1 . 砷化硼和化镓是两种半导体材料。回答下列问题：
(1)基态B原子的核外电子空间运动状态有_____种，基态As原子的未成对电子数是_____。
(2)镓失去电子的逐级电离能依次为577、1984、2961.8，6192，由此推知镓的氧化物化学式可能为____。
(3)通过反应可制备BAs晶体。分子中键角为_______；结构与白磷相似，其中As原子杂化方式是_______，成键电子对与孤电子对数目之比为______。
(4)的熔点为-126℃，而的熔点超过1000℃，二者熔点差异大的原因为______。
(5)GaAs的晶胞结构如图所示．它可以看作As作_____堆积(填堆积方式)，Ga原子处于As原子形成的_____(填“正四面体”或“正八面体”)空隙中，As原子的配位数为_____；GaAs的密度为，Ga和As的相对原子质量分别为a和b，晶胞中Ga与As原子之间最短距离为d pm，则阿伏加德罗常数N_A=______(列出计算式即可)。