如图所示,一块长为a、宽为b、高为c的长方体半导体器件,其内载流子数密度为n,沿方向通有恒定电流。在空间中施加一个磁感应强度为B、方向沿方向的匀强磁场,半导体上、下表面之间产生稳定的电势差U,下列说法正确的是( )
A.若载流子为正电荷,则上表面电势高于下表面电势 |
B.若载流子为正电荷,其所带电荷量为 |
C.半导体内载流子所受沿z方向电场力的大小为 |
D.电势差U与载流子数密度n成正比 |
更新时间:2023-05-15 00:46:11
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【知识点】 霍尔效应的相关计算
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【推荐1】如图所示是霍尔元件的工作原理示意图,如果用d表示薄片的厚度,k为霍尔系数,对于一个霍尔元件d、k为定值,如果保持I恒定。则可以验证UH随B的变化情况。以下说法中正确的是( )
A.磁感应强度B增大时,UH将变大 |
B.改变磁感线与薄片的夹角,UH将减小 |
C.在测定地球两极的磁场强弱时,薄片应保持水平 |
D.在测定地球赤道上的磁场强弱时,薄片应保持水平 |
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【推荐2】如图所示是霍尔元件的工作原理示意图,磁场垂直于霍尔元件的工作面向上,通入图示方向的电流I,C、D两侧面间会产生电势差,下列说法中正确的是( )
A.电势差的大小仅与磁感应强度有关 |
B.若霍尔元件的载流子是正电荷,则电势 |
C.仅增大电流I时,电势差变大 |
D.在测定地球赤道上方的地磁场强弱时,元件的工作面应保持水平 |
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