五种前四周期元素X、Y、Z、W、R在周期表中的位置如图所示。下列叙述正确的是
| A．简单氢化物的沸点：W＜X |
| B．五种元素均在元素周期表的s区 |
| C．电负性：Y＞W＞X |
| D．五种元素所形成单质的晶体类型不同 |
更新时间：2021-07-12 10:42:57
|
相似题推荐
单选题
|
适中
(0.65)
【推荐1】短周期元素X、Y、Z、W的原子序数依次增大，X原子的最外层电子数是其内层电子总数的3倍，Y原子的电子层数和最外层电子数相同，Z单质可制成半导体材料，W与X位于同一主族。下列叙述正确的是
| A．简单离子的半径：Y>W |
| B．Y和Z的单质均能与强碱溶液反应生成氢气 |
| C．最高价氧化物对应的水化物的酸性：Z>W |
| D．简单气态氢化物的热稳定性：W>X |
您最近一年使用：0次
单选题
|
适中
(0.65)
名校
【推荐2】已知短周期元素的离子: aA2+、bB+、cC3-、dD- 都具有相同的电子层结构，则下列叙述正确的是
| A．原子半径A>B>D>C | B．a+2 = b+1= c-3 = d-1 |
| C．单质的还原性A>B>D>C | D．离子半径C>D>B>A |
您最近一年使用：0次
单选题
|
适中
(0.65)
名校
解题方法
【推荐1】短周期元素X、Y、Z、W的原子序数依次增大，X的原子在周期表中半径最小，Y的次外层电子数是其最外层的
，Z单质可与冷水缓慢反应产生X单质，W与Y属于同一主族。下列叙述正确的是
，Z单质可与冷水缓慢反应产生X单质，W与Y属于同一主族。下列叙述正确的是| A．原子半径：W＞Z＞Y |
| B．阴离子的还原性：W＞Y |
| C．X的氧化物中不可能含非极性键 |
| D．由Y元素形成的简单离子与W元素形成的简单离子的核外电子总数可能相同 |
您最近一年使用：0次
单选题
|
适中
(0.65)
【推荐2】短周期主族元素W、X、Y、Z的原子序数依次增大，已知W、X、Y、Z同周期，Y、Z的最高正价之和等于10，Z的族序数是周期数的2倍。W和Z的质子数之和与X和Y的质子数之和相等。下列说法正确的是
| A．简单离子半径：Z>X>W |
| B．Y、Z的简单氢化物的稳定性：Y>Z |
| C．工业上常用电解X的熔融氧化物制取X的单质 |
| D．W与Z形成的化合物的水溶液显酸性 |
您最近一年使用：0次
单选题
|
适中
(0.65)
【推荐3】X､Y､Z､W是原子序数依次增大的短周期主族元素，Y的一种氢化物可用作制冷剂，X､Z､W形成的化合物在农业上可作杀菌剂，结构如图｡下列叙述正确的是
| A．W的氧化物的水化物为强酸 | B．最简单氢化物的沸点：W>Y>X |
| C．X与W形成的溶剂可溶解硫 | D．Z与W形成的化合物仅含离子键 |
您最近一年使用：0次
单选题
|
适中
(0.65)
名校
【推荐1】前四周期元素X、Y、Z、W的原子序数依次增大，X原子中有6个运动状态不同的电子，Y是地壳中含量最多的元素，基态Z原子K、L层上的电子总数是3p原子轨道上电子数的两倍，基态W原子中有6个未成对电子。下列说法不正确的是
A．电负性： ，原子半径： |
| B．同周期中，元素Z的第一电离能最大 |
C．简单氢化物的沸点： |
D．在一定条件下， 和 可以相互转化 |
您最近一年使用：0次
单选题
|
适中
(0.65)
名校
解题方法
【推荐2】高纯单晶硅是重要的半导体材料，在各种集成电路、芯片和CPU的制作中有不可替代的作用。实验室中模拟
制备高纯硅的装置如图所示(夹持装置略去)，下列说法错误的是
已知：电负性
的沸点为
，熔点为
，在空气中易自燃，遇水会剧烈反应。
制备高纯硅的装置如图所示(夹持装置略去)，下列说法错误的是已知：电负性
的沸点为，熔点为，在空气中易自燃，遇水会剧烈反应。A．实验过程中，加热石英管前应先对 进行验纯 |
| B．实验开始时，排尽装置中的空气是为了防止自燃和水解 |
C．尾气通入 溶液中，发生反应的化学方程式为 |
| D．为提高装置Ⅳ中的利用率，装置Ⅲ应使用冷水浴 |
您最近一年使用：0次
<H2O
单选题
|
适中
(0.65)
解题方法
【推荐1】
、
、
、
是周期表中ⅤA族元素。下列说法正确的是
、、、是周期表中ⅤA族元素。下列说法正确的是A．电负性大小： | B．氢化物沸点高低： |
C．酸性强弱： | D．ⅤA族元素单质的晶体类型相同 |
您最近一年使用：0次
单选题
|
适中
(0.65)
【推荐2】下列有关物质结构或性质分类相同的是
A． 模型： 和 | B．晶体类型： 和 |
C．空间结构： 和 | D．分子极性： 和 |
您最近一年使用：0次
和
都能与
、
都难溶于水
