组卷网 > 高中化学综合库 > 常见无机物及其应用 > 碳族元素及其化合物 > 硅单质 > 硅的制备
题型:解答题-无机推断题 难度:0.85 引用次数:223 题号:8048516
1869年俄国化学家门捷列夫制出第一张元素周期表,到现在形成的周期表经过了众多化学家的艰辛努力,历经150年。元素周期表体现了元素位、构、性的关系,揭示了元素间的内在联系。下表是元素周期表的一部分,针对表中的①~⑩中元素,用元素符号或化学式填空回答以下问题:
        主族
周期
IAIIAIIIAIVAVAVIAVIIA0
2
3
4

(1)表中化学性质最不活泼的元素,其原子结构示意图为___
(2)元素①的单质电子式为____
(3)比较③、⑤元素的金属性强弱___>___;并写出它们最高价氧化物对应的水化物间反应的化学方程式____
(4)上述元素的最高价氧化物对应的水化物中,酸性最强的是____
(5)在元素③、④、⑤、⑦、⑧形成的简单离子中,半径最小的是_____
(6)工业制取⑥的单质的反应的化学方程式为_______

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解答题-实验探究题 | 较易 (0.85)
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【推荐1】实验室用还原(沸点:,易与水反应)制备高纯硅的装置如图所示(夹持装置和尾气处理装置已略去)。

回答下列问题:
(1)装置I中发生反应的离子方程式为___________
(2)装置II盛装的是___________,作用是___________;装置III水浴加热的目的是___________
(3)实验开始时应先___________,再___________,这样操作的目的是___________
(4)装置导出的气体在空气中易形成白雾,写出装置中发生反应的化学方程式:_______
(5)可利用高纯硅制备甲硅烷,其转化过程为高纯硅(同时有生成)。反应②中生成的体积之比为___________
2024-02-10更新 | 101次组卷
解答题-工业流程题 | 较易 (0.85)
【推荐2】多晶硅是单质硅的一种形态,是制造硅抛光片、太阳能电池及高纯硅制品的主要原料。
(1)已知多晶硅第三代工业制取流程如图所示。
发生的主要反应
电弧炉SiO2+2CSi+CO↑
流化床反应器Si+3HClSiHCl3+H2
①物质Z的名称是_______
②用石英砂和焦在电弧炉中高温加热也可以生产碳化硅,该反应的化学方程式为_______
③在流化床反应的产物中,SiHCl3大约占85%,还有SiCl4、SiH2Cl2、SiH3Cl等,有关物质的沸点数据如表,提纯SiHCl3的主要工艺操作依次是沉降、冷凝和_______
物质SiSiCl4SiHCl3SiH2Cl2SiH3ClHClSiH4
沸点/℃235557.631.88.2-30.4-84.9-111.9
(2)利用晶体硅的粉末与干燥的氮气在1300~1400℃下反应,可制取结构陶瓷材料氮化硅(Si3N4)。现用如图所示装置(部分仪器已省略)制取少量氮化硅。

①装置II中所盛试剂为_______
②装置I和装置皿均需要加热,实验中应先_______(填“皿”或“I”)的热源。
(3)由晶体硅制成的n型半导体、p型半导体可用于太阳能电池。一种太阳能储能电池的工作原理如图所示,已知锂离子电池的总反应为:Li1-xNiO2+xLiC6LiNiO2+xC6。完成下列问题。

①该锂离子电池充电时,n型半导体作为电源_______.(填“正”或“负”)极。
②该锂离子电池放电时,b极上的电极反应式为_______
2021-03-18更新 | 607次组卷
解答题-工业流程题 | 较易 (0.85)
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解题方法
【推荐3】以含硅废石(主要成分为SiO2、含少量Fe3O4、Al2O3等杂质)为原料,工业上有以下两种制备高纯硅的工艺。已知:SiCl4沸点57.7 °C ,遇水强烈水解;SiHCl3沸点31.5°C,且能与H2O强烈反应,并在空气中易自燃。

(1)为了提高酸浸速率,可以采取的措施是__________ (写出一种措施)。
(2)酸浸所得的浸液中含有的金属离子是__________ (填化学式)。
(3)检验酸浸所得固体是否洗涤干净的方法是__________
(4)还原过程已得到单质硅,但还要进行后续操作的目的是__________,还原过程若加入的焦炭过量,反应所得固体粗硅中可能含有杂质__________
(5)分别写出工艺I和工艺II均在高温条件下制备纯硅的化学方程式:____________________,工艺II与工艺I 相比,制备纯硅的优点是__________
2022-08-18更新 | 216次组卷
共计 平均难度:一般