在催化下醇的氧化氰化反应如图所示。下列叙述正确的是
A.熔点: | B.键角: |
C.I和II分子中键数目相同 | D.II含有的元素中的电负性最大 |
更新时间:2023-03-16 15:17:51
|
相似题推荐
单选题
|
较难
(0.4)
名校
【推荐1】下列陈述Ⅰ与陈述Ⅱ均正确且具有因果关系的是
选项 | 陈述Ⅰ | 陈述Ⅱ |
A | 酸性:CF3COOH<CCl3COOH | CCl3COOH的相对分子质量大,酸性强 |
B | 苯不能使酸性高锰酸钾溶液褪色;甲苯能使酸性高锰酸钾溶液褪色 | 甲苯中甲基能使苯环性质变活泼 |
C | 可用氢氟酸刻蚀玻璃 | HF能与玻璃中的SiO2反应 |
D | 沸点:对羟基苯甲醛<邻羟基苯甲醛 | 对羟基苯甲酸的空间对称性好,沸点低 |
A.A | B.B | C.C | D.D |
您最近一年使用:0次
【推荐2】金属M在潮湿的空气中会形成一层致密稳定的3M(XY)2•MZX3,X、Y、Z为短周期主族元素,X的原子序数是Y的8倍,基态X和Z的未成对电子数相同,M是人体必需的元素之一。1molMZX3,含有42mol质子,下列说法正确的是
A.离子半径:M>X | B.X、Y、Z的电负性大小为:X>Z>Y |
C.M的最高价氧化物对应水化物为强碱 | D.第一电离能:Z>X |
您最近一年使用:0次
单选题
|
较难
(0.4)
名校
解题方法
【推荐1】可用于制备含氯消毒剂。二氧化氯()是一种黄绿色气体,易溶于水,在水中的溶解度约为的5倍,其水溶液在较高温度与光照下会生成与。是一种极易爆炸的强氧化性气体。下列关于、和的说法正确的是
A.为非极性分子 | B.中含有非极性键 |
C.的空间结构为三角锥形 | D.与的键角相等 |
您最近一年使用:0次
单选题
|
较难
(0.4)
名校
解题方法
【推荐2】实验室中可用或来检验,下列说法正确的是
A.铁元素位于周期表第四周期第ⅧB族,属于区 |
B.与溶液混合,得到的配合物中,提供空轨道的是,配位原子是,配位数是6 |
C.中含有离子键、极性共价键和非极性共价键 |
D.与反应可得到一种蓝色沉淀,该沉淀物质晶胞的结构如图所示(未画出),则一个晶胞中的个数为4 |
您最近一年使用:0次
单选题
|
较难
(0.4)
【推荐1】氮化硅可用作耐高温、耐腐蚀材料。由石英(含少量铁、铜氧化物)和空气制备氮化硅的一种工艺流程如图所示:下列说法正确的是
A.“高温转化Ⅰ”硅元素参与的反应中氧化剂与还原剂物质的量之比为2∶1 |
B.“净化”可将空气依次通过NaOH溶液、热还原铁粉、浓硫酸 |
C.“洗涤”时酸洗不能选用稀硝酸 |
D.SiC中的Si-C键能低于Si3N4中Si-N键能 |
您最近一年使用:0次
单选题
|
较难
(0.4)
解题方法
【推荐2】W、X、Y、Z是原子序数依次增大的短周期主族元素,其最外层电子数之和为18,W、X、Y分别位于不同周期,X与Y同主族,W的最低负价与Z的最高正价的代数和等于6,下列说法错误的是
A.W分别与X、Y形成的简单化合物的键角:前者大于后者 |
B.Y与Z形成的化合物中各原子不一定满足8电子稳定结构 |
C.Z分别与X、Y形成的化合物均可与水反应生成两种酸 |
D.Y的一种单质分子呈正四面体结构,键角为60° |
您最近一年使用:0次
单选题
|
较难
(0.4)
【推荐1】已知短周期主族元素R、W、X、Y、Z,其中R元素所在的周期数是其族序数的一半,且对应的两种常见氧化物均为酸性氧化物,W元素与Z元素在同一主族,X与其同主族另一元素单质构成原子反应堆导热剂,Y元素原子最外层电子数为m,次外层电子数为n,Z元素原子L层电子数为m+n,M层电子数为m-n,下列叙述中错误的是
A.R、X、Y对应的简单离子半径:r(X)<r(Y)<r(R) |
B.相同温度相同浓度的R、W、Z的最高价含氧酸的正盐溶液的pH:Z>W>R |
C.将WY2与RY2分别通入Ba(NO3)2溶液中,现象不同 |
D.因为Y的氢化物比R的氢化物稳定,所以Y的氢化物的熔、沸点比R的氢化物的熔、沸点高 |
您最近一年使用:0次
单选题
|
较难
(0.4)
【推荐2】配位化合物x由配体L2-和具有正四面体结构的[Zn4O]6+构成,结构如图a,图b是沿立方格子对角面取得的截图。
已知:楔形式表示有机物时,楔形实线 表示的键伸向纸面外,楔形虚线 表示的键伸向纸面内。X晶体的内部空腔可吸附小分子。下列说法正确的是
已知:楔形式表示有机物时,楔形实线 表示的键伸向纸面外,楔形虚线 表示的键伸向纸面内。X晶体的内部空腔可吸附小分子。下列说法正确的是
A.图a所示结构不是一个晶胞 |
B.X晶胞中与同一配体相连的两个[Zn4O]6+的取向相同 |
C.若L2-上引入氨基,无法增X与水的吸附作用(假设X晶胞形状不变) |
D.已知Zn-O键长为d nm,则A、B两个Zn2+之间的最短距离为nm |
您最近一年使用:0次