组卷网 > 高中物理综合库 > 电磁学 > 静电场 > 带电粒子在电场中的运动 > 带电粒子在匀强电场中的偏转 > 带电粒子在匀强电场中做类抛体运动的相关计算
题型:解答题 难度:0.4 引用次数:389 题号:19620711
物理气相沉积镀膜是芯片制作的关键环节之一,如图1是该设备的平面结构简图,以M点位置为原点建立坐标系.初速度不计的氩离子(比荷)经电压的电场加速后,从C点水平向右进入竖起向下的场强为的匀强电场,恰好打到电场、磁场的竖直分界线I最下方M点(未进入磁场)并被位于该处的金属靶材全部吸收,CM两点的水平距离为0.5m。靶材溅射出的部分金属离子(比荷)从M点沿各个方向进入平面内的两匀强磁场区域,速度大小均为,并沉积在固定基底上,M点到基底的距离为。基底与xy轴方向夹角均为45°,大小相等、方向相同(均垂直纸面向内)的两磁场的分界线Ⅱ过M点且与基底垂直。(两种离子均带正电,忽略重力及离子间相互作用力。)求:
(1)CM两点的高度差;
(2)在平面内,基底上可被金属离子打中后镀膜的区域长度;
(3)金属离子打在基座上所用时间最短时粒子的入射方向与分界线Ⅱ的夹角的正弦值;
(4)两磁场大小不变、方向相反(均垂直纸面),以M点位置为原点建立坐标系,如图2所示,某个从靶材溅射出的金属离子(比荷),从M点以速度射入平面,且与轴正方向的夹角的正切值为0.25,求该金属离子打到基底时,在中的坐标。(基底在轴方向足够大)
      

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(1)电子穿越平行板电容器的时间t
(2)Uc的大小;(结果保留二位有效数字)
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(1)若荧光屏距电容器右侧距离为L1=4d,求粒子打到荧光屏的位置距Q点的距离;
(2)电源电动势E的大小;
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(1)加速电压
(2)时刻进入板间的粒子打在荧光屏上Р点与O点间的距离;
(3)不同时刻进入板间的粒子打在荧光屏上的落点与O点间距的最大值与最小值之比。
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