自支撑氧化物薄膜是指一种去除衬底后依旧保持单晶特性的低维量子材料，兼具关联电子体系的多自由度耦合特性和二维材料的结构柔性。这类材料在开发超薄柔性电子器件方面表现出巨大的应用潜力。

多年来，自支撑氧化物薄膜的主流制备方法是基于水溶性牺牲层的外延生长、剥离和转移技术。目前，国际上普遍使用的锶—铝—氧基水溶性牺牲层与目标氧化物薄膜之间不可避免的晶格失配和应力弛豫，会导致高密度界面缺陷的形成，显著影响自支撑氧化物薄膜的结晶性和完整性，并导致相应功能特性的退化。进一步优化制备方法以提高薄膜性能，是自支撑氧化薄膜在超薄柔性电子器件方面实现广泛应用的必然选择。为此，中国科学技术大学研究团队与西北大学团队合作，深入探索锶—铝—氧基水溶性牺牲层薄膜的激光分子束外延生长窗口，通过精细的薄膜生长控制，成功研发出一种广谱高效的新型超四方相水溶性牺牲层材料。该材料不仅具备诸多优异性质，可用于制备多种高质量自支撑氧化物薄膜；而且制备工艺具有普适性，提升了自支撑氧化物薄膜的制备效率。

新型水溶性牺牲层的发现为制备高结晶性、大面积自支撑氧化物薄膜提供了一种高效且普适的实验手段，也为该领域的发展注入了新的动力，有望推动自支撑氧化物薄膜新奇量子物态的进一步发掘，提升这一体系在低维柔性电子学器件方面的应用潜力。