1 . 如图所示，正六边形abcdef区域内有垂直于纸面向外的匀强磁场。一带电粒子从a点沿ad方向射入磁场，当速度大小为v₁时，粒子从b点离开磁场；当速度大小为v₂时，粒子从c点离开磁场，不计粒子重力，则v₁与v₂的大小之比为（　　）

A．1:3

B．1:2

C．2:1

D．1:4

2 . 如图，在半径为R的圆形区域内有匀强磁场，磁感应强度为B，方向垂直于圆平面向里（未画出）。一群比荷为的负离子以相同速率（较大），由P点在纸平面内向不同方向射入磁场中，发生偏转后又飞出磁场，则下列说法正确的是（　 　）

A．各离子飞出磁场的速度一定相同

B．沿PQ方向射入的离子运动的轨道半径最长

C．沿PQ方向射入的离子飞出时偏转角最大

D．在Q点飞出的离子在磁场中运动的时间最长

3 . 如图所示，空间的某一区域存在着相互垂直的匀强电场和匀强磁场，一个带电粒子以某一初速度由A点进入这个区域沿直线运动，从C点离开区域；如果将磁场撤去，其他条件不变，则粒子从B点离开场区；如果将电场辙去，其他条件不变，则这个粒子从D点离开场区．已知，粒子重力忽略不计，关于上述三种运动情况，以下说法正确的是（       ）

A．从A到B时间最长	B．从A到C时间最短
C．离开B点时动能最大	D．离开D点时动能最大

4 . 真空区域有宽度为L、磁感应强度为B的匀强磁场，磁场方向如图所示，MN、PQ是磁场的边界。质量为m、电荷量为的粒子（不计重力）从MN边界某处射入磁场，刚好没有从PQ边界射出磁场，当再次从MN边界射出磁场时与MN夹角为30°，则（　　）

A．粒子进入磁场时速度方向与MN边界的夹角为60°

B．粒子在磁场中转过的角度为60°

C．粒子在磁场中运动的时间为

D．粒子能从PQ边界射出磁场时的速度大于

5 . 如图为半导体离子注入工艺原理示意图。离子经电压为U的电场加速后，垂直进入宽度为d的匀强磁场区域，转过一定角度后从磁场射出，注入半导体内部达到掺杂的目的。已知磁感应强度大小为、方向垂直纸面向里，离子的质量为m，元电荷为e。则离子在磁场中转过的角度为（   ）

A．

B．60°

C．37°

D．

6 . 如图所示，在一个直角三角形区域ACB内存在方向垂直于纸面向里、磁感应强度为B的匀强磁场，AB、BC、AC为磁场边界，AC边长为，。一质量为m、电荷量为的粒子从AB边上的D点垂直于磁场边界AB射入匀强磁场，已知AD长为a（不计粒子重力，，）。下列说法不正确的是（　　）

A．带电粒子有可能从AC边射出

B．只要带电粒子从AB边射出，则带电粒子在磁场中运动的时间都相等

C．带电粒子恰不从BC边射出磁场区域时对应的速度为

D．随着带电粒子速度的增大，带电粒子在磁场中运动的时间越来越短

7 . 如图，圆形区域内有垂直纸面向里的匀强磁场，带电粒子从圆周上的M点沿直径MON方向射入磁场。粒子第一次在磁场中运动的轨迹半径为r₁，离开磁场时速度方向偏转90°；第二次在磁场中运动的轨迹半径为r₂，离开磁场时速度方向偏转60°，不计重力，则为（       ）

A．

B．

C．

D．3

8 . 如图所示，半径为R的圆是一圆柱形匀强磁场区域的横截面（纸面），磁感应强度大小为B，方向垂直于纸面向外。一带正电的粒子，质量为m，带电量为q，沿平行于直径ab的方向射入磁场区域，射入点与ab的距离为。已知粒子射出磁场与射入磁场时运动方向间的夹角为30°，则粒子的速率为（该粒子不计重力）（　　）

A．

B．

C．

D．

9 . 如图所示，在边界PQ上方有垂直纸面向里的匀强磁场，一对正、负电子同时从边界上的O点沿与PQ成角的方向以相同的速度v射入磁场中，则正、负电子（　　）

A．在磁场中的运动时间相同	B．在磁场中运动的位移相同
C．出边界时两者的速度相同	D．正电子出边界点到O点的距离更大

10 . 如图所示，半径为R的圆形区域内有一垂直纸面向里的匀强磁场，P为磁场边界上的一点。大量质量为m、电荷量为q的带正电粒子，在纸面内沿各个方向以相同速率v从P点射入磁场。这些粒子射出磁场时的位置均位于PQ圆弧上，PQ圆弧长等于磁场边界周长的。不计粒子重力和粒子间的相互作用，则该匀强磁场的磁感应强度大小为（　　）

A．

B．

C．

D．