1 . 短周期主族元素R、T、X、Y、Z原子序数依次增大，最外层电子数之和为22。R原子的最外层电子数是其内层电子数的2倍，T是地壳中含量最高的元素，与具有相同的电子层结构，Z与T同主族。
(1)上述五种元素原子半径由大到小的顺序为______（填元素符号）。
(2)T与X形成的化合物中含______（填“离子”或“共价”）键；写出X和Z形成的简单化合物的电子式：______。
(3)Z的气态简单氢化物的热稳定性比T的______（填“强”或“弱”，下同）；Z的最高价氧化物对应水化物的酸性比R的______。
(4)某化学兴趣小组用如图装置探究元素R、Y的非金属性相对强弱：

①写出B装置中发生的化学反应方程式______。
②试管D中通入过量时发生反应的离子方程式为______（已知酸性强弱：亚硫酸碳酸）。
③若E中出现______现象，F中出现______现象，能说明元素R的非金属性比元素Y的非金属性强。

2 . 以粗盐和石英砂为原料制备纯碱和精硅的流程如下图所示，结合题意回答下列问题：

(1)流程1可在实验室完成，过程如下图所示，若只加一种试剂，则A化学式为________________。

(2)流程2和流程3也可在实验室模拟完成，具体过程如图所示，则a口通入________________气体，c装置固体为________________。

(3)流程4生成的Na₂CO₃，其含有的化学键为________________。
(4)流程7的化学方程式________________。
(5)流程9整个制备过程必须严格控制无氧，若混入O₂，可能引起的后果是________________。
(6)制得的精硅含有微量硼，会影响芯片性能。某实验室利用区域熔炼技术制高纯硅的装置剖面图如图1，将含微量杂质硼的硅晶棒装入石英保温管中，利用加热环自左向右缓慢移动对其进行加热熔炼，已知杂质硼在不同状态的硅中含量分布如图2所示。
   
下列说法中错误的是________________。

A．混有杂质硼的硅晶棒熔点低于纯硅

B．熔炼前，可以用普通玻璃管替换石英保温管

C．熔炼时，加热环移动速度过快可能导致杂质硼分离不彻底

D．熔炼后，硅晶棒纯度右端高于左端