2 . 半导体掺杂是集成电路生产中最基础的工作，即通过离子注入的方式优化半导体。某半导体掺杂机的简化模型如图所示，在棱长为L的正方体区域中存在着互相垂直的匀强电场和匀强磁场，一束带电粒子（重力不计）从面中央处以速度垂直射入正方体后，恰好不改变运动方向。若粒子入射时只有磁场存在，则粒子从bc边中点N离开正方体区域。若粒子入射时只有电场存在，粒子从面离开。
（1）粒子只在磁场中的运动半径；
（2）粒子只在电场中的加速度；
（3）粒子只在电场中离开的位置与N点之间的距离。

4 . 如图甲所示，真空中存在匀强电场和匀强磁场，电场、磁场的边界互相平行且与电场方向垂直，一质量为m、电荷量为q的带正电的粒子（不计重力）在电场左侧边界某处由静止释放，进入电场和磁场区域。已知电场和磁场的宽度均为d，长度足够长，电场强度大小为E，方向水平向右，磁感应强度大小为，方向垂直纸面向里。
（1）求粒子在图甲磁场中运动的轨道半径r及运动时间t；
（2）图乙为图甲的多级组合，粒子从第1层电场左侧边界某处由静止释放，若能从第n层磁场右边界飞出，求粒子在第n层磁场中运动的轨道半径r_n；
（3）改变图乙中电场强度与磁感应强度的大小关系，粒子仍从第1层电场左侧边界某处由静止释放，已知粒子从第6层磁场右侧边界穿出时，速度的方向与水平方向的夹角为。若保证粒子不能从第n层磁场右边界穿出，n至少为多少。

5 . 如图所示，一水平分界线把足够长的竖直边界和之间的空间分为上下两部分，上方区域存在竖直向下的匀强电场，下方区域存在垂直纸面向外的匀强磁场。在和边界上，距高处分别有P、Q两点。一电荷量为、质量为的带正电的粒子（重力不计）以初速度从点垂直于边界进入匀强电场，经偏转后从边界进入匀强磁场，并恰好不从边界射出。若匀强电场的电场强度。
(1)求粒子刚进入磁场时的速度；
(2)求匀强磁场的磁感应强度；
(3)调节与两边界间的距离，使粒子恰好从点离开边界，求粒子从点进入电场到点离开边界运动时间的可能值。

6 . 如图所示，有一垂直于纸面向外的有界匀强磁场，磁场的磁感应强度为B，其边界为一边长为L的正三角形（边界上有磁场），A、B、C为三角形的三个顶点。今有一质量为m、电荷量为＋q的粒子（不计重力），以速度从AB边上的某点P以既垂直于AB边又垂直于磁场的方向射入磁场，然后从BC边上某点Q射出。则（　　）

A．	B．PB≤L
C．QB≤L	D．QB≤L

7 . 如图所示，在竖直平面xOy内，x轴上方，以坐标原点O为圆心、半径为R的半圆与坐标轴分别交于a、b、c点。abc的同心半圆弧与坐标轴交于、、，圆心O与圆弧之间分布着的辐射状电场，电场方向沿半径背离圆心向外，圆心O与圆弧电势差为U。x轴上方半圆abc外区域存在着上边界为y=2R的垂直纸面向里的足够大匀强磁场，磁感应强度为B。半圆abc内无磁场。正电粒子的粒子源在O点，粒子从坐标原点O被辐射状的电场由静止加速后进入磁场。从b点进入磁场的粒子恰好不能从磁场上边界射出磁场。不计粒子的重力以及粒子之间的相互作用，不考虑粒子从磁场返回圆形区域边界abc后的运动。试求：
(1)带电粒子的比荷；
(2)上边界y=2R上有带电粒子射出磁场部分的长度；
(3)现在只改变磁场高度，磁场上边界变为，试求垂直于磁场上边界射出磁场的粒子在磁场中运动的时间。

8 . 如图所示，在x轴的上方存在着垂直于纸面向外、磁感应强度为B的匀强磁场，在x轴上坐标为到区域存在宽度为的屏，可以吸收打到屏上的粒子，在第三象限存在半径为R的圆形匀强磁场，磁场方向垂直纸面向外，磁感应强度为2B，磁场边界与y轴相切于P点，P点有一粒子源，可射出按角度均匀分布、速度大小相等的带正电粒子，粒子射出方向在与x轴负方向两边各53°区域内，其中沿x轴负方向射出的粒子从位置垂直于x轴进入上方的磁场区域。已知粒子质量为m、电荷量为q。求：
（1）P点射出的粒子速度大小v。
（2）屏能接收到的粒子数与P点射出的粒子数的比值。
（3）若屏保持与x轴平行，仅沿y轴方向移动，求使粒子全部能打到屏上，屏的纵坐标，以及全部打不到屏上，屏的纵坐标应满足的条件。

9 . 如图所示，在0≤x≤a的区域I内有垂直于纸面向里的匀强磁场．在x＞a的区域Ⅱ内有垂直于纸面向外的匀强磁场，磁感应强度的大小均为B₀．质量为m、电荷量为q（q＞0）的粒子沿x轴从原点O水平射入磁场．当粒子射入速度不大于v₀时，粒子在进场中运动的时间都相同，求：

(1)速度v₀的大小；
(2)若粒子射入磁场的速度大小为，其轨迹与x轴交点的横坐标；
(3)调节区域Ⅱ磁场的磁感强度为λB₀，使粒子以速度nv₀（n＞1）从O点沿x轴射入时，粒子均从O点射出磁场，n与λ满足的关系.

10 . 如图所示，S处有一电子源，可向纸面内任意方向发射电子，平板MN垂直于纸面，在纸面内的长度L=9.1cm，中点O与S间的距离d＝4.55cm，MN与SO直线的夹角为θ，板所在平面有电子源的一侧区域有方向垂直于纸面向外的匀强磁场，磁感应强度B＝2.0×10^－4T，电子质量m＝9.1×10^－31kg，电荷量e＝－1.6×10^－19C，不计电子重力．电子源发射速度v＝1.6×10⁶m/s的一个电子，该电子打在板上可能位置的区域的长度为l，则

A．θ＝90°时，l＝9.1cm	B．θ＝60°时，l＝9.1cm
C．θ＝45°时，l＝4.55cm	D．θ＝30°时，l＝4.55cm