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题型:解答题-结构与性质 难度:0.65 引用次数:193 题号:6202755
Cu、Ni、V为制造合金及合成催化剂的重要元素。 请回答:
(1)基态铜原子的电子排布式是_________________。基态铜原子价电子层排布依据的原理,可用于解释下列事实的是___________
A.Fe2易被氧化为Fe3                                     B.铜丝灼烧时焰色呈绿色
C.N的第一电离能大于O的第一电离能       D.NaCl的熔点比KCl的高
(2)[Cu(NH3)4]SO4是一种重要的配合物。与SO42互为等电子体的分子的化学式为__________(任写一种)。NH3与CH4的VSPER构型相同,其中NH3的键角较小,原因是____________。Ni(CO)4中σ键和π键的数目之比为_________
(3)钒的某种配合物有增强胰岛素和降糖作用,其分子结构如图所示。

① 基态V元素的价层电子轨道表示式______________________,分子中非金属元素电负性由大到小的顺序为________
② 该物质的晶体中除配位键外,所含微粒间作用力的类型还有___________(填序号)。
a.金属键       b.极性键       c.非极性键       d.范德华力       e.氢键
③ 1mol分子中含有配位键的数目是______,分子中采取sp2杂化的原子有_______

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【推荐1】X、Y、Z、E、F五种元素的原子序数依次递增。已知:F位于周期表中第四周期IB族,其余的均为短周期主族元素,X、E同主族,E的氧化物是光导纤维的主要成分,X是形成化合物种类最多的元素之一,基态Z原子核外p轨道的未成对电子数为2。请回答下列问题:
(1)基态Y原子价层电子排布式为____。原子中运动的电子有两种相反的自旋状态,若一种自旋状态用+,表示,则与之相反的用-表示,这称为电子的自旋量子数。对于基态的Y原子,其价电子的自旋量子数代数和为____
(2)X、Y、E三种元素的第一电离能由小到大的顺序为____(填元素符号,下同);电负性由小到大的顺序为____
(3)X、Z和氢元素按原子数目比为1:1:2形成常温下呈气态的物质,其分子中键角约为____,其中X原子的杂化轨道类型为____
(4)F2+与NH3能形成[F(NH3)4]2+离子,[F(NH3)4]2+中的配位原子为____(填元素符号)。若[F(NH3)4]2+离子中2个NH3被2个Cl-替代可以得到2种不同的结构,则[F(NH3)4]2+离子的空间结构名称是____。(填“平面四方形”或“正四面体”)。
(5)F2Z的晶胞中(结构如图所示)所包含的F离子数目为____。若其晶体密度为ρ g·cm-3,F离子的半径为r1 pm,Z离子的半径为r2 pm,阿伏加德罗常数的值为NA,则该晶胞中原子的空间利用率(即原子的体积占晶胞体积的百分率)为____。(用含ρr1r2NA的代数式表示,列式即可,不需化简)。
2022-04-20更新 | 135次组卷
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【推荐2】2019年1月3日上午,嫦娥四号探测器翩然落月,首次实现人类飞行器在月球背面的软着陆。所搭载的“玉兔二号”月球车,通过砷化镓(GaAs)太阳能电池提供能量进行工作。回答下列问题:
(1)基态Ga原子价电子轨道表示式为___________,核外电子占据最高能级的电子云形状为___________;基态As原子最高能层上有___________个电子。
(2)镓失去电子的逐级电离能(单位:kJ•mol-1)的数值依次为577、1985、2962、6192,由此可推知镓的主要化合价为___________,砷的第一电离能比镓___________(填“大”或“小”)。
(3)第四周期元素中,与基态As原子核外未成对电子数目相同的元素符号为___________
(4)砷化镓可由(CH3)3Ga和AsH3在700℃制得,(CH3)3Ga中C原子的杂化方式为___________,AsH3分子的空间构型为___________
(5)相同压强下,AsH3的沸点___________NH3(填“大于”或“小于”),原因为___________
(6)GaAs为原子晶体,其晶胞结构如图所示,Ga与As以___________(填“共价键”或“离子键”)键合。设阿伏加德罗常数的值为NA,该晶胞边长为a pm则GaAs晶体的密度为___________g•cm-3(列出计算式即可)。
2023-01-02更新 | 258次组卷
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【推荐3】氮化镓(GaN)结构与金刚石类似,是一种半导体材料,因其具有良好的电学特性,广泛的应用于电子行业,近年智能手机的快速充电器中就使用了氮化镓材料。
(1)基态N原子的电子排布式为___________;基态Ga原子核外电子能量最高的电子占据的能级为___________
(2)GaN、GaP、GaAs熔点如下表所示,分析其变化原因___________
晶体GaNGaPGaAs
熔点/℃170014801238

(3)GaN可在高温下由金属Ga和NH3反应制取。N原子和H原子可以形成多种微粒,如:NH3、NH、NH、N2H4、N2H、N2H等。在N2H中,N原子的杂化方式为___________。与N2H互为等电子体的物质是___________(写出一种);在N2H中存在的化学键类型有___________
a.极性键        b.非极性键        c.离子键          d.配位键
(4)GaN的晶胞结构如图所示:其中与Ga原子最近的N原子所构成的空间结构为___________;若GaN晶体的密度为6.1 g/cm3,阿伏加德罗常数为NA,则距离最近的两个N原子间的距离为___________nm(写出表达式即可)。
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