如图甲所示,一质量为m、边长为L,电阻为R的单匝正方形导线框
放在绝缘的光滑水平面上。空间中存在一竖直向下的单边界匀强磁场,线框有一半在磁场内。其
边与磁场边界平行。
时刻起,磁场的磁感应强度随时间均匀减小,如图乙所示。线框运动的
图像如图丙所示,图中斜向虚线为过O点速度图线的切线,则( )
![](https://img.xkw.com/dksih/QBM/editorImg/2023/4/11/2543d531-5a9a-4c46-bbcd-fc08c4a0e6b3.png?resizew=496)
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A.磁感应强度的变化率为![]() |
B.线框中的感应电流沿顺时针方向 |
C.![]() ![]() |
D.![]() ![]() |
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更新时间:2023-04-10 20:23:25
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适中
(0.65)
【推荐1】如图甲所示,质量为
、长为
的水平金属细杆
的两端分别放置在两水银槽的水银中,水银槽所在空间存在磁感应强度大小
、方向水平向右的匀强磁场,且细杆
与该磁场方向垂直,一匝数为100匝、横截面面积为
的线圈通过导线、开关
与两水银槽相连,线圈处于沿竖直方向垂直穿过圈横截面的匀强磁场中,其磁感应强度
随时间
变化的关系如图乙所示,在
时闭合开关
,细杆CD弹起(可认为弹起过程中安培力远大于重力,重力忽略不计),弹起的最大高度为
,不考虑空气阻力,水银的黏滞作用和细杆
落回水槽后的运动,重力加速度g取
,下列说法正确的是( )
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![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/4caccca18d49c06b4d0188b3f1de77b8.png)
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/9d78abbad68bbbf12af10cd40ef4c353.png)
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![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/a454a2c91ace8ef50412a6adf91f8086.png)
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![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/00a33f51b3792973e7946b5b983dbc92.png)
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A.感应强度![]() |
B.![]() ![]() |
C.在细杆CD弹起的过程中,细杆CD所受安培力的冲量大小为![]() |
D.开关![]() ![]() ![]() |
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适中
(0.65)
名校
【推荐2】如图甲所示为一边长为
、匝数
的正方形线圈,其总电阻为
。在线圈的中间位置以下区域分布着匀强磁场,磁场方向垂直纸面向里,磁感应强度大小随时间变化的关系如图乙所示。线圈底边处于水平。在0~6s的时间内,下列说法正确的是( )
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/58d6961838f6bd0917fe95735d7c53dc.png)
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/fafbc94594b8c877de8883dea10e374c.png)
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/e0ee12811d949bc3d64173bd04ad43d3.png)
A.线圈中形成的感应电流的方向是逆时针 |
B.线圈底边受安培力竖直向下 |
C.线圈中形成的感应电流的大小为1A |
D.线圈的面积有增大的趋势 |
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多选题
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适中
(0.65)
名校
【推荐1】如图所示,垂直纸面的匀强磁场分布在正方形虚线区域内,电阻均匀的正方形导线框
位于虚线区域的中央,两正方形共面且四边相互平行。现将导线框先后朝图示两个方向以v、3v速度分别匀速拉出磁场,拉出时保持线框不离开纸面且速度垂直线框。比较先后两次拉出磁场的过程中,以下说法正确的是( )
![](https://img.xkw.com/dksih/QBM/2022/4/12/2963713621311488/2965988994031616/STEM/01a15fed-d818-49c7-8121-274897108a86.png?resizew=148)
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/35893041a02be39c9d0c1e9b329556eb.png)
![](https://img.xkw.com/dksih/QBM/2022/4/12/2963713621311488/2965988994031616/STEM/01a15fed-d818-49c7-8121-274897108a86.png?resizew=148)
A.线框中产生的电流之比为![]() |
B.![]() ![]() |
C.线框中产生的焦耳热之比为![]() |
D.通过导线框某一截面的电荷量之比为![]() |
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多选题
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适中
(0.65)
名校
【推荐2】两磁感应强度均为B的匀强磁场区I、III,方向如图所示,两区域中间为宽为s的无磁场区II,有一边长为L(L>s)。电阻为R的均匀正方形金属线框abcd置于区域I,ab边与磁场边界平行,现拉着金属线框以速度v向右匀速运动,则( )
![](https://img.xkw.com/dksih/QBM/2022/3/13/2942257274527744/2942589022822400/STEM/6d10f9dc-7a38-483a-abb6-a44b581e58b8.png?resizew=263)
![](https://img.xkw.com/dksih/QBM/2022/3/13/2942257274527744/2942589022822400/STEM/6d10f9dc-7a38-483a-abb6-a44b581e58b8.png?resizew=263)
A.当ab边刚进入中央无磁场区域II时,ab两点间电压为![]() |
B.ab边刚进入磁场区域III时,通过ab边的电流大小为![]() ![]() |
C.把金属线框从区域I完全拉入区域III的过程中,拉力所做功为![]() |
D.当cd边刚出区域I到刚进入区域III的过程中,回路中产生的焦耳热为![]() |
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适中
(0.65)
名校
【推荐1】在如图所示的两平行虚线之间存在着垂直纸面向里、宽度为d 、强度为B的匀强磁场,正方形线框abcd的边长为L(L<d),质量为m,电阻为R。将线框从h高处由静止释放后,线框的ab边刚进入磁场时的速度为v0,ab边刚离开磁场时的速度也为v0,在线框进入磁场的过程中,下列说法正确的是( )
A.a点的电势高于b点 | B.线框一定做减速运动 |
C.安培力所做的功为–mgd | D.可以求出进入磁场时通过的电荷量 |
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多选题
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适中
(0.65)
【推荐2】如图所示,A、B为不同金属制成的质量相等的正方形线框,A的边长是B的2倍,A的电阻是B的4倍,当它们的下边在同一高度竖直下落,垂直进入如图所示的磁场中,A框恰能匀速下落,那么( )
![](https://img.xkw.com/dksih/QBM/2015/3/2/1575727263105024/1575727296765952/STEM/e1f0f067-40d6-4895-bc31-0cf063f9db8a.png?resizew=135)
![](https://img.xkw.com/dksih/QBM/2015/3/2/1575727263105024/1575727296765952/STEM/e1f0f067-40d6-4895-bc31-0cf063f9db8a.png?resizew=135)
A.B框一定匀速下落 |
B.进入磁场后,A、B中感应电流强度之比是2:1 |
C.二线框全部进入磁场的过程中,通过截面的电量相等 |
D.二线框全部进入磁场的过程中,消耗的电能之比为1:1 |
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多选题
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适中
(0.65)
【推荐3】如图所示,等腰直角三角形金属线框abc放在光滑绝缘水平桌面上,直角边长为L,线框的电阻为R,质量为m,有界匀强磁场垂直于水平桌面向下,磁感应强度大小为B,磁场边界MN、PQ间距大于L.开始是ab边与磁场边界MN平行,给金属线框一个垂直MN向右、大小为v0的初速度,线框穿过磁场后的速度大小为
,则在线框进磁场的过程中
![](https://img.xkw.com/dksih/QBM/editorImg/2022/9/6/583ce4a2-7e6c-405f-9c32-fbd613a67044.png?resizew=208)
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/a1fd3bdc8ccb80ae9d47d7c58ac22f36.png)
![](https://img.xkw.com/dksih/QBM/editorImg/2022/9/6/583ce4a2-7e6c-405f-9c32-fbd613a67044.png?resizew=208)
A.线框受到的安培力垂直于ac边 |
B.通过线框截面的电量为![]() |
C.线框中产生的焦耳热为![]() |
D.当线框bc边静磁场的长度为x时,线框的速度大小为v与加速度大小a之比为![]() |
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