如图所示,水平边界1、2间有沿水平方向的匀强磁场,质量为m、电阻为R、边长为L的正方形金属线框ACDE在磁场正上方的某一高度处由静止释放,AC边进磁场与AC边出磁场时的速度相等。金属线框运动过程中,始终在垂直于磁场的竖直面内,AC边始终水平,磁场宽度为d,且d大于L,则下列判断正确的是( )
A.AC边进磁场时,安培力功率小于重力功率 |
B.AC边出磁场时,安培力功率大于重力功率 |
C.线框穿过磁场产生的焦耳热大小为2mgd |
D.线框由静止释放的位置越高,则线框进磁场过程通过线框某一横截面的电荷量越多 |
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更新时间:2023-05-19 21:41:17
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【推荐1】如图所示,一个边长为L的正方形线圈置于边界水平的匀强磁场上方L处,磁场宽也为L,方向垂直纸面向里,由静止释放线圈且线圈平面始终与磁场方向垂直。如果从线圈的一条边刚进入磁场开始计时,下列关于通过线圈横截面的电荷量q、感应电流i、线圈运动的加速度a、线圈具有的动能 随时间变化的图像中,可能正确的是( )
A. | B. |
C. | D. |
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【推荐2】如图所示,间距为的水平边界MN、PQ之间存在垂直于纸面向外的匀强磁场,“日”字型线框位于磁场区域上方某一高度,线框三条短边ab、ef,cd的长度均为、电阻均为R,ac、bd长度均为、电阻不计,ef位于线框正中间。若线框由静止释放,时刻cd边进入磁场且恰好匀速运动,则整个线框通过磁场区域的过程中,线框的速度大小v,a、b两点之间电势差,流过ab边的电流强度,边产生的焦耳热随时间的变化图像正确的是( )
A. | B. |
C. | D. |
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【推荐1】如图所示,在绝缘光滑水平面上存在有界匀强磁场,磁场的宽度为,边长为L的正方形导体框以初速度滑行进入磁场,当边刚进入磁场时线框的速度为,当边离开右侧边界的瞬间速度为,以下说法正确的是( )
A.导体框进入磁场过程和离开磁场过程中流过导体横截面的电荷量大小相等 |
B.导体框进入磁场过程中导体框的加速度逐渐减小 |
C.导体框进入磁场过程中产生的热量等于导体框离开磁场过程中产生的热量 |
D. |
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【推荐2】如图所示,光滑绝缘斜面的倾角,垂直于斜面的虚线与之间有垂直纸面向里的匀强磁场,磁感应强度.边长的正方形导线框质量,各边电阻相等,总电阻为,置于斜面上,距的距离是,由静止开始沿斜面下滑,已知与的间距为,取,则线框在下滑过程中( )
A.边刚过时,线框中电动势为 |
B.边刚过时,线框中电动势为 |
C.边刚过与刚过时,两点间的电压之比为 |
D.从下滑开始到边刚过的过程中,线框中产生的热量为 |
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【推荐3】如图所示,两水平虚线间存在垂直于纸面方向的匀强磁场,磁感应强度大小为B,边长为h的正方形导体框由虚线1上方无初速度释放,在释放瞬间边与虚线1平行且相距。已知导体框的质量为m,总电阻为,重力加速度为边与两虚线重合时的速度大小均为,忽略空气阻力,导体框在运动过程中不会发生转动,则( )
A.两虚线的距离为 |
B.导体框在穿越磁场的过程中,产生的焦耳热为 |
C.导体框的边与虚线1重合时,其克服安培力做功的功率大小为 |
D.导体框从边与虚线1重合到边与虚线1重合时所用的时间为 |
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【推荐1】如图所示,在光滑绝缘水平面上,一矩形线圈以速度v1开始进入磁场,离开磁场区域后速度为v2。已知磁场区域宽度大于线圈宽度,则线圈( )
A.进、出磁场过程通过截面的电荷量不同 |
B.线圈在磁场中匀速运动的速度为 |
C.进、出磁场过程线圈中感应电流的方向相同 |
D.进磁场过程中线圈产生的焦耳热Q1大于出磁场中产生的焦耳热Q2 |
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【推荐2】如图所示,垂直纸面向外的正方形匀强磁场区域内,有一位于纸面的、电阻均匀的正方形导体框abcd,现将导体框分别向两个方向以、的速度匀速拉出磁场,则导体框从两个方向移出磁场的过程中( )
A.导体框ad边两端电势差相同 |
B.通过导体框截面的电量相同 |
C.导体框中产生的焦耳热相同 |
D.导体框中产生的感应电流方向相同 |
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