离子注入是芯片制造中一道重要工序,如图是其工作示意图,离子源发出质量为m的离子沿水平方向进入速度选择器,然后从M点进入磁分析器(截面为内外半径分别为和的四分之一圆环),从N点射出,M、N分别为磁分析器边界和边界的中点,接着从棱长为L的正方体偏转系统上表面中心沿竖直注入,偏转后落在与偏转系统底面平行的距离为的水平面晶圆上(O为坐标原点)。已知各器件的电场强度均为E,磁感应强度均为B,偏转系统中的电场、磁场方向与晶圆面x轴正方向同向。不计离子重力,打在晶圆上的离子,经过偏转系统的角度都很小。当很小时,有。求:
(1)离子通过速度选择器后的速度大小v及磁分析器选择出来离子的电荷量;
(2)偏转系统仅加电场时,离子在穿出偏转系统整个过程中电势能的变化量;
(3)偏转系统仅加磁场时,离子注入晶圆的位置坐标(用、及L表示)。
(1)离子通过速度选择器后的速度大小v及磁分析器选择出来离子的电荷量;
(2)偏转系统仅加电场时,离子在穿出偏转系统整个过程中电势能的变化量;
(3)偏转系统仅加磁场时,离子注入晶圆的位置坐标(用、及L表示)。
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更新时间:2023-04-14 08:16:37
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【推荐1】甲图是质谱仪的工作原理示意图。设法使某有机化合物的气态分子导入图中的A容器,使它受到单子式轰击,失去一个电子成为正一价的离子,离子从狭缝以很小的速度进入电压为U的加速电场区(初速度不计),加速后再通过狭缝从小孔G垂直于MN射入偏转磁场,该偏转磁场是一个以直线MN为上边界、方向垂直于纸面向外的匀强磁场,磁场的磁感应强度为B。离子经偏转磁场后,最终到达照相底片上的H点(图中未画出),测得G、H间的距离为d,粒子的重力可忽略不计,试求:
(1)该粒子的比荷();
(2)若偏转磁场为半径为的圆形区域,且与MN相切于G点,如图乙所示。其它条件不变。仍保证上述粒子从G点垂直于MN进入偏转磁场,最终仍然到达照相底片上的H点,则磁感应强度的比值为多少?
(1)该粒子的比荷();
(2)若偏转磁场为半径为的圆形区域,且与MN相切于G点,如图乙所示。其它条件不变。仍保证上述粒子从G点垂直于MN进入偏转磁场,最终仍然到达照相底片上的H点,则磁感应强度的比值为多少?
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【推荐2】如图为质谱仪的示意图。已知速度选择器两极板间的匀强电场场强为E,磁感应强度为B1,分离器中磁感应强度为B2。大量某种离子,经电场加速后从O平行于极板沿极板中间进入,部分离子通过小孔O′后垂直边界进入偏转磁场中,在底片上形成了宽度为x的感光区域,测得感光区域的中心P到O′点的距离为D。不计离子的重力、离子间的相互作用、小孔O′的孔径。
(1) 已知打在P点的离子,在速度选择器中沿直线运动,求该离子的速度v0和比荷;
(2) 若进入分离器的速度略有变化,求击中感光区域内离子的速度范围;
(3) 已知以v=v0±Δv的速度从O点射入的离子,其在速度选择器中所做的运动为一个速度为v0的匀速直线运动和另一个速度为Δv的匀速圆周运动的合运动,试求该速度选择器极板的最小长度L和最小宽度d。
(1) 已知打在P点的离子,在速度选择器中沿直线运动,求该离子的速度v0和比荷;
(2) 若进入分离器的速度略有变化,求击中感光区域内离子的速度范围;
(3) 已知以v=v0±Δv的速度从O点射入的离子,其在速度选择器中所做的运动为一个速度为v0的匀速直线运动和另一个速度为Δv的匀速圆周运动的合运动,试求该速度选择器极板的最小长度L和最小宽度d。
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【推荐3】如图为质谱仪工作原理图,离子从电离室A中的小孔S1逸出(初速度不计),经电压为U的加速电场加速后,通过小孔S2和S3,从磁场上边界垂直于磁场方向进入磁感应强度为B匀强磁场中,运动半个圆周后打在接收底版D上并被吸收.对于同一种元素,若有几种同位素时,就会在D上的不同位置出现按质量大小分布的谱线,经过分析谱线的条数、强度(单位时间内打在底版D上某处的粒子动能)就可以分析该种元素的同位素组成.
(1)求比荷为的粒子进入磁场的速度大小;
(2)若测得某种元素的三种同位素a、b、c打在底版D上的位置距离小孔S3的距离分别为L1、L2、L3,强度分别为P1、P2、P3,求:
①三种同位素a、b、c的粒子质量之比m1:m2:m3;
②三种同位素a、b、c在该种元素物质组成中所占的质量之比M1:M2:M3.
(1)求比荷为的粒子进入磁场的速度大小;
(2)若测得某种元素的三种同位素a、b、c打在底版D上的位置距离小孔S3的距离分别为L1、L2、L3,强度分别为P1、P2、P3,求:
①三种同位素a、b、c的粒子质量之比m1:m2:m3;
②三种同位素a、b、c在该种元素物质组成中所占的质量之比M1:M2:M3.
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【推荐1】如图所示,截面半径为l的圆柱形空腔位于三维坐标系Oxyz中,分为I、II、III三个区域。的I区域内有沿y轴正方向的匀强磁场;的II区域内有沿y轴正方向的匀强电场;III区域内同时存在沿z轴正方向的匀强电场和匀强磁场,电场强度与II区域相等。现有一带电粒子从点,以大小为的速度垂直磁场进入I区域,经点沿着z轴进入II区域,然后经过点进入III区域,粒子恰好未从圆柱腔的侧面射出,最终从右边界上点离开区域III。已知粒子的质量为m,电荷量为+q,不计粒子重力,求:
(1)I区域磁感应强度的大小B;
(2)II区域电场强度的大小E;
(3)III区域沿z轴的宽度L。
(1)I区域磁感应强度的大小B;
(2)II区域电场强度的大小E;
(3)III区域沿z轴的宽度L。
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【推荐2】在直角坐标系xOy中,A(-0.3,0)、C是x轴上的两点,P点的坐标为(0,0.3)。在第二象限内以D(-0.3,0.3)为圆心、0.3m为半径的圆形区域内,分布着方向垂直xOy平面向外、磁感应强度大小为B=0.1T 的匀强磁场;在第一象限三角形OPC之外的区域,分布着沿y轴负方向的匀强电场。现有大量质量为m=3×10-9kg、电荷量为q=1×10-4C的相同粒子,从A点平行xOy平面以相同速率、沿不同方向射向磁场区域,其中沿AD方向射入的粒子从P点进入电场,经电场后恰好通过C点。已知α=37°,不考虑粒子间的相互作用及其重力,求:
(1)粒子的初速度大小;
(2)电场强度E的大小;
(3)粒子穿越x正半轴的最大横坐标。
(1)粒子的初速度大小;
(2)电场强度E的大小;
(3)粒子穿越x正半轴的最大横坐标。
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【推荐3】如图甲所示,在xOy平面的第三象限内有一个粒子发射装置S,它可以向第一象限0°~90°范围内的不同方向发射速率为v0=1.0×103m/s,比荷为=1×105C/kg的大量带负电粒子。现在x轴上方的某区域内加一个匀强磁场,使所有粒子经过磁场后能在0≤y≤0.1m的范围内沿x轴正向运动.粒子越过磁场区域后进入一个由平行板电容器MN所产生的正方形电场区域,电容器两极板上的电压随时间变化的图象如图乙所示,已知电容器的左右两端位于x1=0.15m,x2=0.25m处,上下两端位于y1=0.1m、y2=0m处,在x=0.3m处有一个平行于y轴的荧屏L,粒子打到荧光屏后能够发光。若所有粒子的运动轨迹都在一行于纸面的平面内,且不计粒子的重力、粒子间的相互作用及粒子落在极板和荧光屏上对电压的影响.求:
(1)偏转磁场的感应强度;
(2)偏转磁场在图中坐标系中分布的最小面积(结果保留两位有效数字);
(3)电容器两极板间有电压和无电压时荧光屏上平行于y轴方向发光长度的比值。
(1)偏转磁场的感应强度;
(2)偏转磁场在图中坐标系中分布的最小面积(结果保留两位有效数字);
(3)电容器两极板间有电压和无电压时荧光屏上平行于y轴方向发光长度的比值。
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