氮化硅(Si3N4)薄膜是一种性能优良的重要介质材料，常用于集成电路制造中的介质绝缘。一种以硅块(主要含Si，杂质为少量Fe、Cu的单质及化合物)为原料制备氮化硅的工艺流程如下：
已知：ⅰ.硅的熔点是1420℃，高温下氧气及水蒸气能明显腐蚀氮化硅；
ⅱ.氮化炉中反应为
。
下列说法错误的是
已知：ⅰ.硅的熔点是1420℃，高温下氧气及水蒸气能明显腐蚀氮化硅；
ⅱ.氮化炉中反应为
。下列说法错误的是
| A．硅块粉碎能有效提高合成氮化硅的反应速率 |
| B．铜屑的作用是除去N2中含有的少量O2 |
| C．“酸洗”中稀酸X可以选用氢氟酸 |
| D．合成过程中应严格控制N2的流速以控制氮化炉中的温度 |
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福建省泉州市培元中学2023-2024学年高三上学期12月月考化学试题（已下线）题型06 化工微流程-2024年高考化学二轮热点题型归纳与变式演练（新高考通用）湖南省长沙市长郡中学2024届高三上学期月考（2）化学试题
更新时间：2023-10-04 20:32:32
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【推荐1】下列离子方程式的书写正确的是
A．水玻璃中通入过量二氧化碳：Na2SiO3+CO2+H2O =2Na＋+CO +H2SiO3↓ |
| B．Na2O2加入H218O中：2Na2O2+2H218O=4Na＋+4OH－+18O2↑ |
| C．硅与氢氟酸的反应：Si+4H＋+4F－=SiF4↑+2H2↑ |
D．过量CO2通入氢氧化钙溶液中：CO2+OH－=HCO |
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名校
【推荐2】下列关于元素及其化合物的性质说法不正确的是
| A．Si粉加入浓盐酸中可转化为SiHCl3 |
| B．FeCl3溶液滴入沸水中可转化为Fe(OH)3胶体 |
| C．葡萄糖在酶的作用下可转化为乙醇 |
| D．K2CrO4溶液加硫酸可转化为K2Cr2O7 |
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＋2Cl－
＝
＋2H2↑
单选题
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名校
【推荐1】硝酸镉晶体[Cd(NO3)2·4H2O]常用于瓷器上色。以镉黄废料(主要含CdS，含少量的FeO、Al2O3、SO2)为原料制备硝酸镉晶体的流程如图所示。下列说法不正确的是
| A．“酸溶”时，硝酸的作用之一是作氧化剂 |
| B．“酸溶”时温度越高，酸溶效率越高 |
| C．“滤渣2”中含有Fe(OH)3、A1(OH)3 |
| D．获得硝酸镉晶体时，需采用低温烘干 |
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单选题
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适中
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【推荐2】湿法制备高铁酸钾的过程：①将制得的Cl2通入一定体积分数的KOH溶液中得到KClO溶液；②将KOH固体溶解在①中得到的KClO溶液中，加入一定质量的Fe(NO3)3·9H2O，搅拌得到K2FeO4溶液，继续加KOH固体至溶液饱和；③减压过滤，滤渣经一系列操作得到K2FeO4晶体。已知K2FeO4性质：低温、碱性环境稳定；具有强氧化性，能氧化烃、苯胺和80%以下的乙醇溶液。下列说法正确的是
| A．②中两次使用KOH固体的作用相同 |
| B．③中一系列操作含洗涤，洗涤时可用75%乙醇溶液 |
| C．K2FeO4消毒净水过程均利用它的氧化性 |
| D．制备过程中涉及的主要化学反应都是氧化还原反应 |
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单选题
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解题方法
【推荐3】二氧化锗常用作有机反应的催化剂以及制备半导体的原料。某大型化工厂提纯二氧化锗废料(主要含GeO2、AS2O3)的工艺如图，下列有关说法正确的是
已知：①GeO2与碱反应生成Na2GeO3；AS2O3与碱反应生成NaASO2；
②GeCl4的熔点−49.5℃，沸点为85℃，极易发生水解
已知：①GeO2与碱反应生成Na2GeO3；AS2O3与碱反应生成NaASO2；
②GeCl4的熔点−49.5℃，沸点为85℃，极易发生水解
| A．Ge在周期表中位于第四周期第ⅥA族 |
B．“氧化”时，离子反应为ASO +H2O2+2OH-=ASO +2H2O |
| C．“操作1”是蒸馏，“操作2”所用仪器主要为玻璃棒、漏斗、烧杯 |
| D．“操作1”加入的盐酸为7mol/L，若改成1mol/L可节省原料同时不影响产率 |
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