B.第①步反应中产生的气体能使澄清石灰水变浑浊 |
C.和所含共价键数目均为 |
D.第③步反应可用氨水代替 |
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2 . 材料是社会进步的阶梯。下列有关材料的叙述错误的是
A.英国科学家合成的一种氮化碳材料,其硬度仅次于金刚石,该材料可用作切割工具 |
B.哈工大合成的爆药属于无机小分子材料 |
C.世界上第一个大气压下的室温超导体中含有2种短周期元素 |
D.同济大学首次合成环型和分子材料,它们互为同素异形体 |
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3 . 氨是最基本的化工原料,常用于制液氮、氨水、硝酸、铵盐和胺类等。
(1)工业合成氨是人类科学技术的一项重大突破,其反应如下:
根据下列键能数据,结合上述反应数据,计算的键能是___________ 。
(2)合成氨工业中,原料气(及少量的混合气)在进入合成塔前需经过铜氨液处理,目的是除去其中,其反应为:。
①配离子的中心离子是___________ ,配位数是___________ 。
②铜氨溶液吸收适宜的生产条件:___________ 温、___________ 压。(填“高”“低”)
(3)恒温恒压条件下,向容器中通入和,合成氨反应用摩尔分数表示的平衡常数,达到平衡时的转化率为___________ (保留3位有效数字)。(已知反应的,物质ⅰ的摩尔分数,)。
(4)制备时所需的可以通过反应合成,但缺。有学者倡议:常温下,把石膏矿中(Ⅱ)转化为难溶的,留下的和形成,反应方程式如下: ,化学平衡常数为,用下列相关的符号来表示___________ 。通过计算反应的判断以上倡议___________ (填“可行”或“不可行”)。
(已知、、、的、、)
(5)与镓在高温下生成,氮化镓晶胞结构可看作金刚石晶胞内部的碳原子被原子代替,顶点和面心的碳原子被原子代替。①以晶胞边长为单位长度建立的坐标系可以表示晶胞中的原子位置,称作原子坐标。原子坐标为,则原子坐标为___________ 。
②若为阿伏伽德罗常数的值,晶胞中原子与原子之间最短的核间距离是,则晶体的密度为___________ (只列计算式)。
(1)工业合成氨是人类科学技术的一项重大突破,其反应如下:
根据下列键能数据,结合上述反应数据,计算的键能是
化学键 | ||
键能 | 946 | 436 |
(2)合成氨工业中,原料气(及少量的混合气)在进入合成塔前需经过铜氨液处理,目的是除去其中,其反应为:。
①配离子的中心离子是
②铜氨溶液吸收适宜的生产条件:
(3)恒温恒压条件下,向容器中通入和,合成氨反应用摩尔分数表示的平衡常数,达到平衡时的转化率为
(4)制备时所需的可以通过反应合成,但缺。有学者倡议:常温下,把石膏矿中(Ⅱ)转化为难溶的,留下的和形成,反应方程式如下: ,化学平衡常数为,用下列相关的符号来表示
(已知、、、的、、)
(5)与镓在高温下生成,氮化镓晶胞结构可看作金刚石晶胞内部的碳原子被原子代替,顶点和面心的碳原子被原子代替。①以晶胞边长为单位长度建立的坐标系可以表示晶胞中的原子位置,称作原子坐标。原子坐标为,则原子坐标为
②若为阿伏伽德罗常数的值,晶胞中原子与原子之间最短的核间距离是,则晶体的密度为
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4 . 磷化硼是一种超硬耐磨涂层材料,其晶胞结构如图所示,其中的每个原子均满足8电子稳定结构,原子坐标A为,B为,D为。下列有关说法正确的是
A.磷化硼晶体的化学式为BP,可用质谱仪测定其晶体结构 |
B.磷化硼晶体的熔点很低 |
C.C原子的坐标参数为 |
D.磷化硼晶体结构中微粒的空间堆积方式与氯化钠晶体相同 |
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5 . 我国某有机所研究团队合成一种盐,其阴离子结构如图所示。短周期主族元素X、Y、Z、R的原子序数依次增大,X、Y、Z的原子序数之和为23,下列有关叙述不正确的是
A.电负性:Z>Y>R | B.简单氢化物的稳定性:Z>Y>X |
C.的键角和的键角相等 | D.X的单质可能是共价晶体 |
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解题方法
6 . 硼酸晶体有类似于石墨的片层状结构。下列说法不正确的是
A.氧化铍熔点较高,可用作耐火材料 |
B.电解熔融氯化铍制备铍单质 |
C.用碳原子取代晶体硅中部分原子,硬度变大 |
D.不慎将碱液沾到皮肤上,立即用大量水冲洗,再涂上的硼酸 |
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7 . 在元素周期表中,某些主族元素与右下方的主族元素的有些性质是相似的,如和。和在气态时通常以二聚体的形式存在,的结构如图所示。硼酸晶体有类似于石墨的片层状结构。下列说法不正确的是
A.中含有配位键 |
B.中的杂化方式为 |
C.中的键角为 |
D.晶体中存在作用力为共价键、氢键和范德华力 |
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8 . 氮化镓(GaN)具有优异的光电性能。综合利用炼锌矿渣[主要含铁酸镓Ga2(Fe2O4)3、铁酸锌ZnFe2O4]获得3种金属盐,并进一步利用镓盐制备氮化镓(GaN),部分工艺流程如下:已知:①Ga与Al同主族。
②常温下,浸出液中各离子形成氢氧化物沉淀的pH和金属离子在工艺条件下的萃取率(进入有机层中金属离子的百分数)见表:
(1)为提高浸出率,可采用的方法是___________ (填一种方法即可)。
(2)基态镓原子的价层电子排布图为___________ 。GaN的熔点为1700℃,晶胞如图所示,GaN的晶体类型为___________ 。(3)利用炼锌矿渣所获得的三种金属盐,分别为镓盐、FeCl2和___________ (填化学式)。
(4)处理浸出液时,将溶液的pH调节至5.4,此时溶液中Fe3+的浓度为___________ 。
(5)“溶解还原”步骤中需要加入一定量的铁粉,进行该操作的主要目的是___________ 。
(6)“高温合成”操作中Ga(CH3)3与NH3反应生成GaN的化学方程式为___________ 。
(7)下图可表示氮化镓与铜组装成的人工光合系统的工作原理。请写出铜电极上的电极反应式___________ 。
②常温下,浸出液中各离子形成氢氧化物沉淀的pH和金属离子在工艺条件下的萃取率(进入有机层中金属离子的百分数)见表:
金属离子 | Fe2+ | Fe3+ | Zn2+ | Ga3+ |
开始沉淀pH | 8.0 | 1.7 | 5.5 | 3.0 |
沉淀完全pH | 9.6 | 3.2 | 8.0 | 4.9 |
萃取率(%) | 0 | 99 | 0 | 97~98.5 |
(1)为提高浸出率,可采用的方法是
(2)基态镓原子的价层电子排布图为
(4)处理浸出液时,将溶液的pH调节至5.4,此时溶液中Fe3+的浓度为
(5)“溶解还原”步骤中需要加入一定量的铁粉,进行该操作的主要目的是
(6)“高温合成”操作中Ga(CH3)3与NH3反应生成GaN的化学方程式为
(7)下图可表示氮化镓与铜组装成的人工光合系统的工作原理。请写出铜电极上的电极反应式
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解题方法
9 . 超硬陶瓷材料氮化硅可由反应制得。下列说法正确的是
A.的电子式为 | B.为平面正方形结构 |
C.是非极性分子 | D.属于分子晶体 |
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409次组卷
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3卷引用:江苏省苏锡常镇四市2024届高三一模考试化学试题
江苏省苏锡常镇四市2024届高三一模考试化学试题江苏省苏锡常镇四市2023-2024学年高三下学期教学情况调研(一模)化学试题(已下线)题型2 有关化学用语的正误判断(25题)-2024年高考化学常考点必杀300题(新高考通用)
解题方法
10 . 氮化镓(GaN)被誉为第三代半导体材料,其结构与金刚石相似。一种制备GaN的方法为,下列说法正确的是
A.Ga基态核外电子排布式为 | B.的空间构型为平面三角形 |
C.GaN晶体属于共价晶体 | D.GaN中Ga元素的化合价为-3 |
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