【推荐1】如图所示，理想边界OM与ON之间分布着磁感应强度为B的匀强磁场，磁场的方向垂直于纸面向里，在的角平分线上有一粒子源S，OS之间的距离为d。粒子源S可向平行于纸面的各个方向发射大量带正电的同种粒子，粒子的质量为m，所带电荷量为q，所有粒子的初速度大小均为，经过一段时间后有大量粒子从边界射出磁场。已知，不计粒子的重力及粒子间的相互作用。则从边界射出的粒子在磁场中运动的最长时间与最短时间之比为（　　）。

A．3:2

B．5:2

C．7:2

D．9:2

【推荐2】在同一匀强磁场中，两带电量相等的粒子，仅受磁场力作用，做匀速圆周运动。下列说法正确的是（　　）

A．若速率相等，则半径必相等

B．若速率相等，则周期必相等

C．若动量大小相等，则半径必相等

D．若动能相等，则周期必相等

【推荐3】光滑绝缘水平面上有一个带电质点正在以速度向右运动。如果加一个竖直向下的匀强磁场，经过一段时间后，该质点的速度第一次变为与初始时刻的速度大小相等、方向相反；如果不加匀强磁场而改为加一个沿水平方向的匀强电场，经过相同的一段时间后，该质点的速度也第一次变为与初始时刻的速度大小相等、方向相反，则所加的匀强磁场的磁感应强度和所加的匀强电场的电场强度的比值为（　　）

A．

B．

C．

D．

【推荐1】两个共轴的半圆柱形电极间的缝隙中，存在一沿半径方向的电场，如图所示。带正电的粒子流由电场区域的一端M射入电场，沿图中所示的半圆形轨道通过电场并从另一端N射出，由此可知（不计粒子重力）（　　）

A．若入射粒子的电荷量相等，则出射粒子的质量一定相等

B．若入射粒子的电荷量相等，则出射粒子的速度一定相等

C．若入射粒子的电荷量与质量之比相等，则出射粒子的速度一定相等

D．若入射粒子的电荷量与质量之比相等，则出射粒子的动能一定相等

【推荐2】一根中点有固定转动轴的轻质杆长为2l，两端固定完全相同的质量为m、电荷量为＋q的小球1和2，装置放在如图所示的关于竖直线对称的电场中．开始时杆在水平位置静止，现给小球1一个竖直向上的速度，让小球1、2绕转动轴各自转动到B、A位置，A、B间电势差是U，小球1、2构成的系统动能减小量是（     ）

A．一定小于Uq	B．一定等于2（Uq＋mgl）
C．一定大于Uq	D．一定大于Uq＋mgl

【推荐3】制作半导体时，需向单晶硅或其他晶体中掺入杂质．单晶硅内的原子是规则排列的，在两层原子间有一定间隙，形成沟道，如图所示．假设注入的杂质是硼的正离子，若硼离子能沿沟道射入晶体内，就叫做沟道离子．射入的离子不可能与沟道的纵轴（图中虚线）完全平行，若偏离纵轴一定的角度，如图那样进入沟道时向上偏转，则离子将受原子层原子核向下的斥力．一旦离子失去向上运动的速度，便在斥力的作用下朝反方向偏离．同样道理，当离子接近下面原子核时，又在斥力的作用下向上偏转．于是，入射离子在沟道内沿曲线前进．对于一定能量的离子，存在一个临界的入射，一旦离子的入射角大于，入射离子将冲出沟道，不能成为沟道离子．下面说法正确的是(       )

A．入射角一定时，入射离子的动能越大，越容易成为沟道离子

B．入射离子的动能一定时，入射角越小，沟道离子在沟道中运动时间越长

C．入射离子在接近原子层时，原子核的斥力做负功，电势能增大

D．入射离子在趋于两个原子层间的纵轴时动能和电势能均减小