1 . 如图所示，在第一象限内有垂直纸面向里的匀强磁场，正、负电子分别以相同速度沿与 x 轴成 30°角的方向从原点垂直磁场射入，则负电子与正电子在磁场中运动时间之比为（　　）

A．1：2

B．2：1

C．1：

D．1：1

2 . 通过测量质子在磁场中的运动轨迹和打到探测板上的计数率（即打到探测板上质子数与衰变产生总质子数N的比值），可研究中子（）的衰变。中子衰变后转化成质子和电子，同时放出质量可视为零的反中微子。如图所示，位于P点的静止中子经衰变可形成一个质子源，该质子源在纸面内各向均匀地发射N个质子。在P点下方放置有长度以O为中点的探测板，P点离探测板的垂直距离为a。在探测板的上方存在方向垂直纸面向里，磁感应强度大小为B的匀强磁场。
已知电子质量，中子质量，质子质量（c为光速，不考虑粒子之间的相互作用）。
若质子的动量。
（1）写出中子衰变的核反应式，求电子和反中微子的总动能（以为能量单位）；
（2）当，时，求计数率；
（3）若取不同的值，可通过调节的大小获得与（2）问中同样的计数率，求与的关系并给出的范围。

3 . 如图所示， 在平面直角坐标系xOy的第四象限有垂直纸面向里的匀强磁场，一质量为 电量为 的带电粒子。从静止开始经的电压加速后，从P点沿图示方向进入磁场，已知，（粒子重力不计，，

求：

（1） 带电粒子到达 P 点时速度v大小；

（2）若要求粒子不能进入x轴上方，磁感应强度的最小值B是多大（要求画出粒子运动的轨迹）。

   

5 . 如图所示，在平面直角坐标系xOy的第一、二象限内，存在垂直纸面向外的匀强磁场，磁感应强度大小为B。大量质量为m、电量为q的相同粒子从y轴上的点，以相同的速率在纸面内沿不同方向先后射入磁场。当沿x轴正方向射入时，粒子垂直x轴离开磁场，不计粒子的重力，则（　　）

A．粒子一定带正电

B．粒子入射速率为

C．粒子在磁场运动的最短时间为

D．粒子离开磁场的位置到O点的最大距离为2L

6 . 在芯片制造过程中，离子注入是其中一道重要的工应。为了准确的注入离子，需要在一个空间中用电场、磁场对离子的运动轨迹进行调控。图所示便是一种调控粒子轨迹的模型。如图所示，在平面（纸面）内，空间存在方向垂直纸面向里的匀强磁场，第三象限空间存在方向沿轴正方向的匀强电场。一质量为、电荷量为的带正电粒子（不计重力），以大小为、方向与轴垂直的速度沿纸面从坐标为的点进入电场中，然后从坐标为的点进入磁场区域，再次垂直经过轴之后，最后从轴正半轴上的点（图中未画出）射出磁场。求：
（1）电场强度的大小；
（2）磁场的磁感应强度大小；
（3）粒子从点运动到点所用的时间

7 . 图中的S是能在纸面内的360°方向发射电子的电子源，所发射出的电子速率均相同。MN是一块足够大的竖直挡板，与电子源S的距离OS = L，挡板的左侧分布着方向垂直纸面向里的匀强磁场，磁感强度为B。设电子的质量为m，带电量为e，问：
（1）要使电子源发射的电子能达到挡板，则发射的电子速率至少要多大？
（2）若电子源发射的电子速率为，挡板被电子击中的长度是多大？电子到达挡板的最短时间是多少？
（3）该电子源在纸面内各向均匀地发射N个电子，在满足（2）问的情况下，击中挡板的电子个数是多少？

8 . 如图所示，边长为L的等边三角形区域ACD内、外的匀强磁场的磁感应强度大小均为B、方向分别垂直纸面向里、向外。三角形顶点A处有一质子源，能沿∠A的角平分线发射速度大小不等、方向相同的质子（质子重力不计、质子间的相互作用可忽略），所有质子恰能通过D点，已知质子的比荷，则质子的速度可能为（　　）

A．	B．BkL
C．	D．

9 . 如图所示，在边长为L的等边三角形区域ABC内存在着垂直纸面的匀强磁场（未画出），磁感应强度大小为，大量质量为m、带电荷量为q的粒子从BC边中点O沿不同的方向垂直于磁场以速率v₀射入该磁场区域，不计粒子重力，则下列说法正确的是（　　）

A．所有粒子在磁场中做匀速圆周运动的轨迹半径为

B．所有粒子在磁场中做匀速圆周运动的周期为

C．对于从AB和AC边射出的粒子，在磁场中运动的最长时间为

D．对于从AB和AC边射出的粒子，在磁场中运动的最短时间为

10 . 如图所示，宽度为的有界匀强磁场，磁感应强度为，和是它的两条边界。现有质量为，电荷量的绝对值为的带电粒子以方向射入磁场。要使粒子不能从边界射出，则粒子入射速度的最大值可能是（　　）
   

A．

B．

C．

D．