2 . 以粗盐和石英砂为原料制备纯碱和精硅的流程如下图所示，结合题意回答下列问题：

(1)流程1可在实验室完成，过程如下图所示，若只加一种试剂，则A化学式为________________。

(2)流程2和流程3也可在实验室模拟完成，具体过程如图所示，则a口通入________________气体，c装置固体为________________。

(3)流程4生成的Na₂CO₃，其含有的化学键为________________。
(4)流程7的化学方程式________________。
(5)流程9整个制备过程必须严格控制无氧，若混入O₂，可能引起的后果是________________。
(6)制得的精硅含有微量硼，会影响芯片性能。某实验室利用区域熔炼技术制高纯硅的装置剖面图如图1，将含微量杂质硼的硅晶棒装入石英保温管中，利用加热环自左向右缓慢移动对其进行加热熔炼，已知杂质硼在不同状态的硅中含量分布如图2所示。
   
下列说法中错误的是________________。

A．混有杂质硼的硅晶棒熔点低于纯硅

B．熔炼前，可以用普通玻璃管替换石英保温管

C．熔炼时，加热环移动速度过快可能导致杂质硼分离不彻底

D．熔炼后，硅晶棒纯度右端高于左端

3 . A、B、C、D、E、F、G为短周期元素，原子序数依次增大。A、B两元素最高正价和最低负价代数和为零；D是地壳中含量最高的非金属元素；E和A同主族，G与D同主族；E、F、G的最高价氧化物的水化物两两之间可以反应。
(1)G元素的名称是__________，其在周期表中的位置是_____________，其离子结构示意图为_____________。
(2)的电子式_____________；由A、C原子个数比为5∶1组成的一种化合物，其中各原子均达到稳定结构，该化合物中所含化学键类型为_____________。
(3)B、C形成的最高价氧化物的水化物，酸性由强到弱的顺序为_____________（用分子式表示，下同）；D和G的简单氢化物沸点的由高到低的顺序为_____________。
(4)E和F分别对应的最高价氧化物的水化物相互反应的离子方程式________________。
(5)由C、E组成的一种离子化合物的化学式为，该化合物中两种离子的半径由大到小的顺序是（用离子符号表示）_________________________；该化合物遇水剧烈反应，有刺激性气味的气体生成，该反应的化学方程式为___________________________。

4 . W、X、Y、Z是原子序数依次增大的短周期主族元素，且原子序数总和为25，Y是地壳中含量最多的元素，由这四种元素形成的某化合物结构如图所示。下列叙述不正确的是

A．简单离子半径：Y>Z

B．该化合物具有强氧化性，可杀菌消毒

C．X的最高价氧化物的水化物分子式为

D．该化合物中既含有离子键，又含有极性共价键和非极性共价键

6 . 已知X、Y、Z、W、R是原子序数依次增大的短周期主族元素，X是宇宙中含量最丰富的元素，Y元素的最高正价与最低负价的绝对值相等，Z的核电荷数是Y的2倍，W的最外层电子数是其最内层电子数的3倍。下列说法不正确的是

A．Y的最高价氧化物对应的水化物是弱酸

B．最简单氢化物的热稳定性：R>W

C．R与X形成的化合物同W与Z形成的化合物的化学键类型完全相同

D．原子半径：Z>W>R

7 . 短周期主族元素X、Y、Z、W的原子序数依次增大，X的次外层电子数是其电子总数的，Y是地壳中含量最高的金属元素，X与Z位于同一主族，常用作消毒剂、漂白剂。下列有关叙述正确的是

A．Z和W可以形成化合物，两者含有的化学键类型不同

B．离子半径的大小关系：

C．X、Z形成的简单气态氢化物的热稳定性：

D．相同质量下，的漂白效果好于

8 . 前4周期主族元素X、Y、Z、W的原子序数依次增大，X是空气中含量最多的元素，Y的周期序数与族序数相等，基态时Z原子3p原子轨道上有5个电子，W与Z处于同一主族。下列说法不正确的是

A．X的单质分子中既含σ键又含π键

B．X的第一电离能比同周期相邻元素的大

C．Y的最高价氧化物对应水化物的酸性比Z的强

D．Z的简单气态氢化物的热稳定性比W的强

9 . W、X、Y、Z是原子序数依次增大的短周期主族元素，且原子序数总和为25，Y是地壳中含量最多的元素，由这四种元素形成的某化合物结构如图所示。下列叙述正确的是

A．简单离子半径：

B．该化合物具有强氧化性，可杀菌消毒

C．该化合物中W、X、Y、Z最外层均达到8电子稳定结构

D．W分别与X、Y、Z形成的化合物所含化学键类型相同