GaAs是一种重要的半导体材料,熔点为1238℃,密度为
,其晶胞结构如图所示。已知阿伏伽德罗常数的值为
,MGaAs=l45g/mol,下列说法不正确的是
![](https://img.xkw.com/dksih/QBM/2023/5/17/3239828155351040/3240318184538112/STEM/3a7118159ec24027b5381398908a1a85.png?resizew=169)
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A.As的配位数为4 |
B.As在元素周期表的第15纵列,属于p区元素 |
C.该晶体为离子晶体,是新型无机非金属材料 |
D.GaAs的晶胞边长为![]() |
更新时间:2023-05-18 11:47:08
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C.距离![]() ![]() | D.钙钛矿晶体可能有较大的硬度 |
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A.Ti14C13 | B.TiC | C.Ti4C4 | D.Ti4C3 |
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A.若B代表![]() ![]() |
B.该晶胞沿体对角线方向的投影图为![]() |
C.距离A最近且等距离的C有8个 |
D.![]() ![]() |
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