如图所示,虚线MN左侧有一场强为E1=2E的匀强电场,在两条平行的虚线MN和PQ之间存在着宽为L、电场强度为E2=3E的匀强电场,在虚线PQ右侧距PQ为L处有一与电场E2平行的屏。现将一电子(电荷量为e,质量为m,重力不计)无初速度地放入电场E1中的A点,最后电子打在右侧的屏上,A点到MN的距离为
,AO连线与屏垂直,垂足为O,求:
(1)电子到MN的速度大小;
(2)电子从释放到打到屏上所用的时间;
(3)电子刚射出电场E2时的速度方向与AO连线夹角θ的正切值tan θ;
(4)电子打到屏上的点P′到点O的距离x。
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(1)电子到MN的速度大小;
(2)电子从释放到打到屏上所用的时间;
(3)电子刚射出电场E2时的速度方向与AO连线夹角θ的正切值tan θ;
(4)电子打到屏上的点P′到点O的距离x。
![](https://img.xkw.com/dksih/QBM/2021/4/21/2704589319749632/2704736828817408/STEM/c5c61aba-b351-4fc6-9473-7b3c7faf8b4b.png?resizew=308)
更新时间:2021-04-21 19:04:04
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【推荐1】如图所示,虚线MN左侧有一场强为E1的匀强电场,在两条平行的虚线MN和PQ之间存在着宽为L、电场强度为E2的匀强电场,在虚线PQ右侧距PQ为L处有一与电场E2平行的屏,现将一电子(电荷量为e,质量为m,重力不计)无初速度地放入电场E1中的A点,最后电子打在右侧屏上的K点,已知:A点到MN的距离为
,AO连线与屏垂直,垂足为O,求:
(1)电子到MN的速度大小;
(2)若E2=3E1,电子离开电场E2时速度与水平方向的夹角的正切值多大;
(3)调节E2的大小可使K点在屏的位置发生变化,由于实际生产的需要,现要保证K点到O点的距离d满足:3L≤d≤6L,求此条件下
的范围。
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(1)电子到MN的速度大小;
(2)若E2=3E1,电子离开电场E2时速度与水平方向的夹角的正切值多大;
(3)调节E2的大小可使K点在屏的位置发生变化,由于实际生产的需要,现要保证K点到O点的距离d满足:3L≤d≤6L,求此条件下
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适中
(0.65)
【推荐2】如图所示为示波管的结构原理图,加热的阴极K发出的电子(初速度可忽略不计)经电势差为U0的AB两金属板间的加速电场加速后,从一对水平放置的平行正对带电金属板的左端中心O'点沿中心轴线O'O射入金属板间(O'O垂直于荧光屏M),两金属板间偏转电场的电势差为U,电子经偏转电场偏转后打在右侧竖直的荧光屏M上。整个装置处在真空中,加速电场与偏转电场均视为匀强电场,忽略电子所受重力和电子之间的相互作用力,不考虑相对论效应。已知电子的质量为m,电荷量为e;偏转电场的金属板长为L1,两平行金属板间距离为d,其右端到荧光屏M的水平距离为L2。求:
(1)电子离开偏转电场时的侧移量y1;
(2)电子打在荧光屏上的位置与O点的竖直距离y;
(3)在偏转电场中,若单位电压引起的偏转距离称为示波管的灵敏度,则示波管的灵敏度可表示为
。该值越大表示示波管的灵敏度越高。在示波管结构确定的情况下,为了提高示波管的灵敏度,请分析说明可采取的措施。
(1)电子离开偏转电场时的侧移量y1;
(2)电子打在荧光屏上的位置与O点的竖直距离y;
(3)在偏转电场中,若单位电压引起的偏转距离称为示波管的灵敏度,则示波管的灵敏度可表示为
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名校
【推荐3】电子束光刻技术以其分辨率高、性能稳定、功能强大而著称,其原理简化如图所示,电子枪发射的电子经过成型孔后形成电子束,通过束偏移器后对光刻胶进行曝光。某型号光刻机的束偏移器长
,间距也为
,极间有扫描电压,其轴线垂直晶圆上某芯片表面并过中心
点,芯片到束偏移器下端的距离为
。若进入束偏移器时电子束形成的电流大小为
,单个电子的初动能为
,不计电子重力,忽略其他因素的影响。
(1)若扫描电压为零,
点每秒接收的能量是多少?
(2)若某时刻扫描电压为
,电子束到达芯片时的位置离
点的距离是多少?
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(1)若扫描电压为零,
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(2)若某时刻扫描电压为
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