1 . 如图甲所示，y轴左侧空间有方向水平向右、电场强度大小为E的匀强电场；y轴右侧空间有垂直xOy平面向里的匀强磁场，同时还有沿y轴负方向的匀强电场（图中未画出）。磁感应强度随时间变化规律如图乙所示（图中量均为未知）。时刻，一质量为m、电荷量为（）的带电粒子在x轴上的M点由静止释放，已知。时刻，粒子到达N点（，L），速度大小为，方向沿x轴正方向，此时撤去所有电场。时刻，粒子经过x轴上点，速度沿x轴正方向。不计粒子重力，求：
（1）y轴右侧的电场强度大小；
（2）的最小值；
（3）当取最小值时，对应的值。
   

3 . 如图所示，离子源产生的甲、乙两种离子，先由静止经电压为U的加速电场加速后在纸面内运动，再从O点沿与磁场边界成角方向射入磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里的有界匀强磁场。已知甲种离子从磁场边界的N点射出，乙种离子从磁场边界的M点射出，长为L，长为，不计离子重力和离子间的相互作用。
（1）求甲种离子的比荷；
（2）求乙种离子在磁场中的运动时间；
（3）若匀强磁场区域同时存在与磁场同方向的匀强电场，电场强度大小，求甲、乙两种离子从叠加场射出的位置间的距离。
   

4 . CT扫描是计算机X射线断层扫描技术的简称，CT扫描机可用于多种病情的探测。图（a）是某种CT机主要部分的剖面图，其中X射线产生部分的示意图如图（b）所示。图（b）中M、N之间有一电子束的加速电场，虚线框内有匀强偏转磁场；经调节后电子束从静止开始沿带箭头的实线所示的方向前进，打到靶上，产生X射线（如图中带箭头的虚线所示）；将电子束打到靶上的点记为P点则（　　）

A．M处的电势高于N处的电势	B．增大M、N之间的加速电压可使P点右移
C．偏转磁场的方向垂直于纸面向外	D．减小偏转磁场磁感应强度的大小可使P点左移

5 . 如图，间距为的平行正对金属板接在电压为U的电源上，以O为圆心、R为半径的圆与极板右端面相切于C，与板间中心线重合。圆区域内存在垂直纸面向里的匀强磁场，是与极板端面平行的半径。位于A处的粒子源向纸面内发射质量为m、电荷量为、速率为v的粒子，初速度方向被限定在两侧夹角均为的范围内。已知沿方向射入磁场的粒子恰好经过C点，所有粒子均打在极板上，不计粒子重力和粒子间的相互作用。求：
（1）圆形区域内匀强磁场的磁感应强度大小；
（2）经过C点的粒子从A处发射出来到打到极板经历的时间；
（3）所有到达极板的粒子动能的最大差值；

6 . 如图所示，金属板M、N正对水平放置，相距为d，绝缘水平挡板P与M、N的尺寸相同，N接地（接地电势为零），M板的电势为（>0），N、P间有垂直纸面向里的匀强磁场，磁感应强度大小为B；质量为m、电荷量为q（q>0）的粒子自N的左上方、距离N为h的位置由静止释放，通过小孔S后粒子恰好不能打到挡板P上，不计粒子重力，则粒子通过小孔时的速度大小v和N、P间的距离L分别为（　　）

A．，	B．，
C．，	D．，

7 . 如图所示，真空中半径为的圆形区域内存在一方向垂直于纸面的匀强磁场．间距的平行金属板M、N间有一匀强电场，N板与磁场边界相切．现有一带正电的粒子从M板上的P孔由静止释放，经电场加速后，以的速度通过N板上的小孔Q垂直进入磁场，离开磁场时，速度方向向左偏转了60°，已知点P、Q、O在同一竖直线上，粒子的比荷，不计重力及相对论效应．求：
（1）M、N两板间的电压U；
（2）磁感应强度B的大小和方向；
（3）粒子从释放到离开圆形磁场区域，经历的总时间（保留2位有效数字）．

8 . CT扫描是计算机X射线断层扫描技术的简称，CT扫描机可用于对多种病情的探测。图（a）是某种CT机主要部分的剖面图，其中X射线产生部分的示意图如图（b）所示。图（b）中M、N之间有一电子束的加速电场，虚线框内有匀强偏转磁场；经调节后电子束从静止开始沿带箭头的实线所示的方向前进，打到靶上，产生X射线（如图中带箭头的虚线所示）；将电子束打到靶上的点记为P点。则（　　）
   

A．M处的电势高于N处的电势

B．增大M、N之间的加速电压可使P点右移

C．偏转磁场的方向垂直于纸面向里

D．增大偏转磁场磁感应强度的大小可使P点右移

9 . 如图，空间存在匀强电场和匀强磁场，电场方向为y轴正方向，磁场方向垂直于xy平面（纸面）向外，电场E和磁场B都可以随意加上或撤除，重新加上的电场或磁场与撤除前的一样。一带正电的粒子质量为m、电荷量为q从P(x=0，y=h)点以一定的速度平行于x轴正向入射。这时若只有磁场，粒子将做半径为R₀的圆周运动；若同时存在电场和磁场，粒子恰好做直线运动．求：
（1）若只有磁场，粒子做圆周运动的半径R₀大小；
（2）若同时存在电场和磁场，粒子的速度大小；
（3）现在，只加电场，当粒子从P点运动到x=R₀平面（图中虚线所示）时，立即撤除电场同时加上磁场，粒子继续运动，其轨迹与x轴交于M点。（不计重力）。粒子到达x=R₀平面时速度v大小以及粒子到x轴的距离；
（4）M点的横坐标x_M。

10 . 在中美贸易战中，中兴的遭遇告诉我们，要重视芯片的自主研发工作，而芯片的基础工作在于半导体的工艺．如图所示，在半导体离子注入工艺中，初速度可忽略的磷离子P⁺和P³⁺，经电压为U的电场加速后，垂直进入方向垂直纸面向里、宽度为D的匀强磁场区域，其中离子P⁺在磁场中转过θ＝30°后从磁场右边界射出．已知P⁺和P³⁺的质量均为m，而电量分别为e和3e（e表示元电荷）．

（1）求匀强磁场的磁感应强度B的大小；
（2）求P³⁺在磁场中转过的角度φ．