13. 在芯片制造过程中,离子注入是芯片制造重要的工序。甲图是我国自主研发的离子注入机,乙图是离子注入机的部分工作原理示意图。从离子源发出的离子经电场加速后沿水平方向先通过速度选择器,再进入磁分析器,磁分析器是中心线半径为
R的四分之一圆环,其两端中心位置
M和
N处各有一个小孔,利用磁分析器选择出特定比荷的离子后经
N点打在硅片(未画出)上,完成离子注入。已知速度选择器和磁分析器中的匀强磁场的磁感应强度大小均为
B、方向均垂直纸面向外;速度选择器中匀强电场的电场强度大小为
E。整个系统置于真空中,不计离子重力。求:
(1)能从速度选择器中心线通过的离子的速度大小
v;
(2)能通过
N打到硅片上的离子的比荷
,并判断该离子的带电性质。