如图所示，M、N为水平固定的带电平行金属板，板间有垂直纸面向外的匀强磁场I，右侧置一绝缘圆形容器，圆心为O，半径为r，容器内存在垂直纸面向外的匀强磁场II。一电荷量为+q、质量为m的带电粒子以速度
水平射入金属板，沿中轴线运动一段时间后经小孔G水平进入容器，与器壁碰撞1次后从容器上的Q点射入匀强电场III，偏转后从与Q点等高的P点水平离开电场。图中匀强电场III宽为L、方向与水平面成β角，GO位于中轴线上，α=120°，β=30°。假设带电粒子与器壁碰撞后电量无损失、速度等大反向，粒子重力不计。
(1)判断M极板的电性并求圆形容器内磁感应强度B1的大小；
(2)求匀强电场III的电场强度大小E及Q与P两点间的电势差UQP；
(3)若容器只有一个小孔G，欲使从小孔G进入容器的粒子沿器壁多次碰撞一圈后仍能从小孔射出，试写出磁感应强度Bk的大小与粒子碰撞次数k的关系。
水平射入金属板，沿中轴线运动一段时间后经小孔G水平进入容器，与器壁碰撞1次后从容器上的Q点射入匀强电场III，偏转后从与Q点等高的P点水平离开电场。图中匀强电场III宽为L、方向与水平面成β角，GO位于中轴线上，α=120°，β=30°。假设带电粒子与器壁碰撞后电量无损失、速度等大反向，粒子重力不计。(1)判断M极板的电性并求圆形容器内磁感应强度B1的大小；
(2)求匀强电场III的电场强度大小E及Q与P两点间的电势差UQP；
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更新时间：2021-02-07 01:31:25
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【知识点】 粒子由电场进入磁场
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【推荐1】在芯片制造过程中，离子注入是其中一道重要的工序。离子注入工作原理的示意图如图所示。静止于A处的离子，经电压为
的加速电场加速后，沿图中半径为
的虚线通过
圆弧形静电分析器（静电分析器通道内有均匀辐向分布的电场）后，从
点沿直径
方向进入半径也为的圆柱形、方向垂直于纸面向外的匀强磁场区域，离子经磁场偏转，最后打在竖直放置的硅片上的M 点（图中未画出）时，其速度方向与硅片所成锐角为60°。已知离子的质量为
，电荷量为
，不计重力。求：
（1）离子进入圆形匀强磁场区域时的速度v0和静电分析器通道内虚线处电场强度的大小E；
（2）匀强磁场的磁感应强度
的大小。
的加速电场加速后，沿图中半径为的虚线通过圆弧形静电分析器（静电分析器通道内有均匀辐向分布的电场）后，从点沿直径方向进入半径也为的圆柱形、方向垂直于纸面向外的匀强磁场区域，离子经磁场偏转，最后打在竖直放置的硅片上的M 点（图中未画出）时，其速度方向与硅片所成锐角为60°。已知离子的质量为，电荷量为，不计重力。求：（1）离子进入圆形匀强磁场区域时的速度v0和静电分析器通道内虚线处电场强度的大小E；
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【推荐2】如图所示，在直角坐标系中，在第三象限有一平行x轴放置的平行板电容器，板间电压U=200V。现有一质量m=1.0×10－10kg，带电荷量q=＋1.0×10－8C的粒子(不计重力)，从下极板处由静止开始经电场加速后通过上极板上的小孔，垂直x轴从A点进入第二象限的匀强电场中，电场方向水平向右。粒子在电场中从B点与y轴成45°进入第一象限，第一象限中有向外的匀强磁场，粒子随后垂直经过x轴上的C点，已知OC=(2＋2
)m。求：
(1)粒子在磁场中做匀速圆周运动的半径r；
(2)匀强电场场强E的大小；
(3)匀强磁场B的大小。
)m。求：(1)粒子在磁场中做匀速圆周运动的半径r；
(2)匀强电场场强E的大小；
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