在芯片制造过程中,离子注入是芯片制造重要的工序。图a是我国自主研发的离子注入机,图b是简化的注入过程原理图。静止于A处的离子,经电压为
的电场加速后,沿图中半径为
的圆弧虚线通过磁分析器,然后从
点垂直
进入矩形CDQS有界匀强电场中,最后恰好打在
点,已知磁分析器截面是四分之一圆环,内部为匀强磁场,方向垂直纸面向里;矩形区域内匀强电场水平向左,
,
。整个装置处于真空中,离子的质量为
、电荷量为
,离子重力不计。求:
(1)离子进入匀强电场区域
点时的速度大小
及磁分析器通道内磁感应强度大小
;
(2)矩形区域内匀强电场场强大小
。
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(1)离子进入匀强电场区域
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(2)矩形区域内匀强电场场强大小
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更新时间:2022-11-24 18:40:43
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(1)该离子进入平行板之前的速度为多大?
(2)平行板间的电压U2的取值为多大。
(1)该离子进入平行板之前的速度为多大?
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