【推荐1】如图所示，虚线的下方存在水平向右的匀强电场。一质量为、电荷量为的带负电小球从点开始做平抛运动，正好从与点水平距离为的点进入电场。直线是电场中的等势面，点是运动轨迹上距离直线最远的一点，到直线距离为。小球经过时速度的大小为它在点初速度大小的倍。求：
（1）小球从到的时间与从到的时间之比；
（2）匀强电场的电场强度的大小。

【推荐2】如图所示，在光滑的水平面内存在沿y轴方向的匀强电场，质量为m的带电量为q（q>0）的带电小球以某一速度从O点出发后，恰好通过A点，已知小球通过A点的速度大小为，方向沿x轴正方向，连线与Ox轴夹角为37°。已知sin37°=0.6，求：
（1）小球从O点出发时的速度大小；
（2）OA之间的电势差。

【推荐3】在芯片制造过程中，离子注入是其中一道重要的工序。为了准确的注入离子，需要在一个有限空间中用电磁场对离子的运动轨迹进行调控。现在我们来研究一个类似的模型。在空间内存在边长的立方体，以O为坐标原点，沿和方向分别建立x、y、z轴。在面的中心M处存在一粒子发射源，可在底面内平行于底面沿任意方向发射初速度，比荷的带正电粒子。在区域内施加一定的匀强电场或者匀强磁场，使粒子可以达到相应的空间位置。不计重力，则：
（1）在立方体内施加沿y轴正向的匀强电场，使粒子垂直于AC边射出的粒子从边中点离开，求施加电场的电场强度E的大小；
（2）在立方体内施加沿y轴正向的匀强磁场，若磁感应强度大小为，求粒子在磁场中运动时间的最小值和最大值；（结果可用π表示）
（3）在第（2）问的基础上再加上沿y轴正向的匀强电场，电场强度为。通过计算判断，第（2）问中最小时间和最大时间所对应的粒子能否从面飞出。