1 . 第三代半导体材料氮化镓(GaN)有多种制备方法：
方法Ⅰ：
方法Ⅱ：
方法Ⅲ：
(1)基态的核外电子排布式为___________。
(2)氨气、甲烷中心原子的杂化方式是___________，分子构型分别为___________、___________。氨气熔沸点高于甲烷，是因为固体、液态氨气分子中存在氢键。在固体氨中每个氨气分子与6个氨气形成氢键，请画出其氢键___________。
(3)方法Ⅰ比方法Ⅱ温度高的主要原因是(从结构上解释)___________。
(4)方法Ⅲ中，通电氮气流中存在N、、活化粒子，常温下就能与液体镓反应(如图所示)。、电子式分别为___________、___________，1mol完全反应得到___________mol。
   
(5)对高温GaN熔液慢速降温，至2950K时形成结晶。科学家展示了从中截取厚度为1.5个原子厚度的微观结构截面图(如下所示)：
   
区域1、区域2分别为氮化镓___________、___________(填“结构A”或“结构B”)的结构。