1 . 如图为半导体离子注入工艺原理示意图。离子经电压为U的电场加速后，垂直进入宽度为d的匀强磁场区域，转过一定角度后从磁场射出，注入半导体内部达到掺杂的目的。已知磁感应强度大小为、方向垂直纸面向里，离子的质量为m，元电荷为e。则离子在磁场中转过的角度为（   ）

A．

B．60°

C．37°

D．

2 . 如图所示，两个等质量的带电粒子分别以速度和垂直射入有界匀强磁场，两粒子的入射方向与磁场边界的夹角分别为60°和45°，磁场垂直纸面向外，磁场宽度为d，两粒子同时由A点出发，同时到达B点，A、B连线垂直于磁场边界。
（1）两粒子的速率之比；
（2）两粒子的电荷量之比。

3 . 如图所示，在一个直角三角形区域ACB内存在方向垂直于纸面向里、磁感应强度为B的匀强磁场，AB、BC、AC为磁场边界，AC边长为，。一质量为m、电荷量为的粒子从AB边上的D点垂直于磁场边界AB射入匀强磁场，已知AD长为a（不计粒子重力，，）。下列说法不正确的是（　　）

A．带电粒子有可能从AC边射出

B．只要带电粒子从AB边射出，则带电粒子在磁场中运动的时间都相等

C．带电粒子恰不从BC边射出磁场区域时对应的速度为

D．随着带电粒子速度的增大，带电粒子在磁场中运动的时间越来越短

4 . 如图所示，直线MN上方为磁感应强度为B的足够大的匀强磁场。一电子（质量为m、电荷量为e）以速度v从点O与MN成角的方向射入磁场中，求：
（1）电子在磁扬中运动的半径r；
（2）电子从磁场中射出时到O点的距离d；
（3）电子在磁扬中运动的时间。

5 . 如图所示，在边界PQ上方有垂直纸面向里的匀强磁场，一对正、负电子同时从边界上的O点沿与PQ成角的方向以相同的速度v射入磁场中，则正、负电子（　　）

A．在磁场中的运动时间相同	B．在磁场中运动的位移相同
C．出边界时两者的速度相同	D．正电子出边界点到O点的距离更大

6 . 真空区域有宽度为l、磁感应强度为B的匀强磁场,磁场方向如图所示，MN、PQ是磁场的边界。质量为m、电荷量为q的粒子(不计重力)沿着与PQ夹角为30°的方向垂直磁场射入，刚好能垂直MN边界射出磁场。求粒子射入磁场的速度大小及在磁场中运动的时间。

7 . 真空区域有宽度为L、磁感应强度为B的匀强磁场，磁场方向如图所示，MN、PQ是磁场的边界。质量为m、电荷量为的粒子（不计重力）从MN边界某处射入磁场，刚好没有从PQ边界射出磁场，当再次从MN边界射出磁场时与MN夹角为30°，则（　　）

A．粒子进入磁场时速度方向与MN边界的夹角为60°

B．粒子在磁场中转过的角度为60°

C．粒子在磁场中运动的时间为

D．粒子能从PQ边界射出磁场时的速度大于

8 . 两束带电粒子以同一速度，并从同一位置进入匀强磁场，在磁场中它们的轨迹如图所示。粒子的轨迹半径为，粒子的轨迹半径为，且，电荷量分别为、，质量分别为、。则（　　）

A．带负电、带正电，、比荷之比为

B．带负电、带正电，、比荷之比为

C．带正电、带负电，、比荷之比为

D．带正电、带负电，、比荷之比为

9 . 如图所示，在边长为l的正方形区域内，有与y轴平行的匀强电场和垂直于纸面的匀强磁场。一个带电粒子（不计重力）从原点O沿x轴进入场区，恰好做匀速直线运动，穿过场区的时间为；若撤去磁场，只保留电场，其他条件不变，该带电粒子穿过场区的时间为；若撤去电场，只保留磁场，其他条件不变，那么，该带电粒子穿过场区的时间应该是（　　）

A．

B．

C．

D．

10 . 如图所示，两平行金属板P、Q水平放置，板间存在电场强度为E的匀强电场和磁感应强度为B₁，方向垂直纸面向里的匀强磁场。一个带正电的粒子在两板间沿中心线OʹO做匀速直线运动。粒子通过两平行板后从O点进入磁感应强度为B₂，方向垂直纸面向外的匀强磁场中，粒子做匀速圆周运动，经过半个圆周后打在挡板MN上的A点，测得O、A两点间的距离为L，不计粒子重力，求：
（1）试判断金属板P和金属板Q哪板电势高；
（2）粒子在P、Q两板间做匀速直线运动的速度大小v；
（3）粒子的电荷量与质量之比。