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解题方法
1 . 已知短周期元素M、N、X、Y、Z分布在三个周期,N、X最外层电子数相同,Z原子序数大于X,其中Z的简单离子半径在同周期中最小,X单质极易与常见无色无味液态物质发生置换反应且做氧化剂,在短周期中Y的最高价氧化物对应水化物的碱性最强。回答下列问题:
(1)Y在周期表中的位置是_______ ,写出YM的电子式:_______ 。
(2)N、X、Y、Z简单离子的半径由大到小的顺序(用对应离子符号表示):_______ 。
(3)在与YX的混合液中,通入足量,是工业制取的一种方法,写出该反应的化学方程式:_______ 。
(4)镓(31Ga)的化合物氮化镓(GaN)和砷化镓(GaAs)作为第三代半导体材料,具有耐高温、耐高电压等特性,随着5G技术的发展,它们的商用价值进入“快车道”。
①下列有关说法正确的是_______ 。
a.Ga位于元素周期表第四周期ⅣA族
b.Ga为门捷列夫预言的“类铝”
c.Ga的最高价氧化物对应水化物的碱性比Z元素最高价氧化物对应水化物的碱性强
d.酸性:
②废弃的含GaAs的半导体材料可以用浓硝酸溶解,放出气体,同时生成和,写出该反应的化学方程式为_______ 。
(5)是有机合成的重要还原剂,其合成路线如图所示。
利用遇水反应生成的氢气的体积测定样品纯度。
①其反应的化学方程式为_______ 。
②取样品a g,若实验测得氢气的体积为V mL(标准状态),则样品纯度为_______ (用代数式表示)。
(1)Y在周期表中的位置是
(2)N、X、Y、Z简单离子的半径由大到小的顺序(用对应离子符号表示):
(3)在与YX的混合液中,通入足量,是工业制取的一种方法,写出该反应的化学方程式:
(4)镓(31Ga)的化合物氮化镓(GaN)和砷化镓(GaAs)作为第三代半导体材料,具有耐高温、耐高电压等特性,随着5G技术的发展,它们的商用价值进入“快车道”。
①下列有关说法正确的是
a.Ga位于元素周期表第四周期ⅣA族
b.Ga为门捷列夫预言的“类铝”
c.Ga的最高价氧化物对应水化物的碱性比Z元素最高价氧化物对应水化物的碱性强
d.酸性:
②废弃的含GaAs的半导体材料可以用浓硝酸溶解,放出气体,同时生成和,写出该反应的化学方程式为
(5)是有机合成的重要还原剂,其合成路线如图所示。
利用遇水反应生成的氢气的体积测定样品纯度。
①其反应的化学方程式为
②取样品a g,若实验测得氢气的体积为V mL(标准状态),则样品纯度为
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