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解析
| 共计 7 道试题
单选题-单题 | 适中(0.65) |
名校
1 . 在一个很小的矩形半导体薄片上制作四个电极EFMN做成了一个霍尔元件。在EF间通入恒定电流I,同时外加与薄片垂直的磁场B,此时MN间的电压为UH已知半导体薄片中的载流子为正电荷,电流与磁场的方向如图所示,下列说法正确的是(  )

A.N板电势低于M板电势
B.磁感应强度越大,MN间的电势差越大
C.将磁场方向变为与薄片的上、下表面平行,UH不变
D.将磁场和电流同时反向,N板电势低于M板电势
2022-10-22更新 | 1471次组卷 | 32卷引用:2019年天津市七校高三上学期期末物理试卷(静海一中、宝坻一中、杨村一中等)
2 . 霍尔元件是一种重要的磁传感器,可用在多种自动控制系统中。长方体半导体材料厚为a、宽为b、长为c,以长方体三边为坐标轴建立坐标系,如图所示。半导体中有电荷量均为e的自由电子与空穴两种载流子,空穴可看作带正电荷的自由移动粒子,单位体积内自由电子和空穴的数目分别为np。当半导体材料通有沿方向的恒定电流后,某时刻在半导体所在空间加一匀强磁场,磁感应强度的大小为B,沿方向,于是在z方向上很快建立稳定电场,称其为霍尔电场,已知电场强度大小为E,沿方向。
(1)判断刚加磁场瞬间自由电子受到的洛伦兹力方向;
(2)若自由电子定向移动在沿方向上形成的电流为,求单个自由电子由于定向移动在z方向上受到洛伦兹力和霍尔电场力的合力大小
(3)霍尔电场建立后,自由电子与空穴在z方向定向移动的速率分别为,求时间内运动到半导体z方向的上表面的自由电子数与空穴数,并说明两种载流子在z方向上形成的电流应满足的条件。

2021-09-07更新 | 7602次组卷 | 17卷引用:2021年天津市普通高中学业水平等级性考试物理试卷(天津卷)
20-21高二·全国·课时练习
解答题 | 适中(0.65) |
3 . 医院使用血浆时,需利用电磁泵从血库向外抽血。电磁泵的结构示意图如图所示,长方形导管的左右表面绝缘,上下表面为导体,管长为a,内壁高为b,宽为l,且内壁光滑。将导管放入匀强磁场,让左右表面与磁场垂直。因充满导管的血浆中带有正、负离子,将上下表面和电源接通后,导管的前后两端便会产生压强差p,从而将血浆抽出,其中v为血液流动速度。若血浆的电阻率为ρ,所加电源的电动势为E,内阻为r,匀强磁场的磁感应强度为B。请从以上信息中选择相关条件,求血浆受到的安培力大小。
2021-02-28更新 | 279次组卷 | 3卷引用:2021年天津卷物理试题-计算题变试题
4 . 有一种半导体材料称为“霍尔材料”,用它制成的元件称为霍尔元件,这种材料有可定向移动的电荷,称为载流子,每个载流子的电荷量大小为.霍尔元件在自动检测、控制领域得到广泛应用,如录像机中用来测量录像磁鼓的转速、电梯中用来检测电梯门是否关闭以自动控制升降电动机的电源的通断等.在一次实验中,一块“霍尔材料”制成的薄片宽 ,长,厚 ,水平放置在竖直向上的磁感应强度的匀强磁场中,bc方向通有的电流,如图所示,由于磁场的作用,稳定后,在沿宽度方向上产生的横向电压.
(1)假定载流子是电子,adbc两端面中哪端电势较高?
(2)薄板中形成电流I的载流子定向运动的速率多大?
(3)这块“霍尔材料”中单位体积内的载流子个数为多少?
2020-02-15更新 | 367次组卷 | 4卷引用:2022届天津市南开中学高三上学期第四次月考物理试题
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单选题-单题 | 适中(0.65) |
真题 名校
5 . 笔记本电脑机身和显示屏对应部位分别有磁体和霍尔元件。当显示屏开启时磁体远离霍尔元件,电脑正常工作:当显示屏闭合时磁体靠近霍尔元件,屏幕熄灭,电脑进入休眠状态。如图所示,一块宽为、长为的矩形半导体霍尔元件,元件内的导电粒子是电荷量为的自由电子,通入方向向右的电流时,电子的定向移动速度为。当显示屏闭合时元件处于垂直于上表面、方向向下的匀强磁场中,于是元件的前、后表面间出现电压,以此控制屏幕的熄灭。则元件的(  )

A.前表面的电势比后表面的低B.前、后表面间的电压无关
C.前、后表面间的电压成正比D.自由电子受到的洛伦兹力大小为
2019-06-09更新 | 12057次组卷 | 90卷引用:2019年天津市高考物理试题
2011·宁夏银川·一模
多选题 | 适中(0.65) |
名校
6 . 利用霍尔效应制作的霍尔元件,广泛应用于测量和自动控制等领域.如图是霍尔元件的工作原理示意图,磁感应强度B垂直于霍尔元件的工作面向下,通入图示方向的电流I,C、D两侧面会形成电势差UCD,下列说法中正确的是(    )
A.电势差UCD仅与材料有关
B.若霍尔元件的载流子是自由电子,则电势差UCD   <   0
C.在测定地球赤道上方的地磁场强弱时,元件的工作面应保持水平
D.仅增大磁感应强度时,电势差UCD变大
2017-10-27更新 | 1146次组卷 | 25卷引用:2013年天津市宝坻区高三综合模拟物理试卷
12-13高二下·江苏宿迁·期中
7 . 一块N型半导体薄片(称霍尔元件),其横截面为矩形,体积为,如图所示。已知其单位体积内的电子数为n、电阻率为ρ、电子电荷量e,将此元件放在匀强磁场中,磁场方向沿z轴方向,并通有沿x轴方向的电流I
(1)此元件的两个侧面中,哪个面电势高?
(2)试证明在磁感应强度一定时,此元件的两个侧面的电势差与其中的电流成正比;
(3)磁强计是利用霍尔效应来测量磁感应强度B的仪器。其测量方法为:将导体放在匀强磁场之中,用毫安表测量通以电流I,用毫伏表测量C间的电压U, 就可测得B。若已知其霍尔系数,并测得U =0.6mV,I=3mA。试求该元件所在处的磁感应强度B的大小。
   
2016-12-08更新 | 1174次组卷 | 6卷引用:2021年天津卷物理试题-计算题变试题
共计 平均难度:一般