1 . 如图所示，从S处发出的热电子经加速电压U加速后垂直进入相互垂直的匀强电场和匀强磁场中，发现电子流向上极板偏转。设两极板间电场强度为E，磁感应强度为B。欲使电子沿直线从电场和磁场区域通过，只采取下列措施，其中可行的是（　　）

A．适当减小电场强度E

B．适当减小磁感应强度B

C．适当增大加速电场极板之间的距离

D．适当减小加速电压U

2 . 下列关于四幅图的说法正确的有（　　）

A．图甲是回旋加速器，可通过增加电压U使带电粒子获得的最大动能增大

B．图乙是磁流体发电机，B极板是发电机的正极

C．图丙是速度选择器，不计重力的电子从右向左沿直线运动的速度大小为

D．图丁是质谱仪，粒子打在底片上的位置越靠近狭缝S3，说明粒子的比荷越大

3 . 如图所示，平行金属板竖直放置，底端封闭，中心线上开一小孔C，两板间存在正交的电场强度大小为E的匀强电场、磁感应强度大小为B₁的匀强磁场，AC是两板间的中心线。金属板下方存在有界匀强磁场区域EFDGH，区域内磁场的磁感应强度大小为B₂，其中EFGH为长方形，EF边长为l，EH边长为4l；A、C、F、G四点共线，E、F、D三点共线，曲线GD是以5l为半径、以AG上某点（图中未标出）为圆心的一段圆弧。现有大量比荷不同的正、负离子沿AG方向射入两金属板之间，有部分离子经F点进入下方磁场区域，比荷最大的某离子垂直EH边界穿出。已知从F点进入下方磁场的正、负离子，比荷具有相同的最大值和最小值，且由F点进入下方磁场偏向FG右侧的离子都能从边界FD射出磁场（存在临界情况）。不计离子重力及离子间的相互作用，则下列说法正确的是（　　）

A．P一定接电源正极，Q 一定接电源负极

B．从F点进入下方磁场的离子速度大小为

C．从EH边界射出的离子最大比荷是

D．从FD边界射出的离子区域长度是2.8l

4 . 如图所示，三个粒子a、b、c分别以、、的速率进入速度选择器，a粒子打在速度选择器的上极板，b和c粒子沿直线运动后进入偏转磁场，b粒子打在点，c粒子打在点，不计粒子重力，下列说法正确的是（　　）

A．上极板比下极板的电势低	B．一定有
C．a、b粒子一定都带负电	D．b粒子的比荷一定大于c粒子的比荷

5 . 如图所示为质谱仪测定带电粒子质量的装置示意图。速度选择器（也称滤速器）极板长度为L，宽度为d，电场强度为E，方向竖直向下，磁感应强度B₁方向垂直纸面向里，分离器中磁感应强度B₂的方向垂直纸面向外，小孔A在速度选择器的中线上，其孔大小可以忽略。在S处有带电量为、质量为m的同种正离子垂直于E和B₁以不同速率沿中线入射到速度选择器中，已知，速度满足某一条件的粒子经过A孔、B₂后打在接收板PQ上。下列说法正确的是（　　）

A．打在收集板上的粒子在右侧磁场B2中运动时间一定相同

B．通过A点的粒子轨迹一定相同

C．粒子要通过A点，粒子速度必须满足

D．速度的粒子可能通过A点打在收集板上

6 . 图为质谱仪的结构图，该质谱仪由速度选择器与偏转磁场两部分组成，已知速度选择器中匀强磁场的磁感应强度大小为B₁、电场强度大小为E，荧光屏PQ下方匀强磁场的方向垂直纸面向外，磁感应强度大小为B₂。三个质量均为m、电荷量不同的粒子沿竖直方向经速度选择器由荧光屏上的狭缝O进入偏转磁场，最终打在荧光屏上的S₁、S₂、S₃处，相对应的三个粒子的电荷量的绝对值分别为q₁、q₂、q₃，S₁、S₃间的距离为△x，忽略粒子所受的重力以及粒子间的相互作用。下列说法正确的是（　　）

A．三个粒子均带正电	B．粒子进入偏转磁场的速度大小是
C．q1<q2<q3	D．

8 . 如图所示，一束带电粒子以一定的初速度沿直线通过由相互正交的匀强磁场和匀强电场组成的速度选择器，然后粒子通过平板上的狭缝P进入平板下方的匀强磁场，平板下方的磁场方向如图所示。粒子最终打在平板上，粒子重力不计，则下面说法正确的是（　　）

A．粒子带负电

B．粒子打在平板上的位置离狭缝越远，粒子的比荷越小

C．能通过狭缝的带电粒子的速率等于

D．速度选择器中的磁感应强度方向垂直纸面向里

9 . 关于下列四幅图的说法正确的是（       ）

A．图甲是用来加速带电粒子的回旋加速器的示意图，要想粒子获得的最大动能增大，可增加电压U

B．图乙是磁流体发电机的结构示意图，正离子进入后会偏向B板，故A板电势高于B板电势

C．图丙是速度选择器的示意图，带电粒子（不计重力）能够沿直线从右侧进入并匀速通过速度选择器的条件是

D．图丁是质谱仪的结构示意图，粒子打在底片上的位置越靠近狭缝S3说明粒子的比荷越大

10 . 在芯片制造过程中，离子注入是其中一道重要的工序。如图所示是离子注入工作原理示意图，离子经加速后沿水平方向进入速度选择器，然后通过磁分析器，选择出特定比荷的离子，经偏转系统后注入处在水平面内的晶圆（硅片）。速度选择器和磁分析器中的匀强磁场的磁感应强度大小均为B，方向均垂直纸面向外；速度选择器和偏转系统中的匀强电场场强大小均为E，方向分别为竖直向上和垂直纸面向外。磁分析器截面是内外半径分别为R₁和R₂的四分之一圆环，其两端中心位置M和N处各有一个小孔；偏转系统中电场的分布区域是一边长为L的正方体，其底面与晶圆所在水平面平行，间距为2L。当偏转系统不加电场时，离子恰好竖直注入到晶圆上的O点。整个系统置于真空中，不计离子重力。求：
（1）离子通过速度选择器的速度大小v和磁分析器选择出来离子的比荷；
（2）偏转系统加电场时，离子从偏转系统底面飞出，注入到晶圆所在水平面的位置到O点的距离x。