1 . 半导体材料的发展带动了科技的进步，如传统半导体Si、Ge，新型半导体GaAs、AlN、GaN等。回答下列问题：
(1)基态Ge原子的价电子排布式为______，与其同周期的IIIB族元素属于______区。
(2)根据元素周期律可判知：原子半径Al______N(填“＞”或“＜”，下同)，还原性As^3—______Br^—。
(3)Ga、Ge、As的第一电离能由大到小的顺序为______；Ge、As的常见化合物有GeCl₄、AsH₃、AsCl₅，其中呈正四面体结构的是______。
(4)AlN结构中只存在N－Al键，每个原子周围都满足8e^—结构，AlN中______(填“存在”或“不存在”)配位键。
(5)Si与C是同主族相邻元素，C原子之间可以形成双键、三键，但Si原子之间难以形成双键或三键，从原子结构角度分析其原因______。