X、Y、Z、M为原子序数依次增大的短周期主族元素。Y元素的最高正价与最低负价绝对值相等，Y元素与Z、M元素相邻，且与M元素同主族；化合物Z2X4的电子总数为18。下列说法错误的是
| A．第一电离能：Z>Y>M |
| B．Y、Z分别与X形成的最简单化合物的键角：Z<Y |
| C．仅由X、Y、Z形成的化合物可能为离子晶体 |
| D．1molMY晶体中含有1molM—Y键 |
更新时间：2023-07-10 17:33:51
|
相似题推荐
单选题
|
适中
(0.65)
名校
解题方法
【推荐1】下列说法中正确的是
| A．第四周期元素中，未成对电子数最多的元素为Cr |
| B．N、O、F的最高正化合价依次升高 |
| C．最外层电子数为2的元素都分布在s区 |
| D．电负性越大，元素的非金属性越强，第一电离能也越大 |
您最近一年使用：0次
单选题
|
适中
(0.65)
名校
解题方法
【推荐2】如图为周期表的一小部分， A、B、C、D、E的位置关系如图所示。其中B元素最高化合价是最低化合价绝对值的3倍，它的最高价氧化物中含氧60%。下列说法正确的是
| A | ||
| D | B | E |
| C |
| A．D、B、E三种元素的第一电离能逐渐增大 |
| B．B元素最高价氧化物对应的水化物是强酸 |
| C．A元素是空气中含量最多的元素 |
D．简单气态氢化物的稳定性： |
您最近一年使用：0次
单选题
|
适中
(0.65)
名校
【推荐1】右丙氧芬与左丙氧芬结构如图所示，前者具有镇痛作用，后者具有止咳作用。下列说法正确的是。
说明：左图中，实线表示处于纸平面内的键，实楔形线(
)表示伸向纸平面前方的键，虚楔形线(
)表示伸向纸平面后方的键。
说明：左图中，实线表示处于纸平面内的键，实楔形线(
)表示伸向纸平面前方的键，虚楔形线()表示伸向纸平面后方的键。| A．右丙氧芬和左丙氧芬分子中都只含有1个手性碳原子 |
| B．右丙氧芬与左丙氧芬互为对映异构体 |
C．右丙氧芬分子中氮碳键之间的夹角与 中氮氢键之间的夹角相同 |
| D．右丙氧芬和左丙氧芬均易溶于水 |
您最近一年使用：0次
单选题
|
适中
(0.65)
解题方法
【推荐2】下列有关晶体及配合物结构和性质的判断错误的是
| 选项 | 结构和性质 | 相应判断 |
| A | 贵金属磷化物Rh2P可用作电解水的高效催化剂，其立方晶胞如图所示 | 该晶体中磷原子的配位数为8 |
| B | 配离子[Co(NO2)6]3-可用于检验K+的存在 | 该离子的配体是NO2 |
| C | GaN、GaP、GaAs都是良好的半导体材料，晶体类型与碳化硅晶体类似 | GaN、GaP、GaAs的熔点依次降低 |
| D | 氨硼烷(NH3BH3)被认为是最具潜力的新型储氢材料之一 | 分子中存在配位键，提供空轨道的原子是硼原子 |
| A．A | B．B | C．C | D．D |
您最近一年使用：0次
杂化
的键角大于
的键角
单选题
|
适中
(0.65)
【推荐1】已知
发生水解反应的机理如图：
下列叙述正确的是
发生水解反应的机理如图：下列叙述正确的是
| A．与HSiClO均属于极性分子 |
B．的键角与白磷( )的键角均为60° |
C． 加热分解得到的 晶体中最小环是十二元环 |
D．等物质的量的 与晶体含有相同数目的 键 |
您最近一年使用：0次
单选题
|
适中
(0.65)
解题方法
【推荐2】如表所示为部分化学键的键能数据，由键能数据大小，不能解释下列事实的是
| 化学键 |  |  |  |  |  |  |  |  |
键能 | 413 | 348 | 745 | 326 | 318 | 226 | 452 | 347 |
A．硬度：金刚石 碳化硅 |
| B．熔、沸点：金刚石＞CO2 |
| C．SiH4的稳定性小于CH4，更易生成氧化物 |
| D．硅与碳同族，也有系列氢化物，但硅烷在种类和数量上都远不如烷烃多 |
您最近一年使用：0次
