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解析
| 共计 246 道试题
1 . 关于静电力、安培力与洛伦兹力,下列说法正确的是(  )
A.电荷放入静电场中一定会受静电力,静电力的方向与该处电场强度的方向相同
B.通电导线放入磁场中一定受安培力,安培力越大说明该处磁场越强
C.电荷放入磁场中就会受到洛伦兹力,洛伦兹力的方向与该处磁场方向垂直
D.当电荷的速度方向与磁场方向垂直时受到的洛伦兹力最大,方向与磁场方向垂直
2024-04-16更新 | 199次组卷 | 1卷引用:江苏省扬州市新华中学2023-2024学年高二下学期3月月考物理试卷
23-24高二下·江西吉安·阶段练习
2 . 如图所示,两根通电导线沿垂直纸面的方向放置,导线中通有电流,电流的方向图中未画出,点为两导线垂直纸面连线的中点,两点关于点对称,两点关于点对称,将一段通有垂直纸面向外的电流的直导线放在点时所受的磁场力为零,放在点时所受的磁场力水平向右,则下列说法正确的是(       

A.中的电流方向向外、中的电流方向向里
B.
C.通电直导线垂直纸面放在点时所受的磁场力为零
D.通电直导线垂直纸面放在两点时所受的磁场力相同
2024-03-29更新 | 368次组卷 | 3卷引用:物理(江苏卷03)-2024年高考押题预测卷
3 . 有多个相同矩形闭合线圈(线圈1,线圈2,线圈3,…)固定在一绝缘杆上。每个线圈电阻为R,相互靠近排列、彼此绝缘,相邻线圈之间的距离可忽略。线圈和绝缘杆的总质量为m,每个线圈的长边长为L,如图所示。现将整个装置静置在足够长的光滑斜面上,斜面倾角为,在以MN为边界的斜面下方存在一匀强磁场区域,磁场方向垂直斜面向上,磁感应强度大小为B。开始时线圈从斜面上某一位置由静止释放,下滑过程中线圈长边始终与MN平行。已知线圈1刚进磁场瞬间的加速度为未进入磁场时的3倍,线圈进入磁场时间后开始做匀速运动。重力加速度取g,求
(1)开始时线圈1下边缘与MN的距离;
(2)从线圈1刚进入磁场到开始做匀速运动过程中,线圈和绝缘杆所受的平均作用力。

2024高三下·江苏·专题练习
解答题 | 较易(0.85) |
4 . 如图(a),直导线MN被两等长且平行的绝缘轻绳悬挂于水平轴OO′上,其所在区域存在方向垂直指向OO′的磁场,与OO′距离相等位置的磁感应强度大小相等且不随时间变化,其截面图如图(b)所示。导线通以电流I,静止后,悬线偏离竖直方向的夹角为θ。证明sinθ与电流I成正比。
2024-03-27更新 | 135次组卷 | 1卷引用:大题02 力与物体的平衡-【大题精做】冲刺2024年高考物理大题突破+限时集训(江苏专用)
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单选题-单题 | 较易(0.85) |
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5 . 长为的水平直导线静止于竖直向下的匀强磁场中,磁感应强度大小为,导线中电流的大小为,方向如图所示,绝缘悬线与竖直方向夹角均为,则导线受到的安培力大小为(  )

A.B.C.D.
6 . 如图所示,宽为l的光滑导轨与水平面成α角,质量为m、长为l的金属杆水平放置在导轨上。空间存在着匀强磁场,当回路中电流为I时,金属杆恰好能静止。匀强磁场磁感应强度大小不可能是下列的(  )

A.B.C.D.
2024-03-10更新 | 807次组卷 | 2卷引用:2024届江苏省镇江市高三下学期期初适应性练习物理试卷
7 . 在匀强磁场中有粗细均匀的同种导线制成的“花瓣”形线框,磁场方向垂直于线框平面,ac两点接一直流电源,电流方向如图所示。已知abc边受到的安培力大小为F,则整个线框所受安培力大小为(  )
A.5FB.6FC.D.
8 . 如图是学生常用的饭卡内部实物图,其由线圈和芯片组成电路,当饭卡处于感应区域时,刷卡机会激发变化的磁场,从而在饭卡内线圈中产生感应电流来驱动芯片工作,已知线圈面积为,共匝,某次刷卡时,线圈平面与磁场垂直,且全部处于磁场区域内,在感应时间内,磁感应强度方向向外且由0均匀增大到,此过程中(       

A.线框中磁通量变化率为
B.线框中产生周期性变化的顺时针方向的感应电流
C.边所受安培力方向向左
D.线框中感应电动势大小为
9 . 如图是某磁场部分区域的磁感线分布(图线关于水平虚线对称),是其内两点.则(       
A.两点的磁感应强度大小不等,且
B.同一通电导线放在处所受磁场力一定大于放在处所受磁场力
C.点位置无磁感应线所以该点处磁感应强度为0
D.点的磁感应强度的方向即为放在该点的通电直导线所受的磁场力的方向
2024-02-08更新 | 116次组卷 | 1卷引用:江苏省响水中学2023-2024学年高二上学期期末考试物理试题
10 . 如图所示,金属杆 ab处在磁感应强度为B的匀强磁场中,磁场方向与导轨平面成θ角斜向上,ab静止于水平导轨上,与导轨垂直,长度为L。则关于金属杆所受安培力的大小,下列表述中正确的是(  )
A.BILB.BIL cosθC.BIL sinθD.BIL tanθ
共计 平均难度:一般