物理气相沉积镀膜是芯片制作的关键环节之一,如图1是该设备的平面结构简图,以M点位置为原点建立
坐标系.初速度不计的氩离子(比荷
)经电压
的电场加速后,从C点水平向右进入竖起向下的场强为
的匀强电场,恰好打到电场、磁场的竖直分界线I最下方M点(未进入磁场)并被位于该处的金属靶材全部吸收,CM两点的水平距离为0.5m。靶材溅射出的部分金属离子(比荷
)从M点沿各个方向进入
平面内的两匀强磁场区域,速度大小均为
,并沉积在固定基底上,M点到基底的距离为
。基底与xy轴方向夹角均为45°,大小相等、方向相同(均垂直纸面向内)的两磁场
的分界线Ⅱ过M点且与基底垂直。(两种离子均带正电,忽略重力及离子间相互作用力。)求:
(1)CM两点的高度差;
(2)在
平面内,基底上可被金属离子打中后镀膜的区域长度;
(3)金属离子打在基座上所用时间最短时粒子的入射方向与分界线Ⅱ的夹角的正弦值;
(4)两磁场大小不变、方向相反(均垂直纸面),以M点位置为原点建立
坐标系,如图2所示,某个从靶材溅射出的金属离子(比荷
),从M点以速度
射入
平面,且与
轴正方向的夹角的正切值为0.25,求该金属离子打到基底时,在
中的坐标。(基底在
轴方向足够大)
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/0265f17a18ad7e9fec14c07fb39129b2.png)
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/5839642fc77177bae97a8257962b9196.png)
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/14debbf242f88f9e17a744d86557049f.png)
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/c590b1467b3a194017a9bba191f16631.png)
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/4504accaa15f1ef6398ef57007949cf3.png)
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/0265f17a18ad7e9fec14c07fb39129b2.png)
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/252dfb47d92895a0ff2d0422e9b17c76.png)
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/9f1fea9bf1b4c5b8f56d30278de0b850.png)
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/18ed349b75a476ffbbdacacd5bceeb36.png)
(1)CM两点的高度差;
(2)在
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/0265f17a18ad7e9fec14c07fb39129b2.png)
(3)金属离子打在基座上所用时间最短时粒子的入射方向与分界线Ⅱ的夹角的正弦值;
(4)两磁场大小不变、方向相反(均垂直纸面),以M点位置为原点建立
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/fe2d116a23bc33d9e99813515af20cc8.png)
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/4504accaa15f1ef6398ef57007949cf3.png)
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/7ec675c26e8b685294a038895400d7e8.png)
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/3f18b1b0d252fc18e193afca23a3eb7e.png)
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/e81e59019989b7dc2fb59b037ef6e010.png)
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/fe2d116a23bc33d9e99813515af20cc8.png)
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/e81e59019989b7dc2fb59b037ef6e010.png)
![](https://img.xkw.com/dksih/QBM/editorImg/2023/10/1/24443ab0-9905-4126-9797-7a8fbdf9b865.png?resizew=377)
![](https://img.xkw.com/dksih/QBM/editorImg/2023/10/1/e8dc4839-d02d-448f-8601-681c1137cffa.png?resizew=333)
更新时间:2023-07-15 16:17:02
|
相似题推荐
解答题
|
较难
(0.4)
名校
解题方法
【推荐1】在真空中速度为v=6.4×107m/s的电子束连续地射入两平行极板之间。极板长度为L=8.0×10-2m,间距为d=5.0×10-3m。两极板不带电时,电子束将沿两极板之间的中线通过,如图所示。在两极板上加一如图所示的交变电压U=U0sin100πt(V),如果所加电压的最大值U0超过某一值Uc时,将开始出现以下现象:电子束有时能通过两极板,有时间断,不能通过。已知电子的比荷
。求:
![](https://img.xkw.com/dksih/QBM/2018/2/7/1877094126714880/1880906130931712/STEM/dc661950-5f54-4490-bbc4-513d151b406f.png?resizew=399)
(1)电子穿越平行板电容器的时间t;
(2)Uc的大小;(结果保留二位有效数字)
(3)U0为何值才能使通过的时间Δt1跟间断的时间Δt2之比为Δt1∶Δt2=2∶1。(结果保留三位有效数字)
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/48bba60cfdaa8217ef08cb214cb79709.png)
![](https://img.xkw.com/dksih/QBM/2018/2/7/1877094126714880/1880906130931712/STEM/dc661950-5f54-4490-bbc4-513d151b406f.png?resizew=399)
(1)电子穿越平行板电容器的时间t;
(2)Uc的大小;(结果保留二位有效数字)
(3)U0为何值才能使通过的时间Δt1跟间断的时间Δt2之比为Δt1∶Δt2=2∶1。(结果保留三位有效数字)
您最近一年使用:0次
解答题
|
较难
(0.4)
名校
【推荐2】如图所示,水平放置的平行板电容器极板长
d,板间距为d,电容器与电源按下图图所示的方式连接,电阻R1=3R,电源内阻r=R,电容器右侧有一与极板方向垂直足够长的荧光屏。开关s闭合后,一比荷为k的负粒子从电容器左端中间位置以v0的速度沿水平线PMQ射入,该粒子恰好能从下极板的右端点飞出,最终打到荧光屏上:粒子重力不计,求:
(1)若荧光屏距电容器右侧距离为L1=4
d,求粒子打到荧光屏的位置距Q点的距离;
(2)电源电动势E的大小;
(3)若在电容器右侧到荧光屏间的区域中,水平线MQ下方加方向垂直纸面向外,磁感应强度大小为
的匀强磁场,水平线MQ上方加方向垂直纸面向里,磁感应强度大小为
的匀强磁场。若要保证该粒子最终能垂直打到荧光屏上,求荧光屏距电容器右侧距离L2。
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/a7ffe8515ff6183c1c7775dc6f94bdb8.png)
(1)若荧光屏距电容器右侧距离为L1=4
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/a7ffe8515ff6183c1c7775dc6f94bdb8.png)
(2)电源电动势E的大小;
(3)若在电容器右侧到荧光屏间的区域中,水平线MQ下方加方向垂直纸面向外,磁感应强度大小为
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/f5cc2f2dcb524133dd75819a15d71385.png)
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/90d9f2f810f9123100222f56ef533e21.png)
![](https://img.xkw.com/dksih/QBM/2022/1/25/2901992820760576/2902344615575552/STEM/541d50cd-b804-4c87-81e8-0bf4b5c6c62d.png?resizew=414)
您最近一年使用:0次
解答题
|
较难
(0.4)
名校
【推荐3】如图甲所示。真空中水平放置的平行金属板
间距为d。紧邻两板右侧有一荧光屏。O点为荧光屏的中心,
两板间加如图乙所示的变化电压(
已知)。现有大量完全相同的带电粒子由静止开始经加速电场
后。沿平行板正中间水平射入
两板之间。某粒子在
时刻进入
两板。经过时间
打在荧光屏上Р点,已知平行金属板长为L.粒子质量为m、电荷量为q。所有粒子均能从
两板间射出并打在荧光屏上。不计粒子重力和粒子间相互作用。求:
(1)加速电压
;
(2)
时刻进入
板间的粒子打在荧光屏上Р点与O点间的距离;
(3)不同时刻进入
板间的粒子打在荧光屏上的落点与O点间距的最大值与最小值之比。
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/f52a58fbaf4fea03567e88a9f0f6e37e.png)
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/f52a58fbaf4fea03567e88a9f0f6e37e.png)
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/dbe5cb81b72e94f92d2aaecd553daac2.png)
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/9fd5f9ecb870fedb5b9a608d9ca2f911.png)
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/f52a58fbaf4fea03567e88a9f0f6e37e.png)
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/7aeb9a94e392f6759b18abed89aacc5e.png)
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/f52a58fbaf4fea03567e88a9f0f6e37e.png)
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/991769da03d7c0aa78ad71d3afac19e3.png)
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/f52a58fbaf4fea03567e88a9f0f6e37e.png)
(1)加速电压
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/9fd5f9ecb870fedb5b9a608d9ca2f911.png)
(2)
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/7aeb9a94e392f6759b18abed89aacc5e.png)
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/f52a58fbaf4fea03567e88a9f0f6e37e.png)
(3)不同时刻进入
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/f52a58fbaf4fea03567e88a9f0f6e37e.png)
![](https://img.xkw.com/dksih/QBM/2021/10/21/2833950894571520/2834340748492800/STEM/ab533713-14a2-49e9-85c8-8aa8b97dd493.png?resizew=450)
您最近一年使用:0次
解答题
|
较难
(0.4)
名校
【推荐1】如图所示,在纸面上的矩形ABCD区域内,对角线BD以上的区域有电场强度大小为E、方向平行于AD向下的匀强电场,对角线BD以下的区域有方向垂直纸面的匀强磁场(图中未画出),AD边长为L、AB边长为2L。一带电粒子以大小为v0的初速度从A点沿AB方向进入电场,从对角线BD的中点P进入磁场,并从DC边上的M点垂直于DC边离开磁场。不计粒子所受重力。求:
(1)粒子的比荷
;
(2)粒子到达P点时速度v的大小和方向;
(3)磁场的磁感应强度大小B。
(1)粒子的比荷
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/9da659de03afffb155aaa89e6d1f7e70.png)
(2)粒子到达P点时速度v的大小和方向;
(3)磁场的磁感应强度大小B。
![](https://img.xkw.com/dksih/QBM/2020/11/25/2600603003961344/2601141490384896/STEM/51cd0a35-1892-44c4-8bc3-4cd99598e471.png?resizew=246)
您最近一年使用:0次
解答题
|
较难
(0.4)
名校
【推荐2】如图甲所示,在直角坐标系xOy中的四个点P(O,L)、Q(L,0)、M(0,-L)、N(-L、0)为PQMN的四个顶点,在△PQN范围内分布着匀强磁场,磁感应强度B随时间变化的图像如图乙所示(图像中T为未知量),设垂直纸面向外为正方向;△MQN内的匀强磁场与△PQN内的磁场总是大小相等、方向相反。在PQMN区域外,分别存在着场强大小为E的匀强电场,其方向分别与正方形区域PQMN在各象限内的边界垂直且指向正方形内部。质量为m、电荷量为q带正电的粒子在0
内某一时刻从原点O沿y轴正方向射入磁场,此后在xOy平面内做周期性运动。已知粒子在电场内做直线运动,且每当磁场方向发生变化时粒子恰好从电场射磁场。重力不计,忽略粒子运动对电、磁场的影响。上述L、B0、m、q、E为已知量。
(1)若粒子从出发到第一次回到O点过程中,在磁场中运动的时间小于
,求该粒子的初速度;
(2)求满足第一问条件下,粒子从出发到第一次回到O点的路程;
(3)求粒子初速度的所有可能值及对应的磁场变化的周期T。
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/95d510dc27713d0f0aa1d43720f77cfd.png)
(1)若粒子从出发到第一次回到O点过程中,在磁场中运动的时间小于
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/54add973f2d15c78a18ffa2396388e65.png)
(2)求满足第一问条件下,粒子从出发到第一次回到O点的路程;
(3)求粒子初速度的所有可能值及对应的磁场变化的周期T。
![](https://img.xkw.com/dksih/QBM/2020/7/4/2498501559599104/2498696589058048/STEM/ae9da36f-f08a-4982-a65b-bc594775f74a.png?resizew=616)
您最近一年使用:0次
解答题
|
较难
(0.4)
【推荐3】如图所示,有一边长为2L的正方形abcd,内部存在匀强磁场,虚线ef把正方形分成面积相等的上、下两部分,上部磁场磁感应强度大小为B,方向垂直纸面向里,下部磁感应强度大小为0.5B,方向垂直纸面向外。P是bc边上的一点,比荷均为
的带正电粒子甲、乙先后从P点垂直于bc射入磁场,甲的速率是乙的3倍,甲经过直线ef上的Q点时速度与ef成60°角,此时乙才从P点出发,不计粒子重力。
(1)求粒子甲的速度;
(2)当粒子甲从ad边的M点离开时,粒子乙刚好经过ef下方区域中的N点,求N与直线QM的距离;
(3)当粒子甲从ad边的M点离开后经多长时间粒子乙离开磁场。
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/9da659de03afffb155aaa89e6d1f7e70.png)
(1)求粒子甲的速度;
(2)当粒子甲从ad边的M点离开时,粒子乙刚好经过ef下方区域中的N点,求N与直线QM的距离;
(3)当粒子甲从ad边的M点离开后经多长时间粒子乙离开磁场。
![](https://img.xkw.com/dksih/QBM/editorImg/2023/5/19/cca15e7c-6deb-4b8e-890d-8d6899eeb803.png?resizew=191)
您最近一年使用:0次