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解析
| 共计 10 道试题
1 . 将一金属或半导体薄片垂直置于磁场中,并沿垂直磁场方向通入电流,则在导体中垂直于电流和磁场方向会产生一个电势差,这一现象称为霍尔效应,此电势差称为霍尔电压。某长方体薄片霍尔元件,长为a、宽为b、厚为c,在霍尔元件中有沿x轴方向的电流强度为I,若霍尔元件中导电的载流子是自由电子,带电量为e,薄片处在沿方向磁感应强度为B的匀强磁场中,则在沿z轴方向产生霍尔电压
(1)请判断该霍尔元件图中前、后两个侧面,哪端的电势高,并简要叙述理由;
(2)该霍尔元件在具体应用中,有,式中的称为霍尔元件灵敏度,一般要求越大越好,推导的表达式并解释为什么霍尔元件一般都做得很薄;
(3)由于金属中载流子密度很大,霍尔效应不明显,因此霍尔元件常用半导体而不是金属。一种半导体材料中同时存在电子与空穴两种载流子(空穴可视为能移动的带正电的粒子),每个载流子所带电量的绝对值均为e,单位体积内电子和空穴的数目之比为ρ,在霍尔电压稳定后,电子和空穴沿z方向定向移动的速率分别为,求电子和空穴沿z轴方向定向移动的速率之比。

2024-05-05更新 | 230次组卷 | 1卷引用:2024届天津市和平区高三下学期二模物理试卷
2 . 二、测速
现代科技发展提供了很多测量物体运动速度的方法。我们教材介绍的门式结构光电门传感器如图所示,两臂上有AB两孔,A孔内的发光管发射红外线,B孔内的光电管接收红外线。

(1)如图2所示,为了测量物体运动的速度,在物体上安装挡光片。用光电门传感器测量运动物体经过光电门时的速度,需要测量的物理量有____________

(2)光电门传感器是根据光电效应,利用光电转换元件将光信号转换成电信号的器件。如图3所示为某种金属在各种频率单色光照射下反向遏止电压U与入射光频率v之间的关系。从图中数据可知该金属的极限频率为_________Hz(计算结果保留2位有效数字)。已知红外线的波长范围约在,用红外线照射该金属______(选填“能”或“不能”)产生光电效应。(普朗克常量,电子电量

(3)图(a)中磁铁安装在半径为R的自行车前轮上,磁铁到前轮圆心的距离为r。磁铁每次靠近霍尔传感器,传感器就输出一个电压信号到速度计上。
(1)测得连续N个电压信号的时间间隔为t,则在这段时间内自行车前进的平均速度______
(2)自行车做匀变速直线运动,某段时间内测得电流信号强度I随时间t的变化如图(b)所示,则自行车的加速度______(以车前进方向为正方向)。
(3)如图(c)所示,电流从上往下通过霍尔元件A(自由电荷为电子),当磁铁C沿图示方向运动经过霍尔元件附近时,会有图示方向的磁场穿过霍尔元件,在元件的左右两面间能检测到电势差。则磁铁经过霍尔元件的过程中(由空间磁场变化所激发的电场可忽略不计)______
A. 磁铁C的N极靠近元件且       B. 磁铁C的S极靠近元件且
C. 磁铁C的N极靠近元件且       D. 磁铁C的S极靠近元件且

(4)用微波传感器测量飞行网球的速度,利用发送信号与接收信号的频率差,通过公式计算出物体运动的速度。当球远离传感器运动时,单位时间内测得的信号数和波长(       
A.变多,变长B.变多,变短C.变少,变短D.变少,变长
2024-04-10更新 | 275次组卷 | 1卷引用:2024届上海市杨浦区高三二模物理试卷
3 . 六、霍尔推进器

我国“天和号”核心舱配备了四台全国产化的LHT-100霍尔推进器,虽然单台推力只有80毫牛,但在关键性能上已经反超国际空间站。霍尔推进器工作时,将气体推进剂电离成电子和离子,这些离子在电场的作用下被加速后以极高的速度喷出,在相反的方向上对航天器产生了推力。

1.单位质量的推进剂所产生的冲量叫“比冲量”,也叫“比推力”,是衡量推进器效率的重要参数。在国际单位制中,其单位可表示为___________
2.霍尔推进器工作时需要用磁场将带电粒子约束在一定区域内,产生霍尔效应。“霍尔效应”可用图示模型进行理解:将长方形金属导体置于匀强磁场中,磁场B与电流I的方向如图所示且垂直,导体中的自由电子在洛伦兹力的作用下发生漂移,在导体的一侧聚集积累,从而在相对的两个表面之间出现电势差,即“霍尔电压”。图中的___________两个表面间会产生霍尔电压,电势较高的是___________表面(均选填“上、下、左、右、前、后”)。若匀强磁场的磁感应强度为B,电流强度为I,电子电量为e,电子沿电流方向的平均定向移动速率为v,导体长、宽、高分别为abc,则最大“霍尔电压”为___________

3.霍尔推进器工作原理简化如图,放电通道两端的电极A、B间存在一加速电场E。工作时,工作物质氙气进入放电通道后被电离为氙离子,再经电场加速喷出,形成推力。若某次试验中有96.0%的氙气被电离,氙离子从右端喷出电场的速度v=2.00×104m/s,其比荷k==7.30×105C/kg。氙离子进入通道的初速度可以忽略,电子质量远小于氙离子的质量。当推进器产生的推力达到80.0毫牛时(1毫牛=10-3牛顿),求:

(1)加速电压UAB

(2)每秒进入放电通道的氙气质量M0

(3)氙离子向外喷射形成的电流I。(结果均取3位有效数字)

4.某同学从网上查到:虽然推力小,但相比传统的火箭,霍尔推进器的优势主要有两点:一是效率更高,持续时间更长;二是无需随身携带更多的燃料。所以,要执行更远的探索任务,霍尔推进器一定是首选。请你就所学知识,对该资料做出科学的评价。
2023-12-14更新 | 812次组卷 | 2卷引用:2024届上海市虹口区高三上学期期终学生学习能力诊断测试(一模)物理试卷
4 . 在匀强磁场中放置一个截面为矩形的通电导体或半导体薄片,当磁场方向与电流方向垂直时,在与磁场、电流方向都垂直的方向上出现电势差,这个现象称为霍尔效应,产生的电势差称为霍尔电势差或霍尔电压。霍尔电压与电流之比称为霍尔电阻
(1)图甲所示的半导体薄片的厚度为d,薄片中自由电荷的电荷量为q,单位体积内的自由电荷数为n。磁感应强度大小为B。请你推导霍尔电阻的表达式。
(2)在发现霍尔效应约100年后,科学家又发现某些半导体材料的霍尔电阻,在低温和强磁场下,与外加磁场的关系出现一个个的“平台”,在平台处霍尔电阻严格等于一个常数除以正整数,即,其中h为普朗克常数,e为电子电荷量,i为正整数,这个现象被称为整数量子霍尔效应。在环境温度小于4K时,霍尔电阻与外加磁场的磁感应强度B的关系图像如图乙所示。由于量子霍尔电阻只与基本物理常数有关,国际计量委员会推荐在世界范围内用量子电阻标准替代实物电阻标准,以避免实物电阻阻值因环境影响而变化。由于霍尔电阻与实物电阻的定义并不相同,因此需要利用一些方法才可以将量子霍尔电阻标准电阻值“传递”给实物电阻。“传递”的一种方法叫“电位差计比较法”,其原理可简化为图丙所示电路,把可调实物电阻与量子霍尔电阻串联,用同一个电源供电,以保证通过两个电阻的电流相等。通过比较霍尔电势差与实物电阻两端的电势差,即可达到比较霍尔电阻与实物电阻阻值的目的。
a.某次实验时,霍尔元件所处环境温度为1.5K,磁感应强度大小为8T,此时ab两点间的霍尔电势差与cd两点间的电势差相等。若。通过分析,计算该实物电阻的阻值(结果保留两位有效数字)。
b.如果要通过量子霍尔效应“传递”出一个阻值为的标准实物电阻,请你说明操作思路。
2023-05-09更新 | 1048次组卷 | 4卷引用:2023届北京市东城区高三下学期二模物理试题
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5 . 长方体导电材料,建立如图所示的坐标系,和坐标轴的交点坐标分别为,导体的电阻率为,导电材料中的自由电荷为电子,电量为e,单位体积中自由电荷的个数为n,若在垂直于x轴的前后表面加上恒定电压U,形成沿x轴正方向的电流。则
(1)导体中电流的大小;
(2)导体中自由电荷定向移动的平均速率;
(3)若加上沿y轴正方向、磁感应强度为B的匀强磁场,则垂直于z轴方向的上下两个表面产生电势差,这种现象叫霍尔效应。分析上下表面谁的电势高,并求出电势差的大小。
6 . 由某种能导电的材料做成正方体物块ABCD-EFGH,质量为m,边长为l,如图所示,物块放在绝缘水平面上,空间存在垂直水平面向下、磁感应强度为B的匀强磁场。已知材料电阻可忽略不计,与水平面的动摩擦因数为),重力加速度为g
(1)如果固定物块,垂直ABCD表面向里给物块通以恒定电流I,已知电流的微观表达式I=neSvn为该材料单位体积的自由电子数,e为电子电荷量大小,S为垂直电流的导体横截面积,v为电子定向移动的速率),物块某两个正对表面会产生电势差,请指出这两个正对表面及其电势高低的情况,并求出两表面间的电压;
(2)如果垂直表面BCGF向左施加大小为mg的恒力,物块将在水平面由静止开始向左运动。已知该材料介电常数为,其任意两正对表面可视作平行板电容器,电容,其中S为正对面积,d为两表面间距。求:
①当物块速度为v时物块某两个表面所带电荷量大小Q,并指出带电荷的两个表面及其电性;
②任一时刻速度v与时间t的关系。
2020-05-25更新 | 1500次组卷 | 3卷引用:2020届河北省保定市高三下学期二模理科综合物理试题
解答题 | 适中(0.65) |
名校
7 . 在匀强磁场中放置一个矩形截面的载流导体,当磁场方向与电流方向垂直时,导体在与磁场、电流方向都垂直的方向上出现电势差,这个现象被称为霍尔效应,所产生的电势差被称为霍尔电势差或霍尔电压。
(1)如图甲所示,将厚度为d的矩形薄片垂直置于磁感应强度为B的匀强磁场中。薄片上有四个电极EFMN,在EF间通以电流强度为的恒定电流。已知薄片中自由电荷的电荷量为q,单位体积内自由电荷的数量为n。请你推导出MN间霍尔电压的表达式UH。(推导过程中需要用到、但题目中没有的物理量,要做必要证明)
(2)霍尔元件一般采用半导体材料制成。目前广泛应用的半导体材料分为两大类:一类是“空穴”(相当于带正电的粒子)导电的P型半导体,另一类是电子导电的N型半导体。若图甲中所示为半导体薄片,请你简要说明如何判断薄片是哪类半导体?
(3)利用霍尔效应可以制成多种测量器件。图乙是霍尔测速仪的示意图,将非磁性圆盘固定在转轴上,圆盘的周边等距离地嵌装着N1个永磁体,相邻永磁体的极性相反。霍尔元件置于被测圆盘的边缘附近。当圆盘匀速转动时,霍尔元件输出的电压脉冲信号图像如图丙所示。若在时间t内,霍尔元件输出的脉冲电压数目为N2,请你导出圆盘转速N的表达式。
8 . 磁感应强度是描述磁场性质的重要物理量。不同物质周围存在的磁场强弱不同,测量磁感应强度的大小对于磁场的实际应用有着重要的物理意义。
(1)如图所示为电流天平,可以用来测量匀强磁场的磁感应强度。它的右臂挂着匝数为n匝的矩形线圈,线圈的水平边长为l,处于匀强磁场内,磁场的方向与线圈平面垂直。当线圈中通过电流I时,调节砝码使两臂达到平衡,然后保持电流大小不变,使电流反向,这时需要在左盘中增加质量为m的砝码,才能使两臂再达到新的平衡。重力加速度为g,请利用题目所给的物理量,求出线圈所在位置处磁感应强度B的大小。

(2)磁场具有能量,磁场中单位体积所具有的能量叫做能量密度,其值为,式中B是磁感应强度,μ是磁导率,在空气中μ为一已知常量。请利用下面的操作推导条形磁铁磁极端面附近的磁感应强度B:用一根端面面积为A的条形磁铁吸住一相同面积的铁片P,再用力将铁片与磁铁缓慢拉开一段微小距离,并测出拉力F,如图所示。因为距离很小,F可视为恒力。

(3)利用霍尔效应原理制造的磁强计可以用来测量磁场的磁感应强度。磁强计的原理如图所示:将一体积为a×b×c的长方体导电材料,放在沿x轴正方向的匀强磁场中,已知材料中单位体积内参与导电的带电粒子数为n,带电粒子的电量为q,导电过程中,带电粒子所做的定向移动可认为是匀速运动。当材料中通有沿y轴正方向的电流I时,稳定后材料上下两表面间出现恒定的电势差U
①请根据上述原理导出磁感应强度B的表达式;
②不同材料中单位体积内参与导电的带电粒子数n不同,请利用题目中所给的信息和所学知识分析制作磁强计应采用何种材料。
9 . 利用霍尔效应制作的霍尔元件以及传感器,广泛应用于测量和自动控制等领域.如图1,将一金属或半导体薄片垂直置于磁场B中,在薄片的两个侧面ab间通以电流I时,另外两侧cf间产生电势差(霍尔电压),这一现象称为霍尔效应.其原因是薄片中的移动电荷受洛伦兹力的作用向一侧偏转和积累,于是cf间建立起电场EH,同时产生霍尔电压UH.当电荷所受的电场力和洛伦兹力平衡时,EHUH达到稳定值.

(1)设半导体薄片的宽度(cf间距)为l,请写出UHEH的关系式;若半导体材料是电子导电的,请判断图1中cf哪端的电势高;
(2)已知半导体薄片内单位体积中导电的自由电荷数为n,每个电荷量为q.理论表明霍尔电压UH的大小与IB以及霍尔元件厚度d、材料的性质有关.试推导出UH的表达式,并指出表达式中体现材料性质的物理量;
(3)图2是霍尔测速仪的示意图,将非磁性圆盘固定在转轴上,圆盘的周边等距离地嵌装着m个永磁体,相邻永磁体的极性相反.霍尔元件置于被测圆盘的边缘附近.当圆盘匀速转动时,霍尔元件输出的电压脉动信号图象如图3所示.若在时间t内,霍尔元件输出的脉冲数目为P,请导出圆盘转速N的表达式.
2014·北京朝阳·一模
10 . 在研究某些物理问题时,有很多物理量难以直接测量,我们可以根据物理量之间的定量关系和各种效应,把不容易测量的物理量转化成易于测量的物理量.
(1)在利用如图1所示的装置探究影响电荷间相互作用力的因素时,我们可以通过绝缘细线与竖直方向的夹角来判断电荷之间相互作用力的大小.如果A、B两个带电体在同一水平面内,B的质量为m,细线与竖直方向夹角为θ,求A、B之间相互作用力的大小.

(2)金属导体板垂直置于匀强磁场中,当电流通过导体板时,外部磁场的洛伦兹力使运动的电子聚集在导体板的一侧,在导体板的另一侧会出现多余的正电荷,从而形成电场,该电场对运动的电子有静电力的作用,当静电力与洛伦兹力达到平衡时,在导体板这两个表面之间就会形成稳定的电势差,这种现象称为霍尔效应.利用霍尔效应可以测量磁场的磁感应强度.
如图2所示,若磁场方向与金属导体板的前后表面垂直,通过所如图所示的电流I,可测得导体板上、下表面之间的电势差为U,且下表面电势高.已知导体板的长、宽、高分别为a、b、c,电子的电荷量为e,导体中单位体积内的自由电子数为n.求:

a.导体中电子定向运动的平均速率v;
b.磁感应强度B的大小和方向.
2016-12-08更新 | 1083次组卷 | 2卷引用:2013-2014北京市朝阳区高三第一次综合练习理科综合物理试卷
共计 平均难度:一般