以下说法正确的是( )
A.由电场强度表达式可知电场强度与电场力成正比,与电荷量成反比 |
B.由电势能表达式可知负电荷电势高电势能也大 |
C.电流的微观表达式中为电流传导的速度 |
D.由电阻表达式得一根圆柱形状的金属导体,将它沿平行于电流的长度方向均匀拉长到直径变为原来的一半,那么该导体的电阻变为原来的16倍 |
更新时间:2023-11-13 15:35:50
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【推荐1】如图所示,一个正四面体,底面ABC为一个等边三角形,O点为底面ABC的中心。在顶点P处固定一个正点电荷,则下列说法正确的是( )
A.A、B、C三点的电场强度相同 |
B.整个底面ABC为等势面 |
C.将某负试探电荷沿CB边从C移动到B,电场力先做负功后做正功 |
D.将某负试探电荷沿CB边从C移动到B,其电势能先减小后增加 |
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【推荐2】如图所示,是正立方体的四个顶点。在A、B、C三个点各放一点电荷,使D点处的电场强度为零。已知A处放的是电荷量为Q的正点电荷。则关于B、C两处的点电荷,下列说法正确的是( )
A.C处的点电荷带负电 |
B.B处的点电荷带正电 |
C.B处的点电荷的电荷量为 |
D.C处的点电荷的电荷量为 |
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【推荐1】将一个不带电的金属球壳放置在平行板电容器之间,球心到两极板的距离相等,电容器上极板带正电,下极板接地,极板与球壳间的电场分布如图所示。下列说法正确的是( )
A.金属球壳的顶部感应出负电荷,底部感应出正电荷 |
B.电子在a点的加速度比在b点的小 |
C.电子在a点的电势能比在b点的大 |
D.一质子从b点移至a点,电场力做正功 |
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【推荐2】在电场强度大小为E的匀强电场中,将一个质量为m、电荷量为q的带正电小球从O点由静止释放,小球沿直线OA斜向下运动,直线OA与竖直方向的夹角为θ。已知重力加速度为g,不计空气阻力,下列判断正确的是( )
A.场强的最小值为E= |
B.场强的最小值为E= |
C.E=时,小球的电势能一定增大 |
D.E=时,小球的机械能一定减小 |
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【推荐1】关于电流,下列说法中正确的是( )
A.电荷的移动形成电流 |
B.电子运动的速率越大,电流越大 |
C.单位时间内通过导体横截面的电荷量越多,导体中的电流越大 |
D.因为电流有方向,所以电流是矢量 |
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【推荐2】一根金属棒长为L,横截面积为S,其材料的电阻率为,棒内单位体积的自由电子数为n,电子的质量为m,电荷量为e。在棒两端加上恒定的电压时,棒内产生电流,自由电子定向运动的平均速率为v,则金属棒两端所加的电压为( )
A. | B. | C. | D. |
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【推荐1】已知一边长为2和另一边长为的两个绝缘立方体容器,中心在同一直线上,容器连通且加满电解液,在AB两端加上电压U时,流过电路的电流为1A,当电解液加到距边长为的容器底端高的位置时,电路中的电流为( )
A.1A | B.0.5A | C.A | D.A |
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【推荐2】我国“28nm”和“14nm”芯片的发展攻克了许多技术难题,其中“28nm”“14nm”表示芯片内单个晶体管的栅极宽度,如图甲所示为芯片内单个晶体管的示意图,下列说法正确的是( )
A.在形状相同的芯片内,“28nm”工艺要比“14nm”工艺集成的晶体管数量少 |
B.一宽度大于28nm的平行紫光照射宽度为28nm的缝隙后,紫光的宽度变为28nm |
C.用相同材料制成的如图乙所示的方形导体,保持d不变,L减小,导体的电阻减小 |
D.波长为14nm的电磁波,可以用于城市电视、广播等信号的无线远距离传输 |
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