1 . 一块N型半导体薄片(称霍尔元件),其横截面为矩形,体积为,如图所示。已知其单位体积内的电子数为n、电阻率为ρ、电子电荷量e,将此元件放在匀强磁场中,磁场方向沿z轴方向,并通有沿x轴方向的电流I。
(1)此元件的两个侧面中,哪个面电势高?
(2)试证明在磁感应强度一定时,此元件的两个侧面的电势差与其中的电流成正比;
(3)磁强计是利用霍尔效应来测量磁感应强度B的仪器。其测量方法为:将导体放在匀强磁场之中,用毫安表测量通以电流I,用毫伏表测量C、间的电压U, 就可测得B。若已知其霍尔系数,并测得U =0.6mV,I=3mA。试求该元件所在处的磁感应强度B的大小。
(1)此元件的两个侧面中,哪个面电势高?
(2)试证明在磁感应强度一定时,此元件的两个侧面的电势差与其中的电流成正比;
(3)磁强计是利用霍尔效应来测量磁感应强度B的仪器。其测量方法为:将导体放在匀强磁场之中,用毫安表测量通以电流I,用毫伏表测量C、间的电压U, 就可测得B。若已知其霍尔系数,并测得U =0.6mV,I=3mA。试求该元件所在处的磁感应强度B的大小。
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2016-12-08更新
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1176次组卷
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6卷引用:人教版高二选修3-2第六章 第1节 传感器及其工作原理 课时练习
人教版高二选修3-2第六章 第1节 传感器及其工作原理 课时练习2019人教版选择性必修第二册 第五章 第2节、 第3节 高考帮 作业帮 基础训练(已下线)2012-2013学年江苏省沭阳县高二下学期期中调研测试物理试卷高中物理人教版本选修3-2 第六单元《传感器》单元测试卷(已下线)2021年天津卷物理试题-计算题变试题(已下线)2021年天津卷物理T12变式题-霍尔元件-计算题