价层电子对互斥理论的应用练习题及答案-江津高中化学高二-组卷网

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解析

| 共计 1 道试题

单选题 | 适中(0.65) |

1 . 被誉为第三代半导体材料的氮化镓(GaN)硬度大、熔点高，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用前景广阔。一定条件下由反应：2Ga+2NH₃=2GaN+3H₂制得GaN，下列叙述不正确的是

A．GaN为共价晶体

B．NH₃分子的VSEPR模型是三角锥形

C．基态Ga原子的价层电子排布式为4s²4p¹

D．已知GaN和AlN的晶体类型相同，则熔点：GaN<AlN

2023-06-30更新 | 213次组卷 | 1卷引用：重庆市江津中学等七校2022-2023学年高二下学期期末联考化学试题