如图所示,在光滑绝缘的水平面上方有两个方向相反的沿水平方向的匀强磁场,
为两磁场的边界,磁场范围足够大,磁感应强度的大小分别为
和
。一个竖直放置的边长为L、质量为m、电阻为R的正方形金属线框以初速度v沿垂直于磁场方向从图中实线位置开始向右运动,当线框运动到在每个磁场中各有一半的面积时,线框的速度为
,则下列判断正确的是( )
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A.此过程中通过线框截面的电荷量为![]() |
B.此过程中线框克服安培力做的功为![]() |
C.此时线框中的电功率为![]() |
D.此时线框的加速度大小为![]() |
21-22高二下·山东临沂·期中 查看更多[2]
更新时间:2022-05-14 13:25:54
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【推荐1】如图所示,边长为
的正方形
区域内,以对角线
为分界线分布着磁感应强度大小均为B、方向不同的匀强磁场,分界线左下方的磁场方向垂直纸面向里,右上方的磁场方向垂直纸面向外。直角边长度为L、阻值为R的等腰直角三角形单匝金属线框
,
边与正方形的
边在同一直线上,
边与正方形的
边平行。金属线框
以速度v匀速通过正方形
区域,金属线框的
边刚进入
边时计为0时刻,在线框穿过
区域的全过程中,下列说法正确的是( )
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![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/892909e49156f7dcc0650fcd65243877.png)
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A.![]() ![]() |
B.当![]() ![]() ![]() |
C.当![]() ![]() ![]() |
D.在![]() ![]() |
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【推荐2】如图所示,在光滑的水平面上方,有两个磁感应强度大小均为B,方向相反的水平匀强磁场,PQ为两个磁场的理想边界,磁场范围足够大。一个边长为a、质量为m、电阻为R的单匝正方形金属线框,以速度v垂直磁场方向从如图实线位置Ⅰ开始向右运动,当线框运动到分别有一半面积在两个磁场中的位置Ⅱ时,线框的速度为
,则下列说法错误的是( )
![](https://img.xkw.com/dksih/QBM/2021/6/18/2745860565204992/2746225118380032/STEM/0f9a1f51-ace9-440b-ab64-fcae19dcd41c.png?resizew=363)
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/42e36c53355664937aa548031db22e58.png)
![](https://img.xkw.com/dksih/QBM/2021/6/18/2745860565204992/2746225118380032/STEM/0f9a1f51-ace9-440b-ab64-fcae19dcd41c.png?resizew=363)
A.在位置Ⅱ时线框中的电功率为![]() |
B.此过程中回路产生的电能为![]() |
C.在位置Ⅱ时线框的加速度为![]() |
D.此过程中通过导线横截面的电荷量为![]() |
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【推荐1】边长为 L 的正方形线框abcd电阻为 R ,以速度v匀速进入边长为L的正方形区域,该区域中磁场方向如图所示,磁感应强度大小均为 B ,则线框进入的过程中( )
![](https://img.xkw.com/dksih/QBM/2017/5/31/1698863763423232/1748942714929152/STEM/664bccbd-4320-4f8f-be56-5b60eea39681.png?resizew=274)
![](https://img.xkw.com/dksih/QBM/2017/5/31/1698863763423232/1748942714929152/STEM/664bccbd-4320-4f8f-be56-5b60eea39681.png?resizew=274)
A.线框中产生的感应电流方向不变 |
B.线框刚进入磁场瞬间ab两点间电势差![]() |
C.线框进入![]() ![]() |
D.线框进入![]() ![]() |
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适中
(0.65)
名校
【推荐2】如图所示,倾角为θ的光滑绝缘斜面处于匀强磁场中,磁场方向垂直于斜面向上且范围足够大,PQ为磁场的水平上边界。a、b为边长分别为2L、L的单匝正方形线框,线框材料相同、导体粗细相同且均匀。MN与PO平行,线框下边ef、
置于斜面MN处由静止释放,b的下边
刚进入磁场时做匀速运动,则( )
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/03510a587bbd69b9c7f0e02a035212f2.png)
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/03510a587bbd69b9c7f0e02a035212f2.png)
![](https://img.xkw.com/dksih/QBM/editorImg/2023/7/12/e525a4f1-c473-4467-80c1-d4d392b73a7a.png?resizew=183)
A.a、b线框刚进入磁场时的电流之比为1:1 |
B.线框a穿过PQ过程做减速运动 |
C.a、b线框穿过PQ过程,通过导体的电量相等 |
D.线框a穿过PQ过程产生的焦耳热较多 |
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适中
(0.65)
名校
【推荐3】如图所示,矩形abcd区域内有磁感应强度为B的匀强磁场,磁场方向垂直光滑水平桌面向里,桌面上有一面积为S、匝数为N、电阻为R的正方形闭合线圈,静止在ab边左侧,某时刻,给线圈一垂直于ab边的初速度使线圈进入矩形abcd内部,当线圈的左边框刚离开cd边时速度恰好为零,下面说法正确的是( )
![](https://img.xkw.com/dksih/QBM/2022/3/4/2928784368156672/2928857282297856/STEM/f5f2d248-472d-48b0-b220-825744fdcd18.png?resizew=146)
![](https://img.xkw.com/dksih/QBM/2022/3/4/2928784368156672/2928857282297856/STEM/f5f2d248-472d-48b0-b220-825744fdcd18.png?resizew=146)
A.线圈通过ab边过程中,线圈做匀减速运动 |
B.线圈通过cd边过程中,克服安培力做功等于产生的焦耳热 |
C.线圈通过ab边过程中,流过线圈截面的电荷量为![]() |
D.线圈完全进入矩形abcd区域后,速度大小为初速度的一半 |
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