在半导体离子注入工艺中,初速度可忽略的离子P+和P3+,经电压为U的电场加速后,垂直进入磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里,有一定的宽度的匀强磁场区域,如图所示。已知离子P+在磁场中转过θ=30°后从磁场右边界射出。在电场和磁场中运动时,离子P+和P3+( )
![](https://img.xkw.com/dksih/QBM/2021/12/27/2881638245089280/2882128461479936/STEM/c205d37b-6337-4aed-a3b0-67cb96102ab4.png?resizew=106)
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A.在磁场中运动的半径之比为3∶1 | B.在电场中的加速度之比为1∶1 |
C.在磁场中转过的角度之比为1:2 | D.离开电场区域时的动能之比为1:![]() |
更新时间:2021-12-28 10:08:16
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【推荐1】如图是荷质比不同的电荷a、b两粒子以相同速率从O点沿OA方向进入正三角形区域垂直纸面向里的匀强磁场的运动轨迹,则( )
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A.a、b都带负电荷 |
B.a所带电荷量比b多 |
C.a的荷质比比b的小 |
D.a在磁场中的运动时间比b的长 |
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【推荐2】如图,以直角三角形ABC为边界的区域内存在垂直纸面向里的匀强磁场,其中∠A=90°,∠B=30°,AC=a,A点的发射源能向磁场区域内任意方向发射带负电的粒子,粒子的初速度为
,粒子的比荷为
,粒子初速度的方向与边界AB的夹角用
表示,忽略粒子的重力以及粒子间的相互作用,则( )
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A.粒子不可能经过C点 |
B.要使粒子在该场中运动的时间最短,则![]() |
C.若![]() |
D.这些粒子经过边界BC区域的长度为a |
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名校
【推荐1】如图所示,在第Ⅱ象限内有水平向右的匀强电场,电场强度为E,在第Ⅰ、Ⅳ象限内分别存在如图所示的匀强磁场,磁感应强度大小相等。有一个带电粒子以垂直于x轴的初速度
从x轴上的P点进入匀强电场中,并且恰好与y轴的正方向成45°角进入磁场,又恰好垂直于x轴进入第Ⅳ象限的磁场。已知OP之间的距离为d,则带电粒子在磁场中第二次经过x轴时,在电场和磁场中运动的总时间为( )
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A.![]() | B.![]() | C.![]() | D.![]() |
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名校
【推荐2】如图是洛伦兹力演示仪,演示仪中电子枪射出的电子束,能使玻璃泡中稀薄的气体发出辉光,显示出电子的径迹。设电子的电量为e,质量为
,电子枪的加速电压为
,两线圈之间的磁感强度为
,方向垂直纸面向外,忽略电子所受重力及电子间的相互作用。下列说法正确的是( )
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A.电子从电子枪射出时速度大小为![]() |
B.电子枪中射出的电子束做顺时针的匀速圆周运动 |
C.电子在磁场中运动时,洛伦兹力对电子做正功 |
D.增大电子枪的加速电压为U,电子在磁场中运动的轨道半径r将增大 |
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