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题型:解答题-结构与性质 难度:0.65 引用次数:571 题号:16273163
掺杂了硒(Se)、 碲(Te) 固溶物的Ag2S是一种具有良好塑性和热电性能的柔性半导体材料,该材料能用于可穿戴式、植入式电子设备的制备。
回答下列问题:
(1)Ag的核外电子排布式是[Kr] 4d105s1,则Ag在元素周期表中的位置是_______。下列属于基态Ag+的电子排布式的是_______(填标号)。
A. [Kr] 4d95s2 B. [Kr] 4dl0 C. [Kr] 4d95s1
(2)S、As、Se、Br在元素周期表中的位置关系如图所示,则As、Se、Br的第一电离能由大到小的顺序为_______ 的空间构型为_______
S
AsSeBr
(3)金属Ge也是一种良好的半导体,利用离子液体[EMIM] [AlCl4]可电沉积还原金属Ge,该离子液体的熔点只有7℃,其中EMIM+结构如图所示。

①EMIM+中C原子的杂化类型是_______
②EMIM+中σ键数: π键数=_______
③该离子液体的熔点比较低的原因是_______
(4)ZnS的立方晶胞结构如下图所示:

①ZnS晶体中,与S2-距离最近且等距的Zn2+的个数是_______
②ZnS的晶胞边长为a pm,则晶体的密度为_______g·cm-3(用含a、NA的代数式表示,NA为阿伏加德罗常数的值)。

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【推荐1】某市售照明材料LED晶片是一种发光二极管。材质组成为:GaAs(砷化镓)、AlGaInP(磷化铝镓铟)、GaInN(氮化镓铟)等。请回答下列问题:
(1)砷基态原子的核外电子排布式为______________________
(2)上述非金属元素氢化物的沸点从高到低的顺序为___________
(3)下列说法正确的是___________
a.电负性:As<Ga             b.Sic与GaAs互为等电子体             c.第一电离能:As>Se>Ga
(4)如图所示为GaAs的晶胞结构,晶体熔点为1237℃。
   
①晶胞中砷与镓原子间的化学键类型有___________
②一个镓原子周围所有距离最近且相等的砷原子形成的空间构型是___________
③一个晶胞的组成为___________
④已知晶胞棱长a=5.64×10-10m,相对原子质量Ga∶70,As∶75,则该晶胞密度为ρ=___________
2018-01-25更新 | 162次组卷
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【推荐2】CuCl和CuCl2都是重要的化工原料,常用作催化剂、颜料、防腐剂和消毒剂等。已知:①CuCl可以由CuCl2用适当的还原剂如SO2、SnCl2等还原制得:
2Cu2++2Cl-+SO2+2H2O=2CuCl↓+4H++
2CuCl+SnCl2=2CuCl↓+SnCl4
②CuCl2溶液与乙二胺(H2N—CH2—CH2—NH2)可形成配离子[Cu(En)2]2+(En是乙二胺的简写):

   

请回答下列问题:
(1)配离子[Cu(En)2]2+的中心原子基态外围电子排布式为_______,H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是_______
(2)SO2分子的空间构型为_______
(3)乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为_______,乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均属于胺,但乙二胺比三甲胺的沸点高的多,原因是_______
(4)配离子[Cu(En)2]2+的配位数为_______
(5)配离子[Cu(En)2]2+含有的微粒间的作用力类型有_______(填字母);
A.配位键B.极性键C.离子键D.非极性键E.氢键F.金属键
(6)CuCl的晶胞结构如图所示,其中Cl-的配位数(即与Cl- 最近距离的Cu+的个数)为_______

   

2016-12-09更新 | 273次组卷
解答题-结构与性质 | 适中 (0.65)
【推荐3】磷的单质和化合物在科研与生产中有许多重要用途,铜及其合金是人类最早使用的金属材料。请回答下列问题:
(1)白磷是磷的一种单质,其分子结构如图所示,则一个分子中有____对成键电子对和____对孤电子对。


(2)N和P都有+5价,PCl5能形成离子型晶体,晶格中含有[PCl4]+和[PCl6],则[PCl4]+空间构型为______
(3)电负性比较:P_____S(填“>”“=”“<”);而P的第一电离能比S大的原因是______
(4)铜及其合金是人类最早使用的金属材料,Cu2+能与NH3形成配位数为4的配合物[Cu(NH3)4]SO4
①铜元素在周期表中的位置是__________ ,1mol[Cu(NH3)4]SO4 ___mol配位键 ;②[Cu(NH3)4]SO4中,存在的化学键的类型有_____(填标号)。
A.离子键       B.金属键     C.配位键       D.非极性键       E.极性键
(5)磷化镓(GaP)材料是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料。GaP的晶体结构是闪锌矿型结构(如图所示),晶胞参数apm。


①与Ga紧邻的P个数为________
②GaP晶体的密度为(列出计算式) ______g·cm-3(NA为阿伏伽德罗常数)。
2018-12-20更新 | 111次组卷
共计 平均难度:一般