1 . 根据导电性能可以把物质分为导体、半导体和绝缘体。在玻璃杯、电炉丝、橡胶手套、热敏材料，这些物品中利用半导体材料制成的是__________，20世纪初，科学家发现有些物质在温度很低时，如铝在1.39K（-271.76℃）以下，电阻就变成零，这就是______现象。

2 . 关于导体、绝缘体和超导体，下列说法错误的是（　　）

A．超导体对电流的阻碍作用几乎为零

B．电解液通电时，正负离子仍有阻碍作用

C．绝缘体内也有自由电子，但很少

D．绝缘体接入电路后，一定没有电流通过

3 . 石墨烯（Graphene）是一种由碳原子构成的单层片状结构的新型纳米材料，2004年，英国曼彻斯特大学物理学家安德烈•海姆和康斯坦丁•诺沃肖洛夫，成功地在实验中从石墨中分离出石墨烯，两人也因“在二维石墨烯材料的开创性实验”为由，共同获得2010年诺贝尔物理学奖。石墨烯的结构非常稳定，碳碳键仅为1.42Å，它内部碳原子之间的连接很柔韧，当施加外力于石墨烯时，碳原子面会弯曲变形，使得碳原子不必重新排列来适应外力，从而保持稳定的结构。石墨烯是世上最薄却也是最坚硬的纳米材料，电阻率约10^﹣6Ω•cm，比铜或银的电阻率更小，为当今发现电阻率最小的材料，石墨烯的应用范围广阔，比如超轻防弹衣，超薄超轻型飞机材料等，石墨烯有可能会成为硅的替代品，制造超微型晶体管，用来生产未来的超级计算机，利用石墨烯加入电池电极材料中可以大大提高充电效率，并且提高电池容量。通过阅读上述材料，推断下列说法中不正确的是（　　）

A．石墨烯的厚度数量级为10﹣10m

B．用石墨烯做成的电池储存电能的性能大大增加

C．石墨烯和金刚石是同位素

D．用石墨烯可以实现像报纸一样可以卷起来的平板电脑

4 . 下列说法中正确的是(  )

A．由知道，通过同一段导体的电流跟加在它两端的电压成正比

B．超导体的电阻为零，所以在任何温度下对电流都没有阻碍作用

C．材料的电阻率取决于导体的电阻、横截面积和长度

D．电阻率的大小只随温度的变化而变化，而与材料本身无关

5 . 超导现象是20世纪的重大发现之一，自20世纪80年代以来，我国超导研究取得许多突破，在国际上处于领先地位。零电阻特性和抗磁性是超导体的两个重要特性。超导材料降低到一定温度处于超导态时，其电阻几乎为零，这种现象称为超导体的零电阻特性。例如，当温度下降到4.2K（﹣268.95℃）时，水银的电阻突然变为零，此温度称为转变温度。放在磁场中的超导材料处于超导态时，其内部磁感应强度为零，这种现象称为超导体的抗磁性。科学家曾做过这样的实验：在一个用超导材料制成的浅盘中，放入一个磁性很强的小磁体，然后降低温度，使浅盘处于超导态，这时可以看到，小磁体离开浅盘表面，悬浮在空中不动，如图所示。超导体的零电阻特性和抗磁性在发电、输电和储能等方面具有诱人的应用前景。例如，用超导材料制作输电线，处于超导态时可以把电能几乎无损耗地输送给用户。根据以上信息，可以判断下列说法中正确的是（　　）

A．超导材料在任何温度下，都具有零电阻特性和抗磁性

B．由于超导材料在超导态下几乎没有电阻，所以不适合用来制作输电导线

C．图中小磁体离开浅盘表面悬浮在空中不动时，小磁体所受合力为零

D．图中小磁体离开浅盘表面悬浮在空中不动时，小磁体所受重力为零

6 . 利用半导体不能制成（ ）

A．标准电阻

B．热敏电阻

C．光敏电阻

D．晶体管

7 . 关于电阻和电阻率的说法中，正确的是   （       ）

A．导体对电流的阻碍作用叫做导体的电阻，因此只有导体中有电流通过时才有电阻

B．由可知导体的电阻与导体两端的电压成正比，跟导体中的电流成反比

C．某些金属、合金和化合物的电阻率随温度的降低会突然减小为零，这种现象叫做超导现象．发生超导现象时的温度叫“转变温度”

D．将一根导线等分为二，则半根导线的电阻和电阻率都是原来的二分之一

8 . 1957年，科学家首先提出了两类超导体的概念，一类称为I型超导体，主要是金属超导体，另一类称为II型超导体（载流子为电子），主要是合金和陶瓷超导体，I型超导体对磁场有屏蔽作用，即磁场无法进入超导体内部，而II型超导体则不同，它允许磁场通过。现将一块长方体II型超导体通入稳恒电流I后放入匀强磁场中，如图所示，下列说法正确的是（  ）

A．超导体的内部产生了热能

B．超导体所受安培力等于其内部所有电荷定向移动所受洛伦兹力的合力

C．超导体表面上a、b两点的电势关系为

D．超导体中电流I越大，a、b两点的电势差越大

9 . 如图所示的电路中，当半导体材料做成的热敏电阻浸泡到热水中时，电流表示数增大，则说明

A．热敏电阻在温度越高时，电阻越大

B．热敏电阻在温度越高时，电阻越小

C．半导体材料温度升高时，导电性能变差

D．半导体材料温度升高时，导电性能变好

10 . 在如图所示的电路中，R_T是半导体热敏电阻，当R_T所在处温度升高时，下列关于通过理想电流表的电流I   ， ab间电压U和电容器电量q的说法正确的是（     ）

A．I变大，U变大

B．I变大，U变小

C．U变小，q变小

D．U变大，q变大