组卷网 > 初中化学综合库 > 物质的化学变化 > 认识几种化学反应 > 化学方程式 > 化学方程式的书写
题型:选择题-单选题 难度:0.85 引用次数:83 题号:18847605
中国芯片蚀刻技术国际领先。NF3进行硅芯片蚀刻时的产物均为气体,在蚀刻物表面不留任何残留物。该反应微观示意图如下,下列说法正确的是
A.上述两种反应物均由分子构成B.反应前后各元素的化合价均不变
C.反应生成的丙和丁微粒个数之比为3:2D.空气中物质丁的质量分数为78%

相似题推荐

选择题-单选题 | 较易 (0.85)
【推荐1】氯酸钾与二氧化锰混合制取氧气,化学方程式书写正确的是
A.2KClO33KCl+2O2B.2KClO3KCl+3O2
C.KClO3 KClO+O2D.2KClO32KCl+3O2
2023-04-16更新 | 102次组卷
选择题-单选题 | 较易 (0.85)
【推荐2】下列指定反应的化学方程式正确的是
A.镁条在氧气中燃烧:Mg+O2MgO2
B.铝片溶于稀硫酸:Al+H2SO4=AlSO4+H2
C.铁丝在氧气中燃烧:4Fe+3O22Fe2O3
D.工业上用NaOH溶液吸收NO和NO2的反应:NO+NO2+2NaOH=2NaNO2+H2O
2019-12-19更新 | 46次组卷
选择题-单选题 | 较易 (0.85)
【推荐3】下列化学方程式书写正确的是
A.B.
C.D.
2022-01-07更新 | 40次组卷
共计 平均难度:一般