我国科研团队将
掺杂到
结构单元中，得到一种高性能的p型太阳能材料。掺杂后的晶胞属于立方晶系，边长为
，其结构如图所示。已知位于A点的原子坐标参数为
，下列说法错误的是
掺杂到结构单元中，得到一种高性能的p型太阳能材料。掺杂后的晶胞属于立方晶系，边长为，其结构如图所示。已知位于A点的原子坐标参数为，下列说法错误的是A．晶胞中 原子与 原子数之比为 |
B． 的坐标参数为 |
| C．晶体中的每个O原子周围都有3个等距且最近的原子 |
D．A点的原子与间的距离是 |
更新时间：2022-07-07 18:42:35
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单选题
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适中
(0.65)
【推荐1】由我国科学家合成的一种较强绝缘体的四方晶胞结构如图，已知晶胞的底面是由边长为
的正方形构成，侧面是由边长分别为
的长方形构成。下列说法错误的是
的正方形构成，侧面是由边长分别为的长方形构成。下列说法错误的是
A．该晶体的化学式为 |
B．距离 原子最近且等距的 原子有4个 |
C．若以原子为晶胞的顶角，则 原子可能位于晶胞体内，原子可能位于晶胞面上 |
D．该晶体的密度为 |
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适中
(0.65)
【推荐2】下列说法正确的是(NA为阿伏加德罗常数)
| A．1molP4含有P—P键的个数为4NA | B．28 g晶体硅中含有Si—Si键的个数为4NA |
| C．12 g金刚石中含有C—C键的个数为2NA | D．60gSiO2中含Si—O键的个数为2NA |
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