1 . 下列化学用语表达正确的是
A． 的空间填充模型为 | B．锗(Ge)原子的价电子排布式为 |
C． 的电子式为 | D．核内有33个中子的Fe原子符号为 |
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2 . 
为阿伏加德罗常数的值。下列说法正确的是
为阿伏加德罗常数的值。下列说法正确的是A． 中，中子数和电子数之差为 |
B．常温下， 在足量浓硝酸中转移电子数为 |
C． 浓度为 溶液中所含σ键数为 |
D． 甲烷和丙炔的混合气体中，氢原子的数目为 |
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3 . 设
为阿伏加德罗常数的值。砷化镓(GaAs)是半导体材料，气相生长法制备GaAs的原理如下，下列叙述正确的是
①
②
③
为阿伏加德罗常数的值。砷化镓(GaAs)是半导体材料，气相生长法制备GaAs的原理如下，下列叙述正确的是①
②
③
A． 镓(31Ga)含电子的数目为 |
B． 含共价键数目为 |
C．标准状况下， 含中子的数目为 |
D．反应③中每生成 转移的电子数目为 |
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4 . 核反应
和
为研究原子结构和发现新原子做出了重要贡献。下列说法错误的是
和为研究原子结构和发现新原子做出了重要贡献。下列说法错误的是| A．c=13b |
| B．X、Y、Z形成的单质分子均为非极性分子 |
| C．Q、R 为质量数相同的不同核素 |
| D．基态 W 与Z原子核外电子的空间运动状态种类相等 |
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解题方法
5 . 下列化学用语表述错误的是
A． 的电子式为 |
B．中子数为28的钙原子是 |
C． 分子的 模型为 |
D．基态 原子的价层电子排布图为 |
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6 . 
常用于微电子工业，可由反应
制备。下列说法正确的是
常用于微电子工业，可由反应制备。下列说法正确的是A． 的VSEPR模型 |
B．中子数为2的H原子可表示为 |
C．F原子的结构示意图为 |
D． 的电子式为 |
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名校
7 . NA为阿伏加德罗常数的值。下列说法正确的是
A．加热条件下，含 的浓盐酸与足量的 充分反应后，所得 的分子总数为NA |
B． 的中子数为14 NA |
C．常温下，将 铝片投入足量的浓硝酸中，铝失去的电子数为0.3 NA |
D． 与足量S粉共热充分反应时转移电子数为0.2 NA |
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名校
8 . 下列化学用语表述正确的是
A．Na+的结构示意图： | B．中子数为8的氮原子： |
C．二氧化碳分子结构模型： | D．NH4Br的电子式： |
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解题方法
9 . 在宾馆、办公楼等公共场所，常使用一种电离式烟雾报警器，其主体是一个放有镅-241放射源的电离室。下列关于
的说法正确的是
的说法正确的是A．质量数 | B．中子数 | C．电子数 | D．质子数 |
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10 . 钼（Mo）在合金中有着重要的应用。河南栾川被誉为“中国钼都”，下列说法正确的是
A． 和 互为同位素 |
| B．的中子数为42 |
| C．Mo与非金属单质反应时可能作氧化剂也可能作还原剂 |
| D．在元素周期表中，Mo位于金属元素和非金属元素的交界处 |
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