AlN、GaN属于第三代半导体材料，二者成键结构与金刚石相似，晶体中只存在N-Al键、N-Ga键。下列说法正确的是
| A．熔点高低：GaN>AlN | B．电负性大小：χ(Al)<χ(Ga) |
| C．离子半径大小：r(Al3+)>r(Ga3+) | D．晶体中所有原子的配位数均相同 |
更新时间：2022-11-11 15:01:09
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【推荐1】下列说法不正确的是
| Si | P | S | Cl | Ar |
| Ge | As | Se | Br | Kr |
| Sn | Sb | Te | I | Xe |
| Pb | Bi | Po | At | Rn |
| A．稳定性：HBr＜HI＜HAt |
| B．酸性：H3PO4＜H2SO4＜HClO4 |
| C．原子半径：Sn＞As＞S |
| D．表中元素Pb的金属性最强 |
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【推荐2】已知X、Y、Z、W为原子序数依次增大的短周期主族元素，其中仅X和Z同主族，X的最外层电子数是次外层电子数的一半，W的地壳中含量最多的金属，X、Y、Z、W的最外层电子数之和为10.下列叙述错误的是
| A．最高价氧化物对应水化物的碱性强弱：Z>X |
| B．简单离子半径：Z>W>Y |
| C．W的氧化物是两性化合物 |
| D．Y的最高价氧化物对应水化物与Y的简单氢化物反应生成的化合物中含有离子键、共价键 |
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【推荐1】鲍林的电负性是以最活泼的非金属元素作为标度计算出来的，该元素是( )
| A．氧 | B．氯 | C．氟 | D．硫 |
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【推荐2】有X、Y两种主族元素，下列有关预测不正确的是
| A．若X的I1小于Y的I1，则X的金属性不一定比Y的强 |
| B．若X、Y的电负性之和小于3，则X、Y均为金属元素 |
| C．若X、Y的电负性之差为2.2，则X、Y形成的化合物很可能是离子化合物 |
| D．若X、Y的最高价氧化物对应的水化物的化学式分别为HXO3、H3YO4，则X、Y均位于元素周期表的p区 |
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【推荐1】以下分子或离子的结构为正四面体形且键与键夹角为109°28′的是
①CH4 ②SiCl4 ③CH3Cl ④P4
①CH4 ②SiCl4 ③CH3Cl ④P4
| A．①②④ | B．①②③④ | C．①② | D．①③ |
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【推荐2】能用共价键键能大小解释的是
| A．熔点：I2＞Cl2 | B．熔点：NaCl＞NaI |
| C．沸点：HI＞HCl | D．热稳定性：HCl＞HI |
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到淀粉的全合成，其部分合成路线如下：
为阿伏加德罗常数的值。下列说法不正确的是
键角大于甲醇分子中
含有的电子数为
与M的混合物中所含氧原子数为
来表示，二者互为同分异构体
