1 . 在芯片制造过程中，离子注入是其中一道重要的工序。为了准确的注入离子，需要在一个有限空间中用电磁场对离子的运动轨迹进行调控。现在我们来研究一个类似的模型。在空间内存在边长的立方体，以为坐标原点，沿、和方向分别建立x、y、z轴。在面的中心M处存在一粒子发射源，可在底面内平行于底面沿任意方向发射初速度，比荷的带正电粒子。在区域内施加一定的匀强电场或者匀强磁场，使粒子可以达到相应的空间位置。不计重力，则：
（1）在立方体内施加沿轴正向的匀强电场，使粒子只能从面飞出，求施加电场的电场强度的最小值；
（2）在立方体内施加沿轴正向的匀强磁场，若磁感应强度大小为，求粒子在磁场中运动时间的最小值。（）（结果可保留π和分式）

2 . 质量和电荷量都相等的带电粒子M和N，以不同的速率经小孔S垂直进入匀强磁场，运行的半圆轨迹如图中虚线所示，下列表述正确的是（　　）

A．N带负电，M带正电

B．N的速率大于M的速率

C．N的运行时间小于M的运行时间

D．N的运行时间等于M的运行时间

3 . 如图所示，在x轴上方存在垂直于纸面向里的匀强磁场，磁感应强度为B。在xOy平面内，从原点O处沿与x轴正方向成θ角（）以速率v发射一个带正电的粒子（重力不计）。则下列说法正确的是（　　）

A．若v一定，θ越大，则粒子在磁场中运动的时间越短

B．若v一定，θ越大，则粒子离开磁场的位置距O点越远

C．若θ一定，v越大，则粒子在磁场中运动的角速度越大

D．若θ一定，v越大，则粒子在磁场中运动的时间越短

4 . 如图所示，一束电子（电量为e）以速度v垂直射入磁感应强度为B，宽度为d的匀强磁场中，穿过磁场时速度方向与电子原来入射方向的夹角是30°，则电子的质量是______，穿过磁场的时间是_________。

5 . 如图所示，一半径为R的圆形区域内有垂直于纸面向里的匀强磁场，一质量为m、电荷量为q的负电荷（重力忽略不计）以速度v沿正对着圆心O的方向射入磁场，从磁场中射出时速度方向改变了角。磁场的磁感应强度大小为（　　）

A．

B．

C．

D．

6 . 如图所示，边长为的等边三角形区域内存在方向垂直纸面向外的有界匀强磁场，磁感应强度大小为，一质量为、电荷量为的粒子由点沿角平分线方向进入磁场区域，从点离开磁场区域。不计粒子受到的重力，求：
（1）粒子的速度大小；
（2）粒子在磁场中的运动时间。

7 . 如图所示，将截面为正方形的真空腔abcd放置在一匀强磁场中，磁场方向垂直纸面向里。若有一束具有不同速率的电子由小孔a沿ab方向射入磁场，打在腔壁上被吸收，则由小孔c和d射出的电子的速率之比_______。

8 . 如图所示，在垂直纸面向里的匀强磁场的边界上，有两个电荷量绝对值相同、质量相同的正、负粒子（不计重力），从O点以相同的速度先后射入磁场中，入射方向与边界成θ角，则正、负粒子在磁场中（　　）

A．运动时间相同	B．运动轨迹的半径相同
C．重新回到边界时速度大小和方向相同	D．重新回到边界时与O点的距离不相等

9 . 如图，虚线MN上、下两侧是磁感应强度均为B、方向相反的匀强磁场，一个质量为m、带电荷量为的带电粒子（不计重力）以速度v，从P点沿与界面成角的方向射入MN上方垂直纸面向里的匀强磁场中，则带电粒子到达界面MN所用的时间可能为（　　）

A．

B．

C．

D．

10 . 如图所示，三个速度大小不同的同种带电粒子，沿同一方向从图中长方形区域的匀强磁场上边缘射入，当它们从下边缘飞出时相对入射方向的偏角分别为、、，则它们在磁场中运动的时间之比为（　　）

A．1：1：1	B．1：2：3
C．3：2：1	D．1：：