(CH3NH3)PbI3的晶胞结构如图所示，其中B代表Pb2+下列说法不正确的是
| A．A代表I— |
| B．(CH3NH3)PbI3中涉及的短周期元素的电负性由大到小的顺序为N>C>H |
| C．基态Ⅰ原子核外电子占据最高能级的电子云轮廓图为哑铃状 |
D．已知(CH3NH3)PbI3的摩尔质量为 ，NA为阿伏加德罗常数，则该晶体密度为  |
更新时间：2023-09-25 15:33:23
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【推荐1】下列说法中正确的是 ( )
| A．第三周期所包含的元素中钠的原子半径最小 |
| B．钠的第一电离能比镁的第一电离能大 |
| C．在所有元素中，氟的电负性最大 |
| D．电子云示意图中的每个小黑点都表示一个电子 |
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【推荐2】下列关于电子的说法中不正确的是
| A．原子发射光谱中每条谱线均对应电子从较高能级跃迁至较低能级时放出的能量 |
| B．电子处于能量越高的能层上，距离原子核的平均距离就越远，也越容易被电离 |
| C．按照电子云模型，电子随机出现在空间中，且出现概率满足特定分布函数 |
D．若原子中 能级内共有11个电子，则体系在基态时 能级中有9个电子 |
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【推荐1】物质的结构决定性质，下列推测合理的是
A．P能以 杂化形成 ，推测N也能以杂化形成 |
B． 晶体是分子晶体，推测 晶体也是分子晶体 |
C． 键可以绕键轴旋转，推测 键也可以绕键轴旋转 |
D．电负性 ，推测 (即 )： |
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【推荐2】氨硼烷(NH3BH3)和乙烷的结构相似，含氢量高、热稳定性好，是一种具有潜力的固体储氢材料。下列说法正确的是
| A．H、B、N三种元素中，电负性最大的是B |
| B．根据对角线规则，B、Si最高价氧化物对应的水化物均为二元酸 |
| C．氨硼烷N采取sp3杂化，B采取sp3杂化 |
| D．NH3BH3属于分子晶体，晶体中存在的化学键只有极性键 |
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【推荐1】下列有关说法正确的是
| A．BeF2和BeCl2均为离子化合物 |
| B．BeO的晶胞如图所示，晶胞中O2-的配位数为4 |
| C．ⅡA族元素形成的氧化物均能与冷水直接化合成强碱 |
| D．在空气中加热蒸发BeCl2和MgCl2溶液都能得到BeCl2和MgCl2固体 |
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【推荐2】自从第一次合成稀有气体元素的化合物XePtF6以来，人们又相继发现了氙的一系列化合物，如XeF2、XeF4等。如图甲为XeF4的结构示意图，图乙为XeF2晶体的晶胞结构图。下列有关说法正确的是
| A．XeF4是极性分子 |
| B．XeF2晶体属于离子晶体 |
| C．一个XeF2晶胞中实际拥有2个XeF2 |
D．XeF2晶体中距离最近的两个XeF2之间的距离为 a(a为晶胞边长) |
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【推荐1】常见的铜的硫化物有CuS和Cu2S两种。已知：晶胞中S2-的位置如图1所示，铜离子位于硫离子所构成的四面体中心，它们的晶胞具有相同的侧视图，如图2所示，Cu2S的晶胞参数为a pm，设阿伏加德罗常数的值为NA
下列说法正确的是
下列说法正确的是
| A．S2-是简单立方堆积 |
| B．Cu2S晶胞中，Cu+填充了晶胞中4个四面体空隙 |
| C．CuS晶胞中，S2-配位数为8 |
D．Cu2S晶胞的密度为 |
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【推荐2】磷化硼(BP)是一种超硬耐磨涂层材料，晶胞为正方体形，晶胞参数为apm。下图为沿y轴投影的晶胞中所有硼原子的分布图，P原子位于晶胞的顶角和面心。设NA为阿伏加德罗常数，下列说法错误的是
| A．一个晶胞中含有4个B原子 |
| B．点1可能的原子分数坐标为(0.25，0.25，0.75) |
C．P与B原子的最近距离为 |
D．BP晶体的密度为 |
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为阿伏加德罗常数)
离子中含有的
键为
(结构如图)，含有S—S键的个数为
(结构如图)，
中含有的N—N键个数为
