半导体掺杂对于半导体工业有着举足轻重的作用，其中一种技术是将掺杂源物质与硅晶体在高温（800到1250摄氏度）状态下接触，掺杂源物质的分子由于热运动渗透进硅晶体的表面。下列说法中正确的是（ ）
| A．这种渗透过程是自发可逆的 |
| B．这种渗透过程是外界作用引起的 |
| C．温度越高越容易掺杂 |
| D．温度升高后，掺杂源物质所有分子的热运动速率都增加 |
更新时间：2024-04-22 14:34:05
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【推荐1】运用分子动理论的相关知识，判断下列说法正确的是（ ）
| A．气体分子单位时间内与单位面积器壁碰撞的次数仅与单位体积内的分子数有关 |
| B．生产半导体器件时需要在纯净的半导体材料中掺入其它元素，这可以在高温条件下利用分子的扩散来完成 |
| C．阳光从缝隙射入教室，从阳光中看到的尘埃的运动是布朗运动 |
D．某气体的摩尔体积为V，每个分子的体积为V0，则阿伏加德罗常数为 |
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【推荐2】下列说法正确的是（ ）
| A．沙尘暴中所有沙尘颗粒所做的无规则运动是布朗运动 |
| B．在真空高温条件下，可以利用扩散向半导体材料中掺入其他元素 |
| C．一定质量的冰融化成同温度的水时，其分子动能和分子势能均不变 |
| D．气体温度升高时，气体分子的平均速率增大，分子撞击器壁的作用力增大，气体压强一定增大 |
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【推荐1】关于气体与内能，以下说法中正确的是（ ）
| A．气体的体积是所有气体分子的体积之和 |
| B．能量转化没有方向性 |
| C．气体的内能是所有分子热运动的动能和分子间的势能的总和 |
| D．气体的温度变化时，其分子平均动能和分子间势能也随之改变 |
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【推荐2】关于一定量的气体，下列说法错误的是（ ）
| A．气体温度每升高1开和每升高1摄氏度等价 |
| B．只要能减弱气体分子热运动的剧烈程度，气体的温度就可以降低 |
| C．在完全失重的情况下，气体对容器壁的压强为零 |
| D．气体在等压膨胀过程中温度一定升高 |
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【推荐1】热力学第二定律表明（ ）
| A．不可能从单一热源吸收热量使之全部变为有用的功 |
| B．摩擦生热的过程是不可逆的 |
| C．在一个可逆过程中，工作物质净吸热等于对外作的功 |
| D．热量不可能从温度低的物体传到温度高的物体 |
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【推荐2】下列关于热现象的说法，正确的是
| A．气体的温度升高，气体的压强一定增大 |
| B．外界对物体做功，物体的内能一定增加 |
| C．任何条件下，热量都不会由低温物体传递到高温物体 |
| D．任何热机都不可能使燃料释放的热量完全转化为机械能 |
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