下列实验操作、现象和结论均正确的是
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A.乙炔具有还原性 | B.待测液中含Fe2+ |
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C.a管发生吸氧腐蚀,b管发生析氢腐蚀 | D.检验溴乙烷消去反应产物 |
A.A | B.B | C.C | D.D |
更新时间:2020-11-09 17:11:16
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单选题
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适中
(0.65)
名校
解题方法
【推荐1】下列由实验操作得出的结论正确的是
选项 | 实验操作 | 结论 |
A | 向蓝色石蕊试纸上滴加新制氯水,试纸边缘呈红色,中间为白色 | 氯水中含有![]() ![]() |
B | 将![]() ![]() | 电离出![]() ![]() |
C | 向![]() ![]() | 酸性条件下,氧化性:![]() |
D | 向某溶液中先加入酸性高锰酸钾溶液,再加入KSCN溶液,溶液变红色 | 原溶液中含有![]() |
A.A | B.B | C.C | D.D |
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单选题
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适中
(0.65)
【推荐2】下列实验操作、现象及结论都正确的是
选项 | 实验操作 | 现象 | 结论 |
A | 将少量![]() ![]() ![]() | 溶液变成红色 | ![]() |
B | 向苯酚浊液中滴加![]() | 浊液变清且无气体产生 | 苯酚的酸性强于![]() |
C | 向2支盛有![]() ![]() ![]() ![]() | 产生气泡的快慢不同 | 其他条件相同时,反应物浓度越高,反应速率越快 |
D | 将火柴头浸入水中,片刻后取少量溶液于试管中,加入![]() ![]() | 有白色沉淀出现 | 说明火柴头中含有氯元素 |
A.A | B.B | C.C | D.D |
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单选题
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适中
(0.65)
【推荐1】实验是研究化学的基础,下列图中所示的实验操作中正确的是
![]() | ![]() | ![]() | ![]() |
A.除去Ca(OH)2中的NH4Cl | B.证明酸性:CH3COOH>H2CO3>硅酸 | C.验证HCl的溶解性 | D.除去甲烷中少量的乙烯 |
A.A | B.B | C.C | D.D |
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单选题
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适中
(0.65)
解题方法
【推荐2】下列实验中,溶液颜色不会发生变化的是
A.SO2通入品红溶液 | B.KI加入淀粉溶液 |
C.乙烯通入酸性KMnO4溶液中 | D.乙炔通入溴水中 |
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单选题
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适中
(0.65)
名校
解题方法
【推荐1】下列实验操作或对实验事实的描述正确的有
①除去苯中的己烯:向溶液中加入浓溴水,分液
②鉴别己烯和甲苯:向己烯和甲苯中分别滴入酸性KMnO4溶液,振荡观察是否褪色
③除去乙烷中少量乙烯:通入氢气在一定条件下反应,使乙烯转化为乙烷
④用浓溴水可将C2H5OH.AgNO3溶液、C2H5Br、苯区分开
①除去苯中的己烯:向溶液中加入浓溴水,分液
②鉴别己烯和甲苯:向己烯和甲苯中分别滴入酸性KMnO4溶液,振荡观察是否褪色
③除去乙烷中少量乙烯:通入氢气在一定条件下反应,使乙烯转化为乙烷
④用浓溴水可将C2H5OH.AgNO3溶液、C2H5Br、苯区分开
⑤CH3Cl、、
中加入NaOH的醇溶液共热,然后加入稀硝酸呈酸性,再滴入AgNO3溶液,均有沉淀生成
A.①⑤ | B.④ | C.①③ | D.②⑤ |
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适中
(0.65)
解题方法
【推荐2】下列实验方法或操作能达到实验目的的是
选项 | 实验目的 | 实验方法或操作 |
A | 验证钢铁发生吸氧腐蚀 | 取钢铁电极附近溶液,向其中滴加![]() |
B | 检验卤代烃中卤素原子种类 | 向卤代烃水解后的样品溶液中滴加硝酸酸化的![]() |
C | 探究温度对反应速率的影响 | 已知![]() ![]() ![]() |
D | 检验乙醇中是否含有水 | 向乙醇中加入一小粒金属钠,产生无色气体 |
A.A | B.B | C.C | D.D |
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适中
(0.65)
解题方法
【推荐1】利用下列装置测定空气中SO2的含量,A溶液最好选用
![](https://img.xkw.com/dksih/QBM/editorImg/2023/5/19/61c29803-323c-49ac-897e-0fcc5d3e1d88.png?resizew=323)
![](https://img.xkw.com/dksih/QBM/editorImg/2023/5/19/61c29803-323c-49ac-897e-0fcc5d3e1d88.png?resizew=323)
A.NaOH溶液(滴有2-3滴酚酞溶液) |
B.KMnO4溶液(滴有-定量硫酸溶液) |
C.HNO3溶液(滴有2-3滴Ba(NO3)2溶液) |
D.I2溶液(滴有2-3滴淀粉溶液) |
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单选题
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解题方法
【推荐2】高纯的单晶硅是重要的半导体材料,在各种集成电路、芯片和CPU的制作中有不可代替的作用。实验室中模拟SiHCl3制备高纯硅的装置如图所示(夹持装置略去)。
![](https://img.xkw.com/dksih/QBM/editorImg/2023/11/8/25bf6204-1eea-4172-be89-d6b04fd19c68.png?resizew=446)
已知:电负性Cl>H>Si,SiHCl3的沸点为31.8℃,熔点为-126.5℃,在空气中易自燃,遇水会剧烈反应。
下列说法正确的是
![](https://img.xkw.com/dksih/QBM/editorImg/2023/11/8/25bf6204-1eea-4172-be89-d6b04fd19c68.png?resizew=446)
已知:电负性Cl>H>Si,SiHCl3的沸点为31.8℃,熔点为-126.5℃,在空气中易自燃,遇水会剧烈反应。
下列说法正确的是
A.实际实验过程中,若装置I中生成1molH2可制得1molSi |
B.实验开始时,排尽装置中的空气是为了防止SiHCl3水解 |
C.为提高装置Ⅳ中SiHCl3的利用率,装置Ⅲ应使用冷水浴 |
D.尾气通入NaOH溶液中,SiHCl3发生反应的化学方程式为![]() |
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